闫锐
- 作品数：15 被引量：17H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 光刻掩膜版图层排布方法、装置、设备及介质
- 本申请提供了光刻掩膜版图层排布方法、装置、设备及介质，该方法包括：获取多个待排布的图层、每个待排布图层的尺寸和光刻掩膜版的尺寸；对多个待排布的图层进行排序，得到排序结果；基于每个待排布图层的尺寸、光刻掩膜版的尺寸和排序结...
- 张文兰闫锐张倩付兴中张力江解涛王敏杨双龙付越东张丹青丁现朋李庆伟崔玉兴
- 宽带GaN单片功率放大器研究
- 2010年
- 基于GaN HEMT器件在微波功率方面的优越性能,设计并实现了宽带GaN单片功率放大器。简述了AlGaN/GaN异质结构的优势以及现状,同时结合热分析的方法给出了所选GaNHEMT器件的基本尺寸和性能,并采用ICCAP提取了合适的大信号模型,通过器件性能优选拓扑结构,最终运用宽带匹配的方法并结合较先进的仿真软件设计了一款GaN宽带单片功率放大器。测试结果表明,单片放大器脉冲工作方式下在2~7 GHz频带内,小信号增益G〉18 dB,输入回损〈-10 dB,脉冲饱和输出功率Po〉5 W,功率增益GP〉15 dB,典型功率附加效率25%（测试条件为脉宽100μs,占空比10%）。GaN HEMT器件具有较高的功率密度和良好的宽带特点。
- 王会智闫锐刘波冯志红何庆国蔡树军
- 关键词：ALGAN/GAN宽带单片放大器
- 高性能SiC整流二极管研究被引量：2
- 2010年
- 在n型4H-SiC单晶导电衬底上制备了具有MPS(merged p-i-n Schottky diode)结构和JTE(junction termination extension)结构的肖特基势垒二极管。通过高温离子注入及相应的退火工艺,进行了区域性p型掺杂,形成了高真空电子束蒸发Ni/Pt/Au复合金属制备肖特基接触,衬底溅射Ti W/Au并合金做欧姆接触,采用场板和JTE技术减小高压电场集边效应。该器件具有良好的正向整流特性和较高的反向击穿电压。反向击穿电压可以达到1300V,开启电压约为0.7V,理想因子为1.15,肖特基势垒高度为0.93eV,正向电压3.0V时,电流密度可以达到700A/cm2。
- 杨霏商庆杰李亚丽闫锐默江辉潘宏菽李佳刘波冯志红付兴昌何庆国蔡树军杨克武
- 关键词：击穿电压肖特基接触欧姆接触场板
- SiC肖特基势垒二极管的反向特性被引量：2
- 2010年
- 在n型4H-SiC衬底上的n型同质外延层的Si面制备了纵向肖特基势垒二极管(SBD),研究了场板、场限环及其复合结构等不同终端截止结构对于反向阻断电压与反向泄漏电流的影响。场板(FP)结构有利于提高反向阻断电压,减小反向泄漏电流。当场板长度从5μm变化到25μm,反向阻断电压随着场板长度的增加而增加。SiO2厚度对于反向阻断电压有重要的影响,当厚度为0.5μm,即大约为外延层厚度的1/20时,可以得到较大的反向阻断电压。当场限环的离子注入区域宽度从10μm变化到70μm,反向阻断电压也随之增加。FLR和FP复合结构对于改善反向阻断电压以及反向泄漏电流都有作用,同时反向阻断电压对于场板长度不再敏感。采用复合结构,在10μA反向泄漏电流下最高阻断电压达到1 300V。讨论了离子注入剂量对于反向阻断电压的影响,注入离子剂量和反向电压的关系表明SBD结构不同于传统PIN结构的要求。当采用大约为150%理想剂量的注入剂量时才可达到最高的反向阻断电压而不是其他报道的75%理想剂量,此时的注入剂量远高于PIN结构器件所需的注入剂量。
- 杨霏闫锐陈昊张有润彭明明商庆杰李亚丽张雄文潘宏菽杨克武蔡树军
- 关键词：碳化硅肖特基势垒二极管场限环场板离子注入
- 碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法及碳化硅器件
- 本发明提供了一种碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法及碳化硅器件，属于半导体器件制备领域，包括：对碳化硅圆片进行清洗；在碳化硅圆片表面淀积一层介质；光刻定义P型掺杂区域；对需要P型掺杂的区域进行离子注入，并去除光刻胶；光刻...
