庄翔
- 作品数：10 被引量：2H指数：1
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种高压功率器件结构
- 一种高压功率器件结构，属于半导体功率器件技术领域。所述高压功率器件结构的重复单元结构包括2N个器件元胞、第一金属电极和第二金属电极；第一金属电极为条状结构，具有X个金属引出端；2N个器件元胞平均分成两排，分别位于第一金属...
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- 一种用于负电源电压的薄层SOI集成功率器件
- 一种用于负电源电压的薄层SOI集成功率器件，属于半导体功率器件领域。本发明在SOI层上至少集成了nLIGBT、pLDMOS和nLDMOS中的两种或三种高压器件，同时还可集成低压MOS器件；不同的器件之间通过埋氧层和与埋氧...
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- 文献传递
- 一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法
- 一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一衬底上集成了高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件，各器件制...
- 乔明银杉赵远远何逸涛胡曦王猛庄翔
- 一种横向高压功率半导体器件的结终端结构
- 一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，属于半导体功率器件技术领域。通过将横向高压功率半导体器件的曲率终端部分的N型漂移区长度缩短，使得N型漂移区与P-well区间隔一定距离，间隔部分以P型衬底代替，相当于引入P型衬底的...
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- 文献传递
- 一种高压功率器件结构
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- 一种用于负电源电压的薄层SOI集成功率器件
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- 一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法
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- 一种横向高压功率半导体器件的结终端结构
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- 应用于负电源的电平位移电路及器件设计
- 2011年
- 本文设计了一种应用于负电源的电平位移电路。实现从0～8V低压逻辑输入到8～-100V高压驱动输出的转换。分析了该电路的结构和工作原理。基于此电路结构设计了满足应用要求的高压薄膜SOI LDMOS器件。分析了器件的工作状态以及耐压机理,并利用工艺器件联合仿真对器件的电学特性进行了优化设计。
- 傅达平王猛胡曦庄翔赵远远
- 关键词：电平位移薄膜SOILDMOS负电源
- 超薄层SOI高压LVD LDMOS耐压模型及特性研究被引量：2
- 2015年
- 针对超薄层高压SOI线性变掺杂(Linear Varied Doping,LVD)LDMOS器件,进行了耐压模型和特性的研究。通过解泊松方程,得到超薄高压SOI LVD LDMOS的RESURF判据,有助于器件耐压和比导通电阻的设计与优化。通过对漂移区长度、厚度和剂量,以及n型缓冲层仿真优化,使器件耐压与比导通电阻的矛盾关系得到良好的改善。实验表明,超薄层高压SOI LVD LDMOS的耐压达到644V,比导通电阻为24.1Ω·mm2,击穿时埋氧层电场超过200V/cm。
- 王卓周锌陈钢杨文庄翔张波
- 关键词：高压LDMOS耐压模型RESURF
