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赵勇明
作品数:
135
被引量:2
H指数:1
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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河北省自然科学基金
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董建荣
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
于淑珍
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
孙玉润
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
李奎龙
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
杨辉
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
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GaN薄膜材料TEM样品的制备
2008年
研究了采用机械研磨和离子减薄技术制备透射电镜用薄膜样品的方法,介绍了GaN截面TEM样品的制备,发展了供透射电子显微镜(TEM)分析用的"三明治"半导体样品制样技术,并利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜进行观测,获得了有关半导体GaN材料横截面的薄区图像,加以分析整理从而寻求到了一种透射电镜截面样品的最佳制备工艺。
陈雷英
陈贵锋
赵勇明
白云娜
马晓薇
李养贤
关键词:
氮化镓
透射电子显微镜
一种倒装结构的激光光伏电池及其制作方法
本申请公开了一种倒装结构的激光光伏电池,所述的光伏电池包括第二绝缘衬底以及位于所述第二绝缘衬底上的外延层,所述的外延层包括依次形成于所述第二绝缘衬底上的正电极、P型导电层、P/N结电池、N型窗口层和N型接触层。本申请还公...
赵春雨
董建荣
于淑珍
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李奎龙
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Si衬底三结级联太阳电池及其制作方法
本发明涉及光伏技术领域,尤其是指一种Si衬底三结级联太阳电池,包括按照远离Si衬底10的方向依次在Si衬底上生长的第一过渡层、GeSi底电池、第二过渡层、第一隧道结、GaAs中间电池、第二隧道结、GaInP顶电池、GaA...
赵勇明
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PNP结构的激光光伏电池及其制备方法
本申请公开了一种PNP结构的激光光伏电池,所述光伏电池包括依次形成于半绝缘衬底上反向P/N结、N型导电层、P/N结电池、P型窗口层和P型接触层,所述反向P/N结包括依次形成于所述半绝缘衬底上的P型层和N型层,所述P/N结...
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三结太阳电池及其制备方法
本发明提供了一种三结太阳电池,包括在GaAs衬底上依次连接的InGaAsN底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池,AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发明还提了一种...
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三结级联太阳能电池及其制备方法
本发明提供一种三结级联太阳能电池包括GaAs或Ge的衬底,以及在所述衬底上依次设置的第一渐变过渡层、InGaAs子电池、第二渐变过渡层、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、GaInP子电池和GaAs接触层。本发明还提...
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四结级联太阳能电池及其制备方法
本发明提供一种四结级联太阳能电池,包括依次设置的Ge底电池、第一隧道结、GaNAsBi子电池、第二隧道结、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池以及GaAs接触层;Ge底电池包括Ge衬底以及设置在Ge衬底上的Ge底...
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半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法
本发明公开了一种半导体激光器有源区,所述有源区包括量子阱结构,所述量子阱结构中势阱层的材料为GaN<Sub>m</Sub>As<Sub>1-m-n</Sub>Bi<Sub>n</Sub>,所述量子阱结构中势垒层的材料为G...
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GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池及其制备方法
本发明提供一种GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池,包括Ge衬底层,以及在所述Ge衬底层上依次设置的第一Ge子电池、第一隧穿结、第二Ge子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结、GaInP子电池和(In)...
赵勇明
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一种1300nm~1550nm含铋化物的半导体激光器的制备方法
本发明公开了一种1300nm~1550nm含铋化物的半导体激光器,包括顺次连接的过渡层、下限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层,其有源区采用由GaNAsBi/GaAs材料体系制作的应变量子...
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