谢芳
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 供职机构：上海交通大学微纳米科学技术研究院微米纳米加工技术国家级重点实验室更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 一种新型CMOS集成降压源IP模块的设计被引量：2
- 2009年
- 目前很多热插拔接口芯片,采用低电压短沟道工艺,从5 V电压得到3.3 V和1.2 V电压的稳压器就成为芯片的一部分。稳压器主要由带隙基准(BGR)、缓冲器、局部电压镜像和全局电流镜像组成。利用Spectre对降压源仿真表明:不带负载功耗280μA;3.3 V输出偏差在3.5%内,负载电阻下限200Ω;1.2 V输出偏差在4%以内,负载电阻下限73.5Ω。该减压源IP模块采用0.13μm CMOS工艺实现,具有实用性。
- 谢芳戴庆元
- 关键词：带隙基准低功耗
- 基于16位SAR模数转换器的误差校准方法被引量：3
- 2009年
- 为了实现较高精度(16位及更高)的逐次逼近(SAR)ADC,提出了一种误差自动校准技术。考虑到芯片面积、功耗和精度的折中,采用了电荷再分配分段电容DAC结构,并采用准差分输入方式提高ADC的信噪比。为了消除电容失配引入的误差,提出了一种误差自动校准算法,利用误差校准DAC阵列对电容失配误差进行量化并存储在RAM中,在AD转换过程中实现误差消除。
- 乔高帅戴庆元孙磊谢芳
- 关键词：全差分电容失配自动校准
- 新型电流微调CMOS带隙基准源的设计
- 2009年
- 介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出。该带隙基准源采用TSMC0.18μm工艺进行电路和版图设计。仿真结果显示,在输出基准为1.24V的情况下,带隙基准源在-40～125℃,所有工艺角下的最大误差为23.07mV,其中tt工艺角下的温度系数为21×10-6/℃。电源电压为1.8V时,电源电流为63μA;关断模式下电流为93pA。10kHz的电源抑制比为44dB。
- 吴日新戴庆元谢芳
- 关键词：CMOS带隙基准
