徐岳生
- 作品数：72 被引量：101H指数：5
- 供职机构：河北工业大学材料科学与工程学院信息功能材料研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 半导体材料晶体的等效微重力生长
- 本文从理论上分析了半导体晶体的等效微重力生长,结合砷化镓熔体的主要物性参数,对GaAs熔体空间引入不同磁感应强度所对应的微重力量级进行了计算.其结果可指导大直径GaAs单晶的等效微重力生长.
- 徐岳生刘彩池王海云唐蕾
- 关键词：半导体材料晶体生长砷化镓
- 文献传递
- 双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究
- 2005年
- 利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜,得到GaN(0 0 0 2 )和(10-12 )的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM )分别为72 1和840s。采用高分辨率DCXRD ,扫描电子显微镜(SEM )分析。结果表明,以10 40℃生长的AlN缓冲层能防止Ga与Si反应形成无定形的Si Ga结构,是后续生长的“模板”。低温的GaN缓冲层可有效减低外延层的缺陷。DCXRD测得的FWHM为0 .2 1,GaN峰强达7K。
- 朱军山胡加辉徐岳生刘彩池冯玉春郭宝平
- 关键词：SI(111)GAN
- Si(111)外延GaN的表面形貌及形成机理研究
- 2005年
- 用高温A lN作缓冲层在Si(111)上外延生长出GaN薄膜。通过对薄膜表面扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)的分析,确定缓冲层对外延层形貌的影响,分析解释了表面形貌中凹坑的形成及缓冲层生长温度对凹坑的影响。结果表明:温度的高低通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌。
- 朱军山徐岳生刘彩池赵丽伟滕晓云
- 关键词：SI(111)GANMOCVD
- 直拉硅片缺陷的控制与利用
- 徐岳生张维连任丙彦鞠玉林陈炳贤高秀清
- 该项目属半导体科学技术，是八十年代兴起的半导体“缺陷工程”的内容。在国内外兆位级集成电路生产工艺，须采用硅片吸除技术。在众多的吸除工艺中，内吸除最引人注意。常规的内吸除主要是对直拉硅片进行一步、二步或三步退火，实现直拉硅...
- 关键词：
- 关键词：中子辐照
- 磁场中硅熔体的磁黏度被引量：1
- 2007年
- 利用魔环磁场,对硅熔体施加横向可调的磁场.采用回转振荡法,测量了硅熔体在不同温度、不同水平方向磁场下的磁黏度.研究结果表明,引入磁场,使硅熔体的磁黏度增加,且磁黏度与磁场强度呈抛物线关系.
- 张雯徐岳生王胜利
- 半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响被引量：1
- 2005年
- 研究了LEC法生长SI GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能 (跨导、饱和漏电流、夹断电压 )的影响 .用AB腐蚀液显示AB微缺陷 (AB EPD :10 3 ～ 10 4cm-2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (EPD :10 4cm-2 量级 ) ,发现衬底上的AB微缺陷对器件性能及均匀性有显著影响 .随着AB EPD的增大 ,跨导、饱和漏电流变小 ,夹断电压的绝对值也变小 .利用扫描光致发光光谱 (PLmapping)对衬底质量进行了测量 ,结果表明衬底参数好的样品 ,PL参数好 ,相应器件的参数也好 。
- 徐岳生付生辉刘彩池王海云魏欣郝景臣
- 关键词：LECSI-GAAS夹断电压
- 等效微重力晶体生长
- 徐岳生刘彩池王海云李养贤张雯郝秋艳
- 该项目设计制造的环形永磁磁体，向投料10-15公斤的直拉单晶炉引入CUSP磁场，其磁感应强度连续可调。从杂质输运以扩散控制为主出发，首次把磁场拉晶和太空微重力拉晶联系在一起，提出“等效微重力晶体生长”理论，并推导出施加磁...
- 关键词：
- Si基外延GaN中位错的分布
- 本文研究了在硅衬底上生长的GaN中位错的分布与传播。利用湿法腐蚀有效地显示了CaN中的位错,表面的六角腐蚀坑即为位错露头。在KOH溶液中腐蚀,腐蚀时间越长,蚀坑密度越高,表明外延生长过程中位错密度逐渐降低,它是由于GaN...
- 赵丽伟刘彩池滕晓云郝秋艳孙世龙徐岳生
- 关键词：GAN位错SEM
- 文献传递
- 熔体物性测试用熔化炉
- 徐岳生刘彩池王海云任丙彦张雯李养贤李幼斌顾励生郎益谦王继炎
- 该实用新型涉及一种熔体物性测试用熔化炉，包括炉盖1、炉体2、热电偶38、电极9和加热器5，其特征在于所述的加热器5采用高纯石墨材料做加热元件；所述的炉盖1和炉体2均为双层不锈钢水冷结构，且炉体2和炉盖1之间以及其所有与外...
- 关键词：
- 关键词：熔化炉
- 半导体硅熔体电导率的间接测定
- 晶体生长向大直径发展应该重视对环境相的研究,以半导体硅单晶生长为例,晶体和熔体(浓厚的环境相)本来是对立统一的两个方面,长期以来,由来追求晶体质量和成品率,忽视了环境相的变化和对晶体的影响。在对晶体大直径生长计算机模拟过...
- 徐岳生刘彩池王海云张雯石义情
- 文献传递
