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许斌宗

作品数:11 被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇光栅
  • 5篇探测器
  • 5篇金属光栅
  • 4篇等离子体
  • 3篇亚波长
  • 3篇亚波长光栅
  • 3篇量子阱红外探...
  • 3篇局域
  • 3篇红外
  • 3篇红外探测
  • 3篇红外探测器
  • 3篇波长
  • 3篇INGAAS
  • 2篇调制深度
  • 2篇液晶光开关
  • 2篇透射
  • 2篇透射谱
  • 2篇透射特性
  • 2篇量子阱结构
  • 2篇灵敏度

机构

  • 11篇中国科学院

作者

  • 11篇宋国峰
  • 11篇许斌宗
  • 11篇刘杰涛
  • 7篇徐云
  • 6篇韦欣
  • 6篇付东
  • 5篇胡海峰
  • 2篇王立娜
  • 2篇王青
  • 1篇耿红艳
  • 1篇周州

传媒

  • 1篇红外与激光工...

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 5篇2014
  • 2篇2013
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器
本发明提供了一种基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器。该InGaAs光探测器包括:半导体衬底,其两面抛光;依次沉积于半导体衬底上表面的缓冲层、下掺杂层、吸收层、上掺杂层;形成于上掺杂层上的金属光栅层,该金属...
宋国峰许斌宗韦欣刘杰涛相春平付东徐云
文献传递
基于一维光子晶体结构的液晶光开关
本发明公开了一种基于一维光子晶体结构的液晶光开关,该液晶光开关包括输入光波导、一维光子晶体光栅薄膜结构和输出光波导,其中:输入光波导用于将入射光引入到一维光子晶体光栅薄膜结构中;一维光子晶体光栅薄膜结构用于通过调控整体一...
宋国峰相春平许斌宗刘杰涛付东
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InGaAs红外光探测器
本发明提供了一种InGaAs红外光探测器。该InGaAs红外光探测器包括:半导体衬底,其两面抛光;依次沉积于半导体衬底上表面的下掺杂层、吸收层、上掺杂层、金属光栅层;其中:吸收层为本征掺杂或低浓度掺杂的InGaAs材料;...
韦欣许斌宗宋国峰刘杰涛徐云相春平付东
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周期阵列的局域等离子体共振传感器
一种周期阵列的局域等离子体共振传感器,包括:一衬底;多个传感器单元,其排布在衬底的表面,组成周期阵列结构。本发明,具有传感高灵敏度,窄共振线宽,高信号调制深度,大范围探测角度容忍度的优点。
宋国峰刘杰涛许斌宗胡海峰王立娜
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基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器
本发明提供了一种基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器。该InGaAs光探测器包括:半导体衬底,其两面抛光;依次沉积于半导体衬底上表面的缓冲层、下掺杂层、吸收层、上掺杂层;形成于上掺杂层上的金属光栅层,该金属...
宋国峰许斌宗韦欣刘杰涛相春平付东徐云
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一种双色量子阱红外光探测器
本发明公开了一种基于表面等离子体和光栅散射效应的双色量子阱红外探测器,其包括一层半导体衬底层;一位于所述衬底上的缓冲层;一位于所述缓冲层上的下接触层,且该层连接探测器的下电极;一位于所述下接触层上的第一量子阱层;一位于所...
宋国峰许斌宗刘杰涛胡海峰韦欣王青徐云
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一种双色量子阱红外光探测器
本发明公开了一种基于表面等离子体和光栅散射效应的双色量子阱红外探测器,其包括一层半导体衬底层;一位于所述衬底上的缓冲层;一位于所述缓冲层上的下接触层,且该层连接探测器的下电极;一位于所述下接触层上的第一量子阱层;一位于所...
宋国峰许斌宗刘杰涛胡海峰韦欣王青徐云
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量子阱红外探测器双面金属光栅设计优化被引量:1
2014年
提出了一种增强量子阱红外探测器耦合效率的双面金属光栅结构。采用三维时域有限差分算法(3D-FDTD)对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器双面结构金属光栅进行了仿真分析。通过对比不同周期、占空比、金属层厚度结构参数下探测器的电场分布及相对耦合效率,确定了4.8μm探测器优化的双面金属光栅结构。与顶部和底部单层金属光栅结构比较,双面金属光栅结构探测器相对耦合效率提高到3倍以上。探测器相对耦合效率随光栅周期变化的双峰曲线特性体现了双面金属光栅结构在双色量子阱红外探测器光耦合方面的潜力。同时该结构还可以应用于单色、双色及多色量子阱焦平面红外探测器。
周州耿红艳刘杰涛许斌宗胡海峰宋国峰徐云
关键词:金属光栅量子阱红外探测器
InGaAs红外光探测器
本发明提供了一种InGaAs红外光探测器。该InGaAs红外光探测器包括:半导体衬底,其两面抛光;依次沉积于半导体衬底上表面的下掺杂层、吸收层、上掺杂层、金属光栅层;其中:吸收层为本征掺杂或低浓度掺杂的InGaAs材料;...
韦欣许斌宗宋国峰刘杰涛徐云相春平付东
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基于一维光子晶体结构的液晶光开关
本发明公开了一种基于一维光子晶体结构的液晶光开关,该液晶光开关包括输入光波导、一维光子晶体光栅薄膜结构和输出光波导,其中:输入光波导用于将入射光引入到一维光子晶体光栅薄膜结构中;一维光子晶体光栅薄膜结构用于通过调控整体一...
宋国峰相春平许斌宗刘杰涛付东
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共2页<12>
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