乔高帅
- 作品数：4 被引量：12H指数：2
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 基于16位SAR模数转换器的误差校准方法被引量：3
- 2009年
- 为了实现较高精度(16位及更高)的逐次逼近(SAR)ADC,提出了一种误差自动校准技术。考虑到芯片面积、功耗和精度的折中,采用了电荷再分配分段电容DAC结构,并采用准差分输入方式提高ADC的信噪比。为了消除电容失配引入的误差,提出了一种误差自动校准算法,利用误差校准DAC阵列对电容失配误差进行量化并存储在RAM中,在AD转换过程中实现误差消除。
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- 关键词：全差分电容失配自动校准
- 一种高精度逐次逼近模数转换器的研究与设计
- 数字信号具有抗干扰能力强、易于集成、功耗小、成本低的综合优势,因此越来越多的模拟信号处理逐渐被数字信号技术所取代。然而,自然界的光、热、声、电、磁等信号都是模拟量,为了使这些模拟信号能够被计算机处理,需要将这些在时间幅度...
- 乔高帅
- 关键词：模数转换器
- 文献传递
- 全二进制权电容的分段电容阵列
- 本发明涉及一种集成电路技术领域的全二进制权电容的分段电容阵列，包括：最高有效位电容阵列，最低有效位电容阵列，连接在最高有效位电容阵列和最低有效位电容阵列之间的多组分段电容阵列，以及各分段电容阵列之间的连接电容，所述连接电...
- 孙磊戴庆元乔高帅谢芳曹斌
- 文献传递
- 从特征尺寸的缩小看光刻技术的发展被引量：7
- 2009年
- 从特征尺寸不断缩小变化的角度阐述了近代光刻技术发展的历程。指出90nm节点的主流光刻技术是193nmArF光刻;193nm浸入式光刻技术作为65nm和45nm节点的首选光刻技术,如果配合二次曝光技术,还可以扩展到32nm节点的应用,但成本会增加;如果特征尺寸缩小到22nm和16nm节点,EUV光刻、无掩模光刻以及纳米压印光刻等将成为未来发展的重要研究方向。在对各种光刻技术的原理、特点以及优缺点等分析对比的基础上,对未来主流光刻技术的发展做了一定的展望。
- 孙磊戴庆元乔高帅吴日新
- 关键词：无掩模光刻纳米压印光刻特征尺寸
