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胡曦
作品数:
19
被引量:3
H指数:1
供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
电子电信
电气工程
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合作作者
乔明
电子科技大学
张波
电子科技大学
庄翔
电子科技大学
王猛
电子科技大学
赵远远
电子科技大学
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胡曦
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张波
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一种高压功率器件结构
一种高压功率器件结构,属于半导体功率器件技术领域。所述高压功率器件结构的重复单元结构包括2N个器件元胞、第一金属电极和第二金属电极;第一金属电极为条状结构,具有X个金属引出端;2N个器件元胞平均分成两排,分别位于第一金属...
乔明
段双亮
钟博
胡曦
庄翔
赖力
张波
一种横向功率器件版图结构
一种横向功率器件版图结构,属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构;每个元胞具有相同的结构,由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极,且漏电极被轻掺杂漂移区所包围,轻掺杂漂移区...
乔明
胡曦
罗波
叶俊
蒋苓利
傅达平
段双亮
张波
一种薄层SOI复合功率器件
一种薄层SOI复合功率器件,属于半导体功率器件技术领域。本发明在单片SOI衬底上至少集成了一个高压PMOS器件、一个高压NMOS器件和一个低压CMOS晶体管。所述高压PMOS器件和高压NMOS器件表面具有在宽度方向上交错...
乔明
罗波
赵远远
胡曦
张波
文献传递
一种横向高压功率半导体器件的结终端结构
一种横向高压功率半导体器件的结终端结构,属于半导体功率器件技术领域。通过将横向高压功率半导体器件的曲率终端部分的N型漂移区长度缩短,使得N型漂移区与P-well区间隔一定距离,间隔部分以P型衬底代替,相当于引入P型衬底的...
乔明
温恒娟
胡曦
王猛
庄翔
周锌
何逸涛
文献传递
一种SOI型P-LDMOS
本发明提供了一种SOI型P-LDMOS,包括:半导体衬底层、介质埋层和半导体有源层,所述半导体有源层内具有多个间隔设置的n+掺杂区,位于介质埋层与半导体有源层的交界面的半导体有源层一侧,所述半导体有源层内无轻掺杂漏区域。...
张波
吴丽娟
乔明
胡盛东
胡曦
李肇基
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一种高压功率器件结构
一种高压功率器件结构,属于半导体功率器件技术领域。所述高压功率器件结构的重复单元结构包括2N个器件元胞、第一金属电极和第二金属电极;第一金属电极为条状结构,具有X个金属引出端;2N个器件元胞平均分成两排,分别位于第一金属...
乔明
段双亮
钟博
胡曦
庄翔
赖力
张波
文献传递
一种横向功率器件版图结构
一种横向功率器件版图结构,属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构;每个元胞具有相同的结构,由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极,且漏电极被轻掺杂漂移区所包围,轻掺杂漂移区...
乔明
胡曦
罗波
叶俊
蒋苓利
傅达平
段双亮
张波
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一种用于负电源电压的薄层SOI集成功率器件
一种用于负电源电压的薄层SOI集成功率器件,属于半导体功率器件领域。本发明在SOI层上至少集成了nLIGBT、pLDMOS和nLDMOS中的两种或三种高压器件,同时还可集成低压MOS器件;不同的器件之间通过埋氧层和与埋氧...
乔明
王猛
胡曦
庄翔
赖力
赵远远
张波
一种用于负电源电压的薄层SOI集成功率器件
一种用于负电源电压的薄层SOI集成功率器件,属于半导体功率器件领域。本发明在SOI层上至少集成了nLIGBT、pLDMOS和nLDMOS中的两种或三种高压器件,同时还可集成低压MOS器件;不同的器件之间通过埋氧层和与埋氧...
乔明
王猛
胡曦
庄翔
赖力
赵远远
张波
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一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法
一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法,属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一衬底上集成了高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件,各器件制...
乔明
银杉
赵远远
何逸涛
胡曦
王猛
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