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张弘

作品数:5 被引量:13H指数:2
供职机构:河北大学更多>>
发文基金:河北省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信经济管理理学更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇栅介质
  • 1篇氮化
  • 1篇等离子
  • 1篇等离子体氮化
  • 1篇栅介质材料
  • 1篇退火
  • 1篇农村
  • 1篇农村经济
  • 1篇农业
  • 1篇农业现代化
  • 1篇农业转型
  • 1篇气相沉积
  • 1篇热退火
  • 1篇结构特征
  • 1篇介电
  • 1篇介电常数
  • 1篇介质
  • 1篇化学气相

机构

  • 5篇河北大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇燕山大学

作者

  • 5篇张弘
  • 3篇彭英才
  • 2篇范志东
  • 2篇田书凤
  • 1篇杜会静
  • 1篇李社强

传媒

  • 1篇河北大学学报...
  • 1篇材料导报
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
高k值HfO_2栅介质材料电学特性的研究进展被引量:11
2007年
随着Si-MOS集成电路的迅速发展,高k值栅介质材料将成为下一代MOS器件绝缘栅最有希望的候选材料。介绍了近年来HfO2栅介质材料在制备方法和电学特性方面的研究进展,提出了改善其电学特性的主要途径,其中包括非金属元素掺杂、构建组分渐变界面、设计准二元合金系统、制备堆垛积层结构、抑制界面层生长和选择适宜的电极材料等。
田书凤彭英才范志东张弘
关键词:高介电常数HFO2栅介质电学特性
超薄SiOxNy膜的制备与结构特性研究
本工作采用热氮化和热退火工艺,分别在NO和NH气氛中制备了薄至几个纳米的SiON薄膜。利用α—台阶仪测量了SiON薄膜的厚度,实验研究了Si衬底晶向、氮化温度、生长时间和氮化气氛对SiON薄膜厚度的影响,定性地讨论了热氮...
张弘
关键词:结构特征MOS结构电学特性
文献传递
超薄层SiO_xN_y栅介质薄膜的制备与研究进展
2005年
在0.1μm级的Si_CMOS器件及其集成电路中,作为替代传统SiO2栅介质的首选材料,超薄SiOxNy膜已被广泛研究和应用.本文介绍了近几年SiOxNy栅介质制备技术的研究进展,讨论了各种方法的优缺点,并展望了SiOxNy栅介质制备技术的未来发展趋势.
张弘范志东田书凤彭英才
关键词:等离子体氮化化学气相沉积
湖南省传统农业向现代农业转型路径研究
农业是人类社会最基本的物质生产部门,发挥稳天下、安民生的作用。随着全球经济的发展和世界人口增长,传统农业生产发展面临着增产、提高质量等多方面的压力。在当前经济社会条件下,现代农业代表了农业发展的最新阶段和最高境界。新世纪...
张弘
关键词:农村经济农业现代化
文献传递
Si光子学研究的最新进展
2005年
介绍了近年内以全Si光电子集成为主要目标的Si光子学研究在各类Si光子器件,如发光二极管、激光器、光探测器、光调制器以及光子晶体等方面所取得的一些最新进展,预计全Si光电子集成技术有望在未来10年内得到突破性的进展。
彭英才杜会静李社强张弘
共1页<1>
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