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夏素静

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信环境科学与工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇IN0
  • 2篇异质结
  • 2篇热氧化
  • 2篇GAN异质结...
  • 1篇氮化镓
  • 1篇电源
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇外延层
  • 1篇铝含量
  • 1篇拉曼
  • 1篇功率
  • 1篇光电子能谱
  • 1篇二维电子
  • 1篇二维电子气
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇变频
  • 1篇变频电源
  • 1篇变频技术

机构

  • 4篇电子科技大学
  • 1篇专用集成电路...

作者

  • 4篇夏素静
  • 2篇周伟
  • 1篇唐武
  • 1篇阳杰
  • 1篇沈其松
  • 1篇冯志红
  • 1篇李祥

传媒

  • 1篇电子元器件应...
  • 1篇2011’全...

年份

  • 2篇2012
  • 2篇2011
共 5 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
自然氧化对MOCVD生长的IN0.13AL0.87N外延层表面电子特性的影响(摘要)
　　在富AL的IN0.13AL0.87N外延层，由于ALN对O的亲和性较高，在ALN材料表面会形成氧化层.这会对材料的物理特性产生很大影响.氧化层的形成也可能会改变电子结构.早期的研究发现，当GAN置于空气中，表面形成的...
周伟夏素静李祥阳杰唐武冯志红
文献传递网络资源链接
小功率三相变频电源的设计
2011年
文中基于单片机控制技术,用功率MOS晶体管构成功率输出级,设计了一个三相变频电源,实现从直流到交流的变换。该电源不但转换效率较高,并且三相交流电输出的频率以及电压等参数均可灵活调节,可以应用到需要小功率三相变频电源的场合。
沈其松夏素静周伟
关键词：变频技术
In0.17Al0.83N/GaN异质结构热氧化的特性研究
具有InAlN结构的GaN基器件,由于其良好的物理和化学性质,特别适合应用于高温高压大功率微波器件。而具有InAlN结构的GaN基MIS器件,大大降低了传统InAlN/GaN HEMTs的栅泄露电流,能有效抑制电流崩塌效...
夏素静
关键词：热氧化X射线光电子能谱拉曼二维电子气
文献传递
In0.17Al0.83N/GaN异质结构热氧化特性的研究
具有InAlN结构的GaN基器件，由于其良好的物理和化学性质，特别适合应用于高温高压大功率微波器件。而具有InAlN结构的GaN基MIS器件，大大降低了传统InAlN/GaN HEMTs的栅泄露电流，能有效抑制电流崩塌效...
夏素静
关键词：半导体材料氮化镓铝含量
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