您的位置： 专家智库 > >

胡曦

作品数：19 被引量：3H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 10篇功率器件
  • 10篇半导体
  • 10篇半导体功率器...
  • 8篇高压器件
  • 4篇电荷
  • 4篇电路
  • 4篇元胞
  • 4篇芯片
  • 4篇集成电路
  • 4篇高压集成电路
  • 4篇薄层
  • 3篇电力
  • 3篇电平位移
  • 3篇电源
  • 3篇击穿电压
  • 3篇负电源
  • 3篇LDMOS
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅片

机构

  • 19篇电子科技大学

作者

  • 19篇胡曦
  • 16篇乔明
  • 12篇张波
  • 9篇庄翔
  • 7篇赵远远
  • 7篇王猛
  • 6篇罗波
  • 4篇赖力
  • 4篇段双亮
  • 4篇叶俊
  • 4篇李肇基
  • 4篇何逸涛
  • 3篇傅达平
  • 2篇蒋苓利
  • 2篇胡盛东
  • 2篇钟博
  • 2篇温恒娟
  • 2篇吴丽娟
  • 2篇周锌

传媒

  • 1篇电子元器件应...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 5篇2013
  • 2篇2012
  • 9篇2011
  • 1篇2010
共 19 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种高压功率器件结构
一种高压功率器件结构，属于半导体功率器件技术领域。所述高压功率器件结构的重复单元结构包括2N个器件元胞、第一金属电极和第二金属电极；第一金属电极为条状结构，具有X个金属引出端；2N个器件元胞平均分成两排，分别位于第一金属...
乔明段双亮钟博胡曦庄翔赖力张波
一种横向功率器件版图结构
一种横向功率器件版图结构，属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构；每个元胞具有相同的结构，由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极，且漏电极被轻掺杂漂移区所包围，轻掺杂漂移区...
乔明胡曦罗波叶俊蒋苓利傅达平段双亮张波
一种薄层SOI复合功率器件
一种薄层SOI复合功率器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在单片SOI衬底上至少集成了一个高压PMOS器件、一个高压NMOS器件和一个低压CMOS晶体管。所述高压PMOS器件和高压NMOS器件表面具有在宽度方向上交错...
乔明罗波赵远远胡曦张波
文献传递
一种横向高压功率半导体器件的结终端结构
一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，属于半导体功率器件技术领域。通过将横向高压功率半导体器件的曲率终端部分的N型漂移区长度缩短，使得N型漂移区与P-well区间隔一定距离，间隔部分以P型衬底代替，相当于引入P型衬底的...
乔明温恒娟胡曦王猛庄翔周锌何逸涛
文献传递
一种SOI型P-LDMOS
本发明提供了一种SOI型P-LDMOS，包括：半导体衬底层、介质埋层和半导体有源层，所述半导体有源层内具有多个间隔设置的n+掺杂区，位于介质埋层与半导体有源层的交界面的半导体有源层一侧，所述半导体有源层内无轻掺杂漏区域。...
张波吴丽娟乔明胡盛东胡曦李肇基
文献传递
一种高压功率器件结构
一种高压功率器件结构，属于半导体功率器件技术领域。所述高压功率器件结构的重复单元结构包括2N个器件元胞、第一金属电极和第二金属电极；第一金属电极为条状结构，具有X个金属引出端；2N个器件元胞平均分成两排，分别位于第一金属...
乔明段双亮钟博胡曦庄翔赖力张波
文献传递
一种横向功率器件版图结构
一种横向功率器件版图结构，属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构；每个元胞具有相同的结构，由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极，且漏电极被轻掺杂漂移区所包围，轻掺杂漂移区...
乔明胡曦罗波叶俊蒋苓利傅达平段双亮张波
文献传递
一种用于负电源电压的薄层SOI集成功率器件
一种用于负电源电压的薄层SOI集成功率器件，属于半导体功率器件领域。本发明在SOI层上至少集成了nLIGBT、pLDMOS和nLDMOS中的两种或三种高压器件，同时还可集成低压MOS器件；不同的器件之间通过埋氧层和与埋氧...
乔明王猛胡曦庄翔赖力赵远远张波
一种用于负电源电压的薄层SOI集成功率器件
一种用于负电源电压的薄层SOI集成功率器件，属于半导体功率器件领域。本发明在SOI层上至少集成了nLIGBT、pLDMOS和nLDMOS中的两种或三种高压器件，同时还可集成低压MOS器件；不同的器件之间通过埋氧层和与埋氧...
乔明王猛胡曦庄翔赖力赵远远张波
文献传递
一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法
一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一衬底上集成了高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件，各器件制...
乔明银杉赵远远何逸涛胡曦王猛庄翔
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0