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汤宝

作品数：9 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 8篇探测器
  • 8篇红外
  • 8篇INAS/G...
  • 8篇INAS/G...
  • 8篇超晶格
  • 7篇晶格
  • 7篇光电
  • 7篇光电探测
  • 7篇光电探测器
  • 7篇红外光
  • 7篇红外光电探测...
  • 6篇盖层
  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 3篇电极
  • 3篇钛金
  • 3篇合金
  • 3篇合金电极
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻技术

机构

  • 9篇中国科学院
  • 1篇四川大学
  • 1篇绵阳师范学院

作者

  • 9篇牛智川
  • 9篇徐应强
  • 9篇汤宝
  • 8篇任正伟
  • 5篇周志强
  • 4篇王国伟
  • 3篇郝瑞亭
  • 2篇张宇
  • 2篇陈良惠
  • 2篇王国伟
  • 1篇陈燕
  • 1篇邓爱红

传媒

  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器
一种HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器，包括：一GaSb衬底，利用分子束外延方法在GaSb衬底上依次制备出GaSb缓冲层、GaSb收集区、InAs/GaSb超晶格基区、AlGaAsSb基区、AlGaAsS...
张宇王国伟汤宝任正伟徐应强牛智川陈良惠
文献传递
GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法
本发明公开了一种GaAs基InAs/GaSb超晶格3至5微米波段红外光电探测器及其制作方法。该红外光电探测器由自下而上的GaAs衬底、GaAs缓冲层、AlSb成核层、GaSb下缓冲层、AlSb/GaSb超晶格层、GaSb...
周志强郝瑞亭汤宝任正伟徐应强牛智川
文献传递
GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法
本发明公开了一种GaAs基InAs/GaSb超晶格1至3微米波段红外光电探测器，该红外光电探测器由自下而上的GaAs衬底、GaAs缓冲层、AlSb成核层、GaSb下缓冲层、AlSb/GaSb超晶格层、GaSb上缓冲层、I...
汤宝周志强郝瑞亭任正伟徐应强牛智川
文献传递
GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法
本发明公开了一种GaAs基InAs/GaSb超晶格1至3微米波段红外光电探测器，该红外光电探测器由自下而上的GaAs衬底、GaAs缓冲层、AlSb成核层、GaSb下缓冲层、AlSb/GaSb超晶格层、GaSb上缓冲层、I...
汤宝周志强郝瑞亭任正伟徐应强牛智川
文献传递
掺Te的GaSb薄膜分子束外延生长及缺陷特性被引量：3
2012年
分析了非掺GaSb材料及在GaAs衬底上用分子束外延生长掺杂Te的GaSb薄膜材料的缺陷特性,主要应用正电子湮没多谱勒展宽谱方法,并结合原子力显微镜和X射线衍射测试进行.多谱勒展宽谱研究表明,采用分子束外延法生长的掺杂Te的n型半导体GaSb薄膜材料的S参数比体材料小,所得缺陷主要是单空位与间隙原子,而几乎无复合体的缺陷类型.
陈燕邓爱红汤宝王国伟徐应强牛智川
关键词：原子力显微镜正电子湮没X射线衍射
2～5μm InAs/GaSb超晶格红外探测器被引量：1
2011年
采用分子束外延方法在GaSb和GaAs衬底上生长了不同周期厚度的InAs／GaSb高质量II型能带结构超晶格红外探测器，其探测波长覆盖2～5μm红外波段。采用高分辨透射电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射测试、室温与低温光电流响应谱及室温与低温光荧光谱等多种测试手段检验了分子束外延生长在不同衬底上的超晶格材料质量与光学质量。该材料用于制造2～5μmGaAs基与GaSb基InAs／GaSb超晶格红外探测器。在77K温度下，2μm波段GaAs基InAs／GaSb超晶格红外探测器探测率为4×10^9cm·Hz^1/2／w，5μm波段GaSb基InAs／GaSb超晶格红外探测器探测率为1．6×10^100cm·Hz^1／2／W。
徐应强汤宝王国伟任正伟牛智川
关键词：INAS/GASB超晶格红外探测器分子束外延
HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器
一种HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器，包括：一GaSb衬底，利用分子束外延方法在GaSb衬底上依次制备出GaSb缓冲层、GaSb收集区、InAs/GaSb超晶格基区、AlGaAsSb基区、AlGaAsS...
张宇王国伟汤宝任正伟徐应强牛智川陈良惠
一种制作InAs/GaSb超晶格红外光电探测器的方法
本发明公开了一种制作InAs/GaSb超晶格红外光电探测器的方法，包括：将GaSb衬底放在分子束外延设备样品架上，在530℃脱氧，然后将GaSb衬底升至560℃在Sb保护下除气3分钟；在520℃温度下在GaSb衬底上生长...
王国伟汤宝周志强任正伟徐应强牛智川
文献传递
一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法
本发明公开了一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器，包括：GaSb衬底(1)；在该GaSb衬底(1)上制备的外延片，该外延片由下至上依次包括GaSb缓冲层(2)、p型欧姆欧姆接触层(3)、InAs/GaSb超晶格层和...
王国伟汤宝周志强任正伟徐应强牛智川
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