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一种金属含量可调的金属氮化物薄膜的制备方法及反应器: 本发明公开了一种金属含量可调的金属氮化物薄膜的制备方法及反应器，该方法包含若干次第一半反应过程及若干次第二半反应过程，通过控制第一半反应过程的循环次数与第二半反应过程循环次数的比例，制备金属含量可调的金属氮化物薄膜；该第...; 丁士进王永平左安安张卫

一种抗铜扩散阻挡层薄膜及其制备方法: 本发明公开了一种抗铜扩散阻挡层薄膜及其制备方法，该制备方法是指在衬底上交替制备Ta‑C‑N多层薄膜和Ni‑C‑N多层薄膜，其中，制备Ta‑C‑N薄膜的反应原料为Ta(N(CH3)2</Su...; 丁士进王永平刘文军张卫; 文献传递

一种高密度镍纳米颗粒的制备方法及其应用: 本发明公开了一种高密度镍纳米颗粒的制备方法及其应用。该方法包含：步骤1，将覆盖有绝缘介质的衬底置于反应腔体中；步骤2，将上述衬底和反应腔升温至220～310℃；步骤3，以脉冲方式向反应腔中通入NiCp2</Su...; 丁士进钱仕兵王永平张卫; 文献传递

一种金属含量可调的金属氮化物薄膜的制备方法及反应器: 本发明公开了一种金属含量可调的金属氮化物薄膜的制备方法及反应器，该方法包含若干次第一半反应过程及若干次第二半反应过程，通过控制第一半反应过程的循环次数与第二半反应过程循环次数的比例，制备金属含量可调的金属氮化物薄膜；该第...; 丁士进王永平左安安张卫; 文献传递

基于Ni电极和ZrO_2/SiO_2/ZrO_2介质的MIM电容的导电机理研究: 2017年; 研究了基于Ni电极和原子层淀积的ZrO_2/SiO_2/ZrO_2对称叠层介质金属-绝缘体-金属(MIM)电容的电学性能.当叠层介质的厚度固定在14nm时,随着SiO_2层厚度从0增加到2nm,所得电容密度从13.1 fF/μm^2逐渐减小到9.3fF/μm^2,耗散因子从0.025逐渐减小到0.02.比较MIM电容的电流-电压(I-V)曲线,发现在高压下电流密度随着SiO_2厚度的增加而减小,在低压下电流密度的变化不明显,还观察到电容在正、负偏压下表现出完全不同的导电特性,在正偏压下表现出不同的高、低场I-V特性,而在负偏压下则以单一的I-V特性为主导.进一步对该电容在高、低场下以及电子顶部和底部注入时的导电机理进行了研究.结果表明,当电子从底部注入时,在高场和低场下分别表现出普尔-法兰克(PF)发射和陷阱辅助隧穿(TAT)的导电机理;当电子从顶部注入时,在高、低场下均表现出TAT导电机理.主要原因在于底电极Ni与ZrO_2之间存在镍的氧化层(NiO_x),且ZrO_2介质层中含有深浅两种能级陷阱(分别为0.9和2.3 eV),当电子注入的模式和外电场不同时,不同能级的陷阱对电子的传导产生作用.; 刘骐萱王永平刘文军丁士进; 关键词：导电机理

一种抗铜扩散阻挡层薄膜及其制备方法: 本发明公开了一种抗铜扩散阻挡层薄膜及其制备方法，该制备方法是指在衬底上交替制备Ta‑C‑N多层薄膜和Ni‑C‑N多层薄膜，其中，制备Ta‑C‑N薄膜的反应原料为Ta(N(CH3)2</Su...; 丁士进王永平刘文军张卫; 文献传递

一种低电阻率锰氧氮抗Cu扩散阻挡层材料: 本发明公开了一种低电阻率锰氧氮抗Cu扩散阻挡层材料，该阻挡层材料为由Mn、O、N三种元素组成的薄膜，其中，各元素的比例为：O原子含量：1份；N原子含量：1.05~1.25份；Mn原子含量：2.45~3.11份，以上原子含...; 丁士进王永平朱宝张卫; 文献传递

一种掺杂改性的镍金属薄膜及其制备方法: 本发明公开了一种掺杂改性的镍金属薄膜及其制备方法，该方法包含至少一个反应循环，每个反应循环包含以下步骤：S1，向反应腔中通入NiCp2蒸汽，使其与反应腔中的衬底表面充分反应；S2，向反应腔中通入无氧...; 丁士进王永平刘文军张卫; 文献传递

一种氮化锰薄膜的制备方法: 本发明公开了一种氮化锰薄膜的制备方法，其是在反应腔中的衬底上进行至少一次反应循环，包含以下步骤：步骤1，以脉冲的方式向反应腔中通入前驱体Mn(EtCp)2蒸气；步骤2，通入吹洗用气体；步骤3，以脉冲...; 丁士进王永平朱宝刘文军张卫; 文献传递

一种低电阻率锰氧氮抗Cu扩散阻挡层材料: 本发明公开了一种低电阻率锰氧氮抗Cu扩散阻挡层材料，该阻挡层材料为由Mn、O、N三种元素组成的薄膜，其中，各元素的比例为：O原子含量：1份；N原子含量：1.05~1.25份；Mn原子含量：2.45~3.11份，以上原子含...; 丁士进王永平朱宝张卫; 文献传递

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王永平