庄严
- 作品数：7 被引量：26H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第七研究所更多>>
- 发文基金：广州市教育局科技计划项目广州市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- TiO_2系压敏陶瓷施主掺杂研究被引量：2
- 2006年
- 研究了Ta2O5和Nb2O5掺杂对TiO2系压敏陶瓷电性能的影响。采用电子陶瓷制备工艺,制备了两组TiO2系压敏陶瓷,借助热电子发射理论,分析了样品的I-V特性及介电频谱特性。结果发现,Ta2O5掺杂的样品具有最低的压敏电压(E10mA=5.03 V.mm–1)和最大的视在介电常数(εra=1.5×105)。
- 朱道云周方桥庄严
- 关键词：电子技术TIO2压敏陶瓷压敏电压
- 掺杂TiO<Sub>2</Sub>低压压敏陶瓷及制作方法
- 本发明公开了一种掺杂TiO<Sub>2</Sub>低压压敏陶瓷，其以分析纯TiO<Sub>2</Sub>为主体，以Ta<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>为半导化掺杂物，SrCO<Sub>3</Sub>为受...
- 周方桥梁鸿东朱道云丁志文庄严
- 文献传递
- 掺杂TiO<Sub>2</Sub>低压压敏陶瓷及制作方法
- 本发明公开了一种掺杂TiO<Sub>2</Sub>低压压敏陶瓷，其以分析纯TiO<Sub>2</Sub>为主体，以Ta<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>为半导化掺杂物，SrCO<Sub>3</Sub>为受...
- 周方桥梁鸿东朱道云丁志文庄严
- 文献传递
- ZnO压敏元件雷电流冲击试验残压波形分析被引量：9
- 2004年
- 研究了ZnO压敏元件在8/20 ms雷电波冲击试验时的残压波形。实验观察到残压波波前尖峰来源于所采用的放电回路触发元件——铜球间隙;在RLC回路临界点附近,随着冲击电流峰值的增大,残压波波尾从非振荡衰减过渡到大幅度的过零振荡;残压波峰值超前于电流波峰值,说明ZnO压敏元件在冲击电流作用下呈现出电感性,且放电电流越大,呈现的电感性越大;元件厚度越大,呈现的电感性也越大。
- 卢振亚杨凤金江涛庄严
- 关键词：电感性
- 微型直流电机电磁兼容TiO<Sub>2</Sub>陶瓷压敏元件
- 本实用新型公开了一种微型直流电机电磁兼容TiO<Sub>2</Sub>陶瓷压敏元件，包括环形的陶瓷片和陶瓷片两面的电极，其特征在于：所述的陶瓷片为由TiO<Sub>2</Sub>、Ta<Sub>2</Sub>O<Sub>...
- 周方桥梁鸿东朱道云丁志文庄严
- 文献传递
- 印刷电子学的发展被引量：15
- 2010年
- 综述了印刷电子学的发展及趋势,着重介绍了喷墨打印技术的新进展及其在印制电路板(PCB)和嵌入式无源元件中的应用,指出了目前印刷电子产品生产过程中尚待解决的问题,预测印刷电子电路(PEC)将是印刷电子学的未来发展方向。
- 庄严
- 关键词：喷墨打印
- 氧化热处理SrTiO_3压敏电阻的电容弥散频率
- 2006年
- 经测量氧化热处理后SrTiO3压敏电阻的电容频率和复阻抗,结果表明:升高热处理温度提高压敏电压时,电容弥散频率显著降低,晶粒电阻明显增大。由电容频谱曲线的主要特征判断,界面驰豫极化机制主导这一电容弥散区。界面驰豫方程确定的特征驰豫时间和电容弥散频率计算式,与晶粒和晶界的电物理参数相关,弥散频率的计算值与实验结果定性相符。热处理温度升高使氧过度向晶粒体内扩散,导致晶粒电阻明显增大,是弥散频率降低的主要原因。
- 陈志雄庄严李红耘丁志文熊西周
- 关键词：电子技术SRTIO3压敏电阻
