田书凤
- 作品数：3 被引量：11H指数：1
- 供职机构：河北大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 高k值HfO_2栅介质材料电学特性的研究进展被引量：11
- 2007年
- 随着Si-MOS集成电路的迅速发展,高k值栅介质材料将成为下一代MOS器件绝缘栅最有希望的候选材料。介绍了近年来HfO2栅介质材料在制备方法和电学特性方面的研究进展,提出了改善其电学特性的主要途径,其中包括非金属元素掺杂、构建组分渐变界面、设计准二元合金系统、制备堆垛积层结构、抑制界面层生长和选择适宜的电极材料等。
- 田书凤彭英才范志东张弘
- 关键词：高介电常数HFO2栅介质电学特性
- 硅集成电路工艺原理多媒体教材的设计与实现
- 作为面向21世纪高等教育的一种教学手段,多媒体辅助教学对培养高素质的专业人才具有重要的意义。在高等工科院校电子科学与技术专业的本科教学中,《硅集成电路工艺原理》是一门重点讲述硅集成电路工艺的物理基础和基本原理的专业课程,...
- 田书凤
- 关键词：集成电路工艺计算机辅助教学多媒体课件DREAMWEAVER
- 文献传递
- 超薄层SiO_xN_y栅介质薄膜的制备与研究进展
- 2005年
- 在0.1μm级的Si_CMOS器件及其集成电路中,作为替代传统SiO2栅介质的首选材料,超薄SiOxNy膜已被广泛研究和应用.本文介绍了近几年SiOxNy栅介质制备技术的研究进展,讨论了各种方法的优缺点,并展望了SiOxNy栅介质制备技术的未来发展趋势.
- 张弘范志东田书凤彭英才
- 关键词：等离子体氮化化学气相沉积
