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林云昊

作品数：40 被引量：1H指数：1
供职机构：华南理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金广东省重大科技专项更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 35篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 39篇衬底
  • 17篇缺陷密度
  • 15篇铝酸锶
  • 12篇GAN薄膜
  • 11篇多量子阱
  • 11篇钽
  • 11篇INGAN/...
  • 8篇量子
  • 8篇ZR
  • 8篇镧
  • 8篇INGAN/...
  • 7篇外延片
  • 7篇晶体
  • 7篇晶体质量
  • 7篇LED外延片
  • 7篇W
  • 6篇位错
  • 5篇光电
  • 5篇光电性
  • 5篇光电性能

机构

  • 40篇华南理工大学

作者

  • 40篇林云昊
  • 39篇李国强
  • 35篇王文樑
  • 31篇刘作莲
  • 31篇杨为家
  • 19篇周仕忠
  • 7篇杨美娟
  • 3篇李媛
  • 3篇林志霆
  • 2篇王海燕

传媒

  • 2篇半导体光电
  • 1篇材料研究与应...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 5篇2017
  • 2篇2016
  • 8篇2015
  • 15篇2014
  • 8篇2013
共 40 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜及其制备方法
本发明公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜，包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，...
李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊
文献传递
生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱
本实用新型公开了一种生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层...
李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊
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生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱及制备方法
本发明公开了一种生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的...
李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊
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H_2气氛对采用MOCVD法在Si衬底上外延生长AlN薄膜性能的影响
2016年
采用金属有机化合物气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上外延生长AlN薄膜,用高分辨X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显微镜对外延生长所得AlN薄膜的性能进行表征,并研究了适量H_2的引入对AlN薄膜的晶体结构和表面形貌的影响.结果表明:在Si衬底上外延生长AlN薄膜过程中引入适量H_2,有利于提高AlN岛间愈合程度,薄膜表面缺陷减少,表面粗糙度由4.0nm减少至2.1nm;适量H_2的引入可使AlN薄膜的(0002)和(10-12)面的X射线摇摆曲线的半峰宽(FWHM)值从0.7"及1.1"分别减小到0.6"和0.9",即刃型穿透位错密度和螺型穿透位错密度减少.
杨美娟林云昊王文樑林志霆李国强
关键词：SI衬底ALN薄膜H2MOCVD
生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN量子阱及其制备方法
本发明公开了生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括依次生长在铝酸镁钪衬底上的第一GaN缓冲层、非晶态AlN插入层、第二GaN缓冲层、InGaN/GaN量子阱。本发明还公开了上述生长在铝酸镁钪衬底上的InG...
李国强王文樑杨美娟林云昊
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生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片及制备方法
本发明公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片，包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生...
李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊
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生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片
本实用新型公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片，包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层...
李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊
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生长在Zr衬底上的AlN薄膜
本实用新型公开了生长在Zr衬底上的AlN薄膜，由下至上依次包括Zr衬底和AlN薄膜；所述AlN薄膜为在450～550℃生长的AlN薄膜。本实用新型的AlN薄膜具有位错密度低、晶体质量好的优点，且Zr衬底容易获得，价格便宜...
李国强刘作莲王文樑杨为家林云昊周仕忠钱慧荣
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生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱及制备方法
本发明公开了一种生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的...
李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊
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生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜
本实用新型公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜，包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN...
李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊
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