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文献类型

  • 13篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇探测器
  • 5篇金属光栅
  • 5篇光栅
  • 3篇等离子体
  • 3篇表面等离子体
  • 3篇掺杂
  • 3篇INGAAS
  • 2篇倒装
  • 2篇调制
  • 2篇亚波长
  • 2篇亚波长光栅
  • 2篇液晶光开关
  • 2篇透射
  • 2篇透射谱
  • 2篇透射特性
  • 2篇腔面
  • 2篇量子效率
  • 2篇面发射
  • 2篇面发射激光器
  • 2篇晶格

机构

  • 13篇中国科学院

作者

  • 13篇宋国峰
  • 13篇付东
  • 8篇徐云
  • 6篇韦欣
  • 6篇许斌宗
  • 6篇刘杰涛
  • 4篇李健
  • 3篇江宇
  • 2篇朱海军
  • 2篇李康文
  • 2篇祝希
  • 2篇于海龙
  • 1篇陈良惠
  • 1篇宋玉志

年份

  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
表面等离子体调制的倒装VCSEL激光器及其制造方法
本发明公开了一种表面等离子体调制倒装VCSEL激光器的制造方法,包括:(1)外延片准备;(2)台面制备;(3)湿法氧化;(4)P面生长SiO<Sub>2</Sub>;(5)制作隔离窗口;(6)P面制作电极;(7)N面减薄...
宋国峰祝希李康文付东
具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法
一种具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法,该制备方法包括以下步骤:在衬底上分子束外延生长形成一吸收增强层;在吸收增强层的上表面分子束外延生长形成一吸收层,吸收层为N结构II类超晶格结构;完成具有吸收增强结...
宋国峰吴浩越李健江宇于海龙付东徐云朱海军
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一种基于表面等离子效应的InGaAs红外偏振探测器
本发明公开了一种基于表面等离子效应的InGaAs红外偏振探测器包括:衬底和在所述衬底自下而上依次沉积的下掺杂层、吸收层、上掺杂层和金属光栅层,所述金属光栅层为二维周期性亚波长非对称结构光栅,用于接收入射光波;所述吸收层用...
韦欣王文博付东胡晓斌李健宋国峰
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基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器
本发明提供了一种基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器。该InGaAs光探测器包括:半导体衬底,其两面抛光;依次沉积于半导体衬底上表面的缓冲层、下掺杂层、吸收层、上掺杂层;形成于上掺杂层上的金属光栅层,该金属...
宋国峰许斌宗韦欣刘杰涛相春平付东徐云
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表面等离子体调制的倒装VCSEL激光器及其制造方法
本发明公开了一种表面等离子体调制倒装VCSEL激光器的制造方法,包括:(1)外延片准备;(2)台面制备;(3)湿法氧化;(4)P面生长SiO<Sub>2</Sub>;(5)制作隔离窗口;(6)P面制作电极;(7)N面减薄...
宋国峰祝希李康文付东
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InGaAs红外光探测器
本发明提供了一种InGaAs红外光探测器。该InGaAs红外光探测器包括:半导体衬底,其两面抛光;依次沉积于半导体衬底上表面的下掺杂层、吸收层、上掺杂层、金属光栅层;其中:吸收层为本征掺杂或低浓度掺杂的InGaAs材料;...
韦欣许斌宗宋国峰刘杰涛徐云相春平付东
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基于一维光子晶体结构的液晶光开关
本发明公开了一种基于一维光子晶体结构的液晶光开关,该液晶光开关包括输入光波导、一维光子晶体光栅薄膜结构和输出光波导,其中:输入光波导用于将入射光引入到一维光子晶体光栅薄膜结构中;一维光子晶体光栅薄膜结构用于通过调控整体一...
宋国峰相春平许斌宗刘杰涛付东
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基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器
本发明提供了一种基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器。该InGaAs光探测器包括:半导体衬底,其两面抛光;依次沉积于半导体衬底上表面的缓冲层、下掺杂层、吸收层、上掺杂层;形成于上掺杂层上的金属光栅层,该金属...
宋国峰许斌宗韦欣刘杰涛相春平付东徐云
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用于表面增强相干反斯托克斯拉曼散射的纳米结构
本发明公开了一种能够实现表面增强相干反斯托克斯拉曼散射(SECARS)的纳米结构,该结构包括:衬底层1和非对称的盘环耦合的Au纳米阵列2。非对称的盘环耦合的Au纳米阵列2的每个单元包含一个直径为200nm,高40nm的A...
宋国峰张祖银徐云付东宋玉志宋甲坤
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基于一维光子晶体结构的液晶光开关
本发明公开了一种基于一维光子晶体结构的液晶光开关,该液晶光开关包括输入光波导、一维光子晶体光栅薄膜结构和输出光波导,其中:输入光波导用于将入射光引入到一维光子晶体光栅薄膜结构中;一维光子晶体光栅薄膜结构用于通过调控整体一...
宋国峰相春平许斌宗刘杰涛付东
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共2页<12>
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