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陈昊: 作品数：32 被引量：40H指数：5; 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>; 发文基金：国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划国防科技重点实验室基金更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

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SiC MESFET工艺技术研究与器件研制被引量：9: 2009年; 针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干氧的氧化方式生长的SiO2钝化膜既有足够的厚度又保证了致密性良好的界面,减小了表面态对栅特性和沟道区的影响,获得了理想因子为1.17,势垒高度为0.72eV的良好的肖特基特性;等平面工艺有效屏蔽了衬底缺陷对电极互连引线的影响,减小了反向截止漏电流,使器件在1mA下击穿电压达到了65V,40V下反向漏电流为20μA。为了提高器件成品率,避免或减小衬底缺陷深能级对沟道电流的影响,使用该工艺制备的小栅宽SiC MESFET具有195mA/mm的饱和电流密度,-15V的夹断电压。初步测试该器件有一定的微波特性,2GHz下测试其最大输出功率为30dBm,增益大于5dB。; 商庆杰潘宏菽陈昊霍玉柱杨霏默江辉冯震; 关键词：碳化硅金属-半导体场效应晶体管干法刻蚀

小体积、低重量、高性能的SiC微波功率器件: 利用国产SiC外延材料和自主开发的SiC器件工艺加工技术,实现了SiC微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10W,功率增益大于9dB、功率附加效率不低于35％的性能样管,初步显现了SiC器件在S波段连续波大功率、高增益...; 陈昊潘宏菽杨霏霍玉柱商庆杰齐国虎刘志平

4H-SiC SBD和JBS退火研究被引量：4: 2009年; 在4H-SiC外延材料上制备了SBD和JBS器件,研究并分析了退火温度对这两种器件正反向特性的影响。结果表明,低于350℃退火可同时提高SBD和JBS的正反向特性。当退火温度高于350℃时,二者的正向特性都出现退化,SBD退化较JBS更为严重。JBS阻断电压随退火温度升高而增大,在退火温度高于450℃时增加趋势变缓。SBD阻断电压随退火温度升高先升后降,在500℃退火时达到一个最大值。可见一定程度的退火有助于提高4H-SiCSBD和JBS器件的正反向特性,但须考虑其对正反向特性的不同影响。综合而言,退火优化后JBS优于SBD器件性能。; 闫锐杨霏陈昊彭明明潘宏菽; 关键词：4H-SIC肖特基势垒二极管退火

等平面化SiC MESFET的研制被引量：2: 2008年; 在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨导提高1.5mS/mm。2GHz下测试,微波功率附加效率提高10%左右,增益平均提高了2dB,在VDS=60V的条件下单管功率输出达到了86.5W。经过内匹配和功率合成研制成大功率的SiC脉冲功率管的综合性能较好,在250W的输出功率下,器件仍然保持高达10.5dB的高增益,功率附加效率30%。台阶仪和扫描电镜观测表明,台阶高度已经大大降低,侧壁得到了钝化,尖锐突起和凹坑都已经变得平缓。; 杨霏陈昊潘宏菽默江辉商庆杰李亮闫锐冯震杨克武蔡树军姚素英; 关键词：高增益功率附加效率大功率

用于霍尔效应测量的轻掺杂SiC基体上制作欧姆电极的方法: 本发明公开了一种用于霍尔效应测量的轻掺杂SiC基体上制作欧姆电极的方法，包括在轻掺杂SiC基体上划定欧姆电极的区域、在上述区域淀积或涂覆金属、高温退火，形成欧姆电极，在淀积或涂覆金属步骤前面，增加下列工序：在欧姆电极的区...; 陈昊霍玉柱齐国虎潘宏菽; 文献传递

S-Band 1mm SiC MESFET with 2W Output on Semi-Insulated SiC Substrate被引量：7: 2006年; A SiC MESFET structure is successfully prepared on a semi-insulated 50mm SiC substrate using a hotwall SiC reactor. The doping concentration for the channel layer is about 1.7 × 10^17 cm^-3 , and the thickness is about 0.35μm. An unintentionally n-doped buffer layer is employed between the substrate and the channel layer. A cap layer for Ohmic contact is doped to 10^19cm^-3. MESFET devices are fabricated using inductively coupled plasma etching and other conventional tools. Power devices with a 1mm gate width are measured and a 2W output at 2GHz is obtained.; 蔡树军潘宏菽陈昊李亮赵正平; 关键词：MESFET

GaN HEMT外延材料欧姆接触的研究被引量：1: 2006年; 研究了Ti/Al/Ni/Au多层金属与GaNHEMT结构外延片的欧姆接触,发现接触特性与金属蒸发后的退火温度密切相关.在氮气氛中880℃条件下快速热退火30s,获得了为6.94×10-7·cm2的比接触电阻.光学显微镜观察表明,在这个条件下退火后金属层具有良好的表面形貌.; 刘岳巍杨瑞霞武一宾陈昊; 关键词：GAN HEMT 欧姆接触比接触电阻光学显微镜

平坦化技术在微波功率SiC MESFET工艺中的应用: 本文以微波SiC MESFET为例，首先要4H半绝缘SiC衬底片上外延一层缓冲层，用来减少衬底对SiC MESFET的影响，然后在缓冲层上生长一层n型的沟道层，再在沟道层上外延一层高掺杂的n型盖帽层用来形成源、漏金属电极...; 潘宏菽商庆杰默江辉李静强霍玉柱杨霏陈昊; 关键词：金属-半导体场效应晶体管碳化硅材料

大功率SiC MESFET内匹配技术及测试电路研究被引量：6: 2010年; 采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,成功制作四胞合成大功率高增益SiCMESFET。优化了芯片装配形式,采用内匹配技术提高了器件输入、输出阻抗。优化了测试电路结构,成功消除了输入信号对栅极偏置电压的影响,提高了电路稳定性。四胞器件在脉宽为300μs、占空比为10%脉冲测试时,2 GHzVds=50 V脉冲输出功率为129 W(51.1 dBm),线性增益为13.0 dB,功率附加效率为31.4%。; 默江辉王丽刘博宁李亮王勇陈昊冯志红何庆国蔡树军; 关键词：内匹配大功率

利用背景掺杂对SiC CVD系统总体泄漏程度评价方法研究: 2008年; 以各部分管道检漏达到低于1×10-10(Pa.m3)/s的SiCCVD为考察对象,通过分析SiC热壁式CVD设备中影响背景掺杂浓度的杂质来源和与之对应的硬件因素,对比在不同的真空条件下得到的外延层背景掺杂浓度变化趋势,并得到最低4×1013cm-3的极低背景掺杂浓度。证明反应腔中的石墨,尤其是多孔石墨中吸附的大量氮气提供了作为背景掺杂的氮元素。定性得到系统整体漏率对背景掺杂无显著影响的结果。; 刘永立陈昊; 关键词：真空漏率