您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇低功耗
  • 1篇电路
  • 1篇电路设计
  • 1篇振荡器
  • 1篇振荡器电路
  • 1篇外延层
  • 1篇功耗
  • 1篇RC振荡器
  • 1篇CMOS
  • 1篇IN0
  • 1篇MOCVD生...

机构

  • 2篇电子科技大学
  • 1篇专用集成电路...

作者

  • 2篇周伟
  • 2篇李祥
  • 1篇夏素静
  • 1篇唐武
  • 1篇阳杰
  • 1篇冯志红

传媒

  • 1篇物联网技术
  • 1篇2011’全...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种结构简单的低功耗振荡器电路设计
2012年
给出了一种结构简单的低功耗振荡器电路的设计方法,该电路由RC充放电回路、偏置电路组成。与传统振荡器电路相比,该电路具有精度高、电路结构简单以及输出占空比可调等优点。采用0.35μmBCD工艺并利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行仿真,结果表明,在5V工作电压下,电路起振速度快,输出波形稳定,平均功耗仅0.29mW。
李祥周伟
关键词:振荡器电路低功耗RC振荡器CMOS
自然氧化对MOCVD生长的IN0.13AL0.87N外延层表面电子特性的影响(摘要)
  在富AL的IN0.13AL0.87N外延层,由于ALN对O的亲和性较高,在ALN材料表面会形成氧化层.这会对材料的物理特性产生很大影响.氧化层的形成也可能会改变电子结构.早期的研究发现,当GAN置于空气中,表面形成的...
周伟夏素静李祥阳杰唐武冯志红
文献传递网络资源链接
共1页<1>
聚类工具0