2024年8月21日
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付东
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13
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供职机构:
中国科学院半导体研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
宋国峰
中国科学院半导体研究所
徐云
中国科学院半导体研究所
刘杰涛
中国科学院半导体研究所
许斌宗
中国科学院半导体研究所
韦欣
中国科学院半导体研究所
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中国科学院
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宋国峰
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付东
8篇
徐云
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韦欣
6篇
许斌宗
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刘杰涛
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李健
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江宇
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朱海军
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祝希
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年份
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2017
3篇
2016
1篇
2015
3篇
2014
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表面等离子体调制的倒装VCSEL激光器及其制造方法
本发明公开了一种表面等离子体调制倒装VCSEL激光器的制造方法,包括:(1)外延片准备;(2)台面制备;(3)湿法氧化;(4)P面生长SiO<Sub>2</Sub>;(5)制作隔离窗口;(6)P面制作电极;(7)N面减薄...
宋国峰
祝希
李康文
付东
具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法
一种具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法,该制备方法包括以下步骤:在衬底上分子束外延生长形成一吸收增强层;在吸收增强层的上表面分子束外延生长形成一吸收层,吸收层为N结构II类超晶格结构;完成具有吸收增强结...
宋国峰
吴浩越
李健
江宇
于海龙
付东
徐云
朱海军
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一种基于表面等离子效应的InGaAs红外偏振探测器
本发明公开了一种基于表面等离子效应的InGaAs红外偏振探测器包括:衬底和在所述衬底自下而上依次沉积的下掺杂层、吸收层、上掺杂层和金属光栅层,所述金属光栅层为二维周期性亚波长非对称结构光栅,用于接收入射光波;所述吸收层用...
韦欣
王文博
付东
胡晓斌
李健
宋国峰
文献传递
基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器
本发明提供了一种基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器。该InGaAs光探测器包括:半导体衬底,其两面抛光;依次沉积于半导体衬底上表面的缓冲层、下掺杂层、吸收层、上掺杂层;形成于上掺杂层上的金属光栅层,该金属...
宋国峰
许斌宗
韦欣
刘杰涛
相春平
付东
徐云
文献传递
表面等离子体调制的倒装VCSEL激光器及其制造方法
本发明公开了一种表面等离子体调制倒装VCSEL激光器的制造方法,包括:(1)外延片准备;(2)台面制备;(3)湿法氧化;(4)P面生长SiO<Sub>2</Sub>;(5)制作隔离窗口;(6)P面制作电极;(7)N面减薄...
宋国峰
祝希
李康文
付东
文献传递
InGaAs红外光探测器
本发明提供了一种InGaAs红外光探测器。该InGaAs红外光探测器包括:半导体衬底,其两面抛光;依次沉积于半导体衬底上表面的下掺杂层、吸收层、上掺杂层、金属光栅层;其中:吸收层为本征掺杂或低浓度掺杂的InGaAs材料;...
韦欣
许斌宗
宋国峰
刘杰涛
徐云
相春平
付东
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基于一维光子晶体结构的液晶光开关
本发明公开了一种基于一维光子晶体结构的液晶光开关,该液晶光开关包括输入光波导、一维光子晶体光栅薄膜结构和输出光波导,其中:输入光波导用于将入射光引入到一维光子晶体光栅薄膜结构中;一维光子晶体光栅薄膜结构用于通过调控整体一...
宋国峰
相春平
许斌宗
刘杰涛
付东
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基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器
本发明提供了一种基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器。该InGaAs光探测器包括:半导体衬底,其两面抛光;依次沉积于半导体衬底上表面的缓冲层、下掺杂层、吸收层、上掺杂层;形成于上掺杂层上的金属光栅层,该金属...
宋国峰
许斌宗
韦欣
刘杰涛
相春平
付东
徐云
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用于表面增强相干反斯托克斯拉曼散射的纳米结构
本发明公开了一种能够实现表面增强相干反斯托克斯拉曼散射(SECARS)的纳米结构,该结构包括:衬底层1和非对称的盘环耦合的Au纳米阵列2。非对称的盘环耦合的Au纳米阵列2的每个单元包含一个直径为200nm,高40nm的A...
宋国峰
张祖银
徐云
付东
宋玉志
宋甲坤
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基于一维光子晶体结构的液晶光开关
本发明公开了一种基于一维光子晶体结构的液晶光开关,该液晶光开关包括输入光波导、一维光子晶体光栅薄膜结构和输出光波导,其中:输入光波导用于将入射光引入到一维光子晶体光栅薄膜结构中;一维光子晶体光栅薄膜结构用于通过调控整体一...
宋国峰
相春平
许斌宗
刘杰涛
付东
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