刘彩池
- 作品数：186 被引量：224H指数：8
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- 半导体材料晶体的等效微重力生长
- 本文从理论上分析了半导体晶体的等效微重力生长,结合砷化镓熔体的主要物性参数,对GaAs熔体空间引入不同磁感应强度所对应的微重力量级进行了计算.其结果可指导大直径GaAs单晶的等效微重力生长.
- 徐岳生刘彩池王海云唐蕾
- 关键词：半导体材料晶体生长砷化镓
- 文献传递
- 金属有机化学气相沉积生长的GaN膜中V缺陷研究被引量：1
- 2006年
- 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在Si(111)衬底上外延生长不同厚度的GaN。外延层薄的GaN表面存在大量的V缺陷,并且V缺陷的两侧有相互平行的带状高坡;外延层厚的GaN表面没有V缺陷,表面平整且晶体质量高。位错处存在晶格畸变,杂质易于在此处聚集,达到一定浓度就会抑制晶体在此处生长而形成V缺陷。受位错附近应力场与气流的影响,V缺陷两侧出现带状高坡。生长时间延长,GaN表面的V缺陷就会被填满,带状高坡横向生长合并成为平整的表面。用m(KOH)∶m(H2O)=1∶10的KOH溶液腐蚀后,平整的表面出现六角腐蚀坑,密度与原生坑密度相近,认为是原生坑被填满的位置腐蚀后再次出现。
- 赵丽伟滕晓云郝秋艳朱军山张帷刘彩池
- 关键词：GAN湿法化学腐蚀
- 双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究
- 2005年
- 利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜,得到GaN(0 0 0 2 )和(10-12 )的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM )分别为72 1和840s。采用高分辨率DCXRD ,扫描电子显微镜(SEM )分析。结果表明,以10 40℃生长的AlN缓冲层能防止Ga与Si反应形成无定形的Si Ga结构,是后续生长的“模板”。低温的GaN缓冲层可有效减低外延层的缺陷。DCXRD测得的FWHM为0 .2 1,GaN峰强达7K。
- 朱军山胡加辉徐岳生刘彩池冯玉春郭宝平
- 关键词：SI(111)GAN
- 热处理对铸造多晶硅缺陷形貌的影响
- 采用扫描电子显微镜(SEM)和光学显微镜(OM)等分析方法，研究了热处理前后铸造多晶硅片的缺陷形貌。实验结果表明：原生铸造多晶硅中存在着大量的位错和晶界。单步、两步热处理对硅片表面位错形貌有很大的影响。低温退火时，位错尺...
- 陈玉武郝秋艳赵建国吴丹王勇刘彩池
- 关键词：产品质量
- 高温快速退火对重掺锑硅单晶中流动图形缺陷的影响被引量：3
- 2005年
- 对大直径重掺锑硅单晶中流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.利用高温快速退火工艺(RTA),将重掺锑硅片在N2,Ar,H2三种不同气氛下进行热处理,对退火前后FPDs的密度变化进行了研究,分析了重掺锑硅单晶中FPDs在不同高温RTA过程中的热稳定性.并从重掺杂原子锑与间隙氧之间的关系,分析了重掺锑硅片中FPDs在高温快速退火工艺下的消除机制,认为重掺锑硅单晶中大量的锑原子,影响了硅片中间隙氧的浓度分布,进而影响了原生微缺陷的形成及热行为.
- 郝秋艳刘彩池孙卫忠张建强孙世龙赵丽伟张建峰周旗钢王敬
- 关键词：硅单晶微缺陷掺锑
- 硅中Ge对硅片机械强度的影响被引量：1
- 1994年
- 硅中掺入等价元素Ｇｅ，可以提高硅单晶的机械强度。本文报道了用三点弯曲法、冲击法对不同Ｇｅ含量硅片机械强度的研究结果及影响ＣＺＳｉ机械强度的掺Ｇｅ最小量，探讨了Ｇｅ增加硅片机械强度的机理。
- 冀志江张维连刘彩池
- 关键词：硅掺杂锗硅片机械强度
- 准单晶硅技术研究进展被引量：6
- 2012年
- 准单晶硅结合了铸造多晶硅和直拉单晶硅的特点,既具有成本低,产量高的优势,又具有转化效率高的优点。但目前各企业和科研单位对准单晶硅的研究仍处于实验探索阶段。本文系统阐述了准单晶技术的研究进展,介绍了准单晶的两种铸造方法、与传统单晶硅相比所存在的优势、在国内外的发展状况及存在问题,并对其发展前景做了展望。
- 苏柳郝秋艳解新建刘彩池刘晓兵Jin Hao
- 关键词：晶界
- ULSI用CZ硅单晶中的空洞型原生缺陷及其控制
- 2005年
- 详细阐述了COP、 LSTD 和FPD等空洞型原生缺陷的基本性质、形成机理和它们与晶体生长参数的关系,以及目前主要采用的几种消除空洞型缺陷的方法。研究表明,利用快速退火消除空洞型原生缺陷, 是一种简单而有效的方法。
- 乔治候哲哲刘彩池
- 关键词：超大规模集成电路直拉硅单晶快速退火
- 大直径直拉硅单晶炉热场的改造及数值模拟被引量：13
- 2000年
- 为了降低大直径硅单晶生长过程中氧的引入 ,对常规的 4 0 6mm(16英寸 )热场进行了改造。设计了以矮加热器为核心的复合式加热器系统 ,使晶体生长过程中熔体热对流减小。通过对热场的数值模拟计算 ,分析了热场的温度分布 ,发现熔体的纵向温度梯度下降 ,熔体热对流减小 ,硅单晶中氧含量降低。
- 任丙彦刘彩池张志成郝秋艳
- 关键词：加热器热对流数值模拟
- Si(111)外延GaN的表面形貌及形成机理研究
- 2005年
- 用高温A lN作缓冲层在Si(111)上外延生长出GaN薄膜。通过对薄膜表面扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)的分析,确定缓冲层对外延层形貌的影响,分析解释了表面形貌中凹坑的形成及缓冲层生长温度对凹坑的影响。结果表明:温度的高低通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌。
- 朱军山徐岳生刘彩池赵丽伟滕晓云
- 关键词：SI(111)GANMOCVD
