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田园

作品数：3 被引量：7H指数：2
供职机构：河北工业大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：河北省自然科学基金河北省青年科技基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇氮化镓
  • 3篇GAN
  • 2篇导体
  • 2篇稀磁半导体
  • 2篇半导体
  • 1篇电子辐照
  • 1篇电子浓度
  • 1篇形貌特征
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁性
  • 1篇退火
  • 1篇镍离子
  • 1篇热退火
  • 1篇离子
  • 1篇离子注入
  • 1篇光电
  • 1篇辐照缺陷
  • 1篇材料结构
  • 1篇磁性

机构

  • 3篇河北工业大学

作者

  • 3篇郝秋艳
  • 3篇梁李敏
  • 3篇刘彩池
  • 3篇解新建
  • 3篇田园
  • 2篇刘辉

传媒

  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2015
  • 1篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Ni离子注入和热退火对GaN形貌和磁性的影响被引量：2
2018年
利用离子注入法将Ni离子注入到金属有机化学气相沉积（MOCVD）法制备的p-GaN薄膜中，制备出了GaN基稀磁半导体材料。采用X射线衍射仪（XRD）、扫描显微镜（SEM）和振动样品磁强计（VSM）研究了离子注入剂量和热退火对GaN样品的结构、形貌和磁性能的影响。研究结果表明：Ni离子注入未在GaN晶格中引入第二相，中等剂量的Ni离子辐照GaN样品在室温下具有顺磁性，800℃热退火后样品的磁性由顺磁性转化为铁磁性，具有较高的饱和磁化强度。热退火后p-GaN的晶格损伤恢复和空穴载流子浓度增加，因此800℃热退火样品的铁磁性转变是由于Ni离子的自旋电子与空穴栽流子的相互作用增强引起的。
梁李敏解新建刘辉田园郝秋艳刘彩池
关键词：氮化镓稀磁半导体离子注入铁磁性热退火
Ni离子注入GaN的结构和形貌的研究
半导体材料是在半导体材料掺入少量的磁性离子,从而使半导体材料去有磁性,稀磁半导体由于具有磁性、磁光和磁输运等新的物理效应,可以制成各种新型的功能器件,如稀磁半导体超晶格和量子肼、高密度非易失性存储器、磁感应器件、光隔离器...
王腾梁李敏解新建田园刘辉郝秋艳刘彩池
关键词：氮化镓镍离子稀磁半导体材料结构形貌特征
退火对电子辐照氮化镓光电性能的影响被引量：5
2012年
本文对10 MeV电子辐照的GaN进行了不同温度的热退火处理。用光致发光谱和霍尔测量了样品的光电性能随退火温度的变化。实验结果表明:黄光带强度、电子浓度和电子迁移率随退火温度呈非线性变化。在200～600℃退火范围内,黄光带、电子浓度和电子迁移率的变化是由于辐照Ga空位与O施主杂质的结合和断裂引起的。800℃退火后黄光带、电子浓度和电子迁移率的变化与电子辐照引入的N空位有关。
梁李敏解新建郝秋艳田园刘彩池
关键词：GAN辐照缺陷电子浓度
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