周方桥
- 作品数：32 被引量：91H指数：8
- 供职机构：广州大学更多>>
- 发文基金：广州市教育局科技计划项目广州市科技计划项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>
- 掺杂TiO<Sub>2</Sub>低压压敏陶瓷及制作方法
- 本发明公开了一种掺杂TiO<Sub>2</Sub>低压压敏陶瓷，其以分析纯TiO<Sub>2</Sub>为主体，以Ta<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>为半导化掺杂物，SrCO<Sub>3</Sub>为受...
- 周方桥梁鸿东朱道云丁志文庄严
- 文献传递
- (Ba,Sr)TiO_3系线性PTCR陶瓷的电性能研究被引量：4
- 2001年
- 通过对材料的复阻抗频谱、霍尔系数及零功率电阻 温度等电学特性的测试和分析 ,对 (Ba,Sr)TiO3系线性PTCR陶瓷进行了相关研究 .结果表明 :微量元素Sb的掺杂量对线性电阻 温度特性影响较大 ;晶粒体内的载流子浓度n大约只有 2 .83× 1 0 2 2 m-3;而晶界处的有效表面态密度ns 仅有 2 .3 5× 1 0 16 m-2 ;晶界势垒φ0 约为 0 .1 1eV ,这比常规的PTCR陶瓷的晶界势垒差不多小了一个量级 .这些很可能是决定该类材料具有较好线性电阻
- 周方桥吴国安陈志雄
- 关键词：PTCR陶瓷线性电阻温度特性电性能
- BaSnO_3陶瓷的制备及其电性能研究被引量：5
- 2006年
- 以BaCO3、SnO2为原料，微量SiO2、Bi2O3、Sb2O3作烧结助剂，Ta2O5作施主，采用传统的固相反应法，制备出相对密度迭97％。99％，平均粒径约为8μm的BaSnO3半导体陶瓷。采用Na2CO3或Li2CO3与Mn（NO3）2的组合作受主掺杂可有效增强BaSnO3陶瓷的晶界效应。当x（Mn（NO3）2）为1％时，BaSnO3陶瓷电阻率达3．3×10^6Ω·cm，晶粒电阻率为4．3Ω·cm,视在介电常数为1．9Х10^4（1kHz），经电导激活能测试，估算出晶界势垒约为0．5eV。
- 王正宇周方桥陈志雄
- 关键词：无机非金属材料电性能
- BaTiO<,3>薄膜的Sol-Gel制备工艺及性能
- 利用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在Pt/Ti/Si(100)衬底上制备了BaTiO<,3>薄膜,研究了不同退火条件下BaTiO<,3>薄膜的晶相结构及表面形貌,测试了BaTiO<,3>薄膜的电学性能.发现经900℃、1...
- 梁鸿东周方桥
- 关键词：溶胶-凝胶法弥散相变
- 文献传递
- YBa_2Cu_3O_(7-x)高温超导薄膜在转变温区光响应机理研究被引量：1
- 1992年
- 自从1986年发现高温氧化物超导体以来,超导材料在液氮温区的实用成为可能,超导应用的一个重要领域是制备超导光学探测器件。这种器件无论以测辐射热还是以约瑟夫逊结模式,都具有响应波段宽(从可见光到毫米波)、噪声小、功耗低等优异性能。由于YBa_2Cu_3O_(7-x)高温氧化物超导材料的结构特性不同于低温超导体。
- 郝建华周方桥赵兴荣孙汉东王玲杰易新建
- 关键词：高TC超导体YBACUO光响应
- (Sr^(2+),Bi^(3+),Si^(4+),Ta^(5+))掺杂的TiO_2压敏陶瓷中Ta^(5+)的研究被引量：9
- 2005年
- 研究Ta2 O5对 (Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2 基压敏陶瓷压敏特性及电容特性的影响 ,发现按配方TiO2+0 .3%(SrCO3+Bi2 O3+SiO2 ) +0 .1 %Ta2 O5配制的样品具有最低压敏电压 (E1 0mA =1 .2V·mm- 1 )、最大相对介电常数 (εra=2 .0 0 2× 1 0 5)及较小非线性系数 (α =2 .6 )。考虑到材料的低压敏电压和大介电常数的要求 ,Ta2 O5最佳掺杂量在 0 .0 85mol%与 0 .1mol%之间。
- 孟凡明胡素梅傅刚周方桥
- 关键词：压敏电压介电常数
- Mn掺杂对BaSnO_3陶瓷的NTC特性的影响被引量：9
- 2006年
- 以BaCO3和SnO2为主要原料，以Mn为受主掺杂，再掺入其它微量的烧结助剂和施受主杂质，用固相法制备出具有NTC特性的BaSnO3陶瓷。在30-190℃的测试温区内，x（Mn）为1．0％～1．8％的掺杂BaSnO3陶瓷材料，其电阻-温度特性呈现良好的线性关系；B值和电阻随着Mn掺杂量的增加而变大，B值的变化范围为5200-6100K；30℃时样品的电阻率变化范围为1.16×10^6～1.11×10^7Ω·cm。
- 王肖燕周方桥王正宇
- 关键词：电子技术NTCMN掺杂
- 改善SrTiO<,3>复合功能陶瓷介电频率特性的研究
- 周方桥陈志雄梁鸿东丁志文牛丽霞熊伟华
- 1、证实了经二次热氧化工艺制备的钛酸锶环形压敏电阻元件，具有表面扩散氧化层结构，属于典型的表面层型元件，并建立了该类器件的电传导模型。2、调查了不同产家相关产品的介电频率特性，证实了国产产品的介电频率特性较差，表现在低于...
- 关键词：
- 掺杂TiO<Sub>2</Sub>低压压敏陶瓷及制作方法
- 本发明公开了一种掺杂TiO<Sub>2</Sub>低压压敏陶瓷，其以分析纯TiO<Sub>2</Sub>为主体，以Ta<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>为半导化掺杂物，SrCO<Sub>3</Sub>为受...
- 周方桥梁鸿东朱道云丁志文庄严
- 文献传递
- BaSnO_3陶瓷结构及电性能的研究
- 2005年
- 以BaCO3,SnO2为原料、微量Si O2,Bi2O3,Sb2O3作助烧剂、Ta2O5作施主,采用传统的固相反应法,制备出了相对密度达97%～99%,平均粒径约为8μm的BaSnO3半导体陶瓷.采用Na2CO3和Mn(NO3)2组合作受主掺杂,可有效地增强BaSnO3陶瓷的晶界效应.结果表明Na2CO3和Mn(NO3)2复合掺杂,可以使BaSnO3陶瓷的电阻率显著增大,且晶界电阻远远大于晶粒电阻;Mn(NO3)2掺杂为1mol的BaSnO3陶瓷,电阻率达3.3×106Ωcm,晶粒电阻率为4.3Ωcm,经电导激活能测试,估算出其晶界势垒约为0.5eV.
- 王正宇周方桥陈志雄
- 关键词：晶粒晶界电性能