- 刘相伍谭永亮周国闫锐崔玉兴
- 文献传递
- SiC材料的ICP-RIE浅槽刻蚀工艺被引量：1
- 2014年
- 介绍了用于SiC器件浅槽制作的ICP-RIE刻蚀原理,选用Cl2/Ar混合气体对SiC材料进行浅槽刻蚀,研究了ICP功率和RIE功率对刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角的影响,得到了刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角随刻蚀功率的变化规律。最终得到了用于SiC器件浅槽刻蚀的最优刻蚀条件。实验结果表明,RIE功率和ICP最优功率配比分别为12和500 W。该刻蚀条件应用于SiC MESFET制备中,进行了多凹槽栅结构的浅槽刻蚀,实现了多凹槽栅结构。不同深度栅凹槽的片内均匀性均达到了4%以内,片间均匀性也达到了5%,工艺稳定性及均匀性均达到了批量生产要求。
- 闫锐李亮默江辉崔玉兴付兴昌
- 4H-SiC SBD和JBS退火研究被引量：4
- 2009年
- 在4H-SiC外延材料上制备了SBD和JBS器件,研究并分析了退火温度对这两种器件正反向特性的影响。结果表明,低于350℃退火可同时提高SBD和JBS的正反向特性。当退火温度高于350℃时,二者的正向特性都出现退化,SBD退化较JBS更为严重。JBS阻断电压随退火温度升高而增大,在退火温度高于450℃时增加趋势变缓。SBD阻断电压随退火温度升高先升后降,在500℃退火时达到一个最大值。可见一定程度的退火有助于提高4H-SiCSBD和JBS器件的正反向特性,但须考虑其对正反向特性的不同影响。综合而言,退火优化后JBS优于SBD器件性能。
- 闫锐杨霏陈昊彭明明潘宏菽
- 关键词：4H-SIC肖特基势垒二极管退火
- 等平面化SiC MESFET的研制被引量：2
- 2008年
- 在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨导提高1.5mS/mm。2GHz下测试,微波功率附加效率提高10%左右,增益平均提高了2dB,在VDS=60V的条件下单管功率输出达到了86.5W。经过内匹配和功率合成研制成大功率的SiC脉冲功率管的综合性能较好,在250W的输出功率下,器件仍然保持高达10.5dB的高增益,功率附加效率30%。台阶仪和扫描电镜观测表明,台阶高度已经大大降低,侧壁得到了钝化,尖锐突起和凹坑都已经变得平缓。
- 杨霏陈昊潘宏菽默江辉商庆杰李亮闫锐冯震杨克武蔡树军姚素英
- 关键词：高增益功率附加效率大功率
- 一种碳化硅器件制备的平坦化及侧壁钝化工艺
- 本发明公开了一种碳化硅器件制备的平坦化及侧壁钝化工艺，即在碳化硅器件制备过程中减小器件表面台阶高度，平滑器件表面的尖角、凹槽，并且使侧壁钝化的工艺，该工艺通过采用在碳化硅器件表面和侧面普遍生长介质材料薄膜的方法使侧壁钝化...
- 潘宏菽杨霏商庆杰陈昊冯震彭明明秘瑕李亮闫锐蔡树军杨克武
- 文献传递
- L波段GaN HEMT器件的研制被引量：3
- 2014年
- 基于标准工艺自主研制了L波段0．5μm栅长的GaNHEMT器件。该器件采用了利用MOCVD技术在3英寸（1英寸=2．54cm）SiC衬底上生长的A1GaN／GaN异质结外延材料，通过欧姆接触工艺的改进将欧姆接触电阻值控制在了0．4Ω·mm以内，采用场板技术提高了器件击穿电压，采用高选择比的刻蚀工艺得到了一定倾角的通孔，提高了器件的散热能力及增益。结果表明，采用该技术研制的两胞内匹配GaNHEMT器件在工作频率1．5～1．6GHz下，实现了输出功率大于66W、功率增益大于15．2dB、功率附加效率大于62．2％。
- 闫锐银军崔玉兴张力江付兴昌高学邦吴洪江蔡树军杨克武
- 关键词：GAN内匹配L波段功率
