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曾徐路
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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合作作者
于淑珍
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
赵春雨
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
李奎龙
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
赵勇明
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
董建荣
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
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一种三结级联太阳能电池及其制备方法
本发明涉及太阳能技术领域,尤其是三结级联太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长GaAs<Sub>1-x-y</Sub>N<Sub>x</Sub>Bi<Sub>y</Sub...
李奎龙
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一种三结级联太阳能电池结构及其制备方法
本发明涉及太阳能技术领域,尤其是直三结级联太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长GaAs<Sub>1‑x‑y</Sub>N<Sub>x</Sub>Bi<Sub>y</Su...
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三结级联太阳能电池及其制备方法
本发明涉及太阳能技术领域,尤其是几种三结级联太阳能电池,其包括在GaAs衬底上依次生长的底电池层、第一隧道结、中间电池层、第二隧道结、顶电池层及GaAs接触层;所述GaAs衬底底部设有下欧姆电极及所述GaAs接触层顶部还...
于淑珍
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太阳能电池结构及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域,尤其是一种设有石墨烯/金属纳米颗粒复合电极的太阳能电池,其从下至上依次包括衬底、电池层及顶电池窗口层,还包括分散在所述顶电池窗口层表面、并与所述顶电池窗口层成欧姆接触的金属纳米颗粒层,以及覆设于...
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激光器有源区、半导体激光器及其制作方法
本发明公开了一种半导体激光器有源区,所述有源区包括一多量子阱结构,所述多量子阱结构中势阱层的材料为InGaAsP,所述量子阱结构中势垒层的材料为InGaAlAs,所述多量子阱结构的周期数为K,K的范围是3~20,并且,本...
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倒装四结太阳电池及其制备方法
本发明提供一种倒装四结太阳电池及其制备方法,所述电池包括AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结及InGaAs底电池;GaAs子电池和InGaAsP子电...
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长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器及其制备方法
本发明公开了一种长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器,包括顺次连接的下限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层,其中,所述有源区采用GaNAsBi/GaAs多量子阱结构。本发明可降低激...
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半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法
本发明公开了一种半导体激光器有源区,所述有源区包括量子阱结构,所述量子阱结构中势阱层的材料为GaN<Sub>m</Sub>As<Sub>1-m-n</Sub>Bi<Sub>n</Sub>,所述量子阱结构中势垒层的材料为G...
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一种1300nm~1550nm含铋化物的半导体激光器及其制备方法
本发明公开了一种1300nm~1550nm含铋化物的半导体激光器,包括顺次连接的过渡层、下限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层,其有源区采用由GaNAsBi/GaAs材料体系制作的应变量子...
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一种倒装结构的激光光伏电池及其制作方法
本申请公开了一种倒装结构的激光光伏电池,所述的光伏电池包括第二绝缘衬底以及位于所述第二绝缘衬底上的外延层,所述的外延层包括依次形成于所述第二绝缘衬底上的正电极、P型导电层、P/N结电池、N型窗口层和N型接触层。本申请还公...
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