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张卫

作品数：794 被引量：296H指数：9
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划上海-AM基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 671篇专利
  • 102篇期刊文章
  • 13篇会议论文
  • 5篇学位论文
  • 3篇科技成果

领域

  • 198篇电子电信
  • 44篇自动化与计算...
  • 35篇理学
  • 24篇一般工业技术
  • 16篇化学工程
  • 12篇金属学及工艺
  • 9篇电气工程
  • 9篇文化科学
  • 6篇机械工程
  • 5篇轻工技术与工...
  • 2篇医药卫生
  • 1篇经济管理
  • 1篇矿业工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇政治法律

主题

  • 135篇电路
  • 132篇晶体管
  • 125篇半导体
  • 112篇集成电路
  • 98篇淀积
  • 90篇存储器
  • 74篇互连
  • 70篇衬底
  • 65篇电极
  • 60篇原子层淀积
  • 60篇纳米
  • 54篇隧穿
  • 51篇金属
  • 51篇沟道
  • 50篇场效应
  • 49篇介电常数
  • 46篇场效应晶体管
  • 45篇阻挡层
  • 45篇芯片
  • 42篇铜互连

机构

  • 789篇复旦大学
  • 27篇上海集成电路...
  • 10篇同济大学
  • 6篇浙江大学
  • 4篇桂林电子科技...
  • 4篇中国电子科技...
  • 2篇东华大学
  • 2篇北京理工大学
  • 2篇上海大学
  • 1篇上海交通大学
  • 1篇河北科技大学
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇罗门哈斯电子...
  • 1篇上海华虹宏力...
  • 1篇中科芯集成电...
  • 1篇无锡华润上华...

作者

  • 794篇张卫
  • 332篇孙清清
  • 238篇王鹏飞
  • 167篇丁士进
  • 166篇陈琳
  • 104篇王天宇
  • 83篇卢红亮
  • 80篇周鹏
  • 60篇王季陶
  • 48篇吴东平
  • 41篇徐敏
  • 40篇王晨
  • 39篇徐赛生
  • 36篇张世理
  • 33篇林曦
  • 26篇万永中
  • 26篇臧松干
  • 25篇刘晓勇
  • 24篇王强
  • 21篇张剑云

传媒

  • 15篇半导体技术
  • 8篇无机材料学报
  • 6篇微电子学
  • 5篇功能材料
  • 5篇自然科学进展...
  • 4篇物理学报
  • 4篇复旦学报（自...
  • 4篇材料研究学报
  • 4篇微细加工技术
  • 3篇高等学校化学...
  • 3篇高技术通讯
  • 3篇固体电子学研...
  • 3篇集成电路应用
  • 3篇中国集成电路
  • 3篇第十六届全国...
  • 2篇Journa...
  • 2篇金属学报
  • 2篇无机化学学报
  • 2篇光谱学与光谱...
  • 2篇人工晶体学报

年份

  • 28篇2024
  • 45篇2023
  • 103篇2022
  • 51篇2021
  • 34篇2020
  • 47篇2019
  • 23篇2018
  • 27篇2017
  • 28篇2016
  • 16篇2015
  • 42篇2014
  • 47篇2013
  • 80篇2012
  • 60篇2011
  • 57篇2010
  • 12篇2009
  • 4篇2008
  • 13篇2007
  • 9篇2006
  • 6篇2005
共 794 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种全透明的防水柔性有机忆阻器及其制备方法
本发明公开一种全透明的防水柔性有机忆阻器件及其制备方法。该全透明的防水柔性有机忆阻器件，包括：柔性衬底；底层电极，形成在柔性衬底上；经过低温退火的PEDOT:PSS有机功能层，形成在底层电极上；顶层电极，相互隔离分布在P...
陈琳孟佳琳王天宇何振宇孙清清张卫
文献传递
一种自对准的U型凹槽制造方法
本发明属于半导体芯片技术领域，具体为一种自对准的U型沟槽制造方法。包括：以氧化硅为掩膜刻蚀半导体衬底；形成氮化硅侧墙；在暴露的半导体衬底上生长氧化硅；剥除氮化硅侧墙；以氧化硅为掩膜刻蚀暴露出的半导体衬底形成器件的U型沟槽...
王鹏飞臧松干张卫
文献传递
一种采用Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>作为栅极侧墙的方法
本发明公开了一种采用Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>作为栅极侧墙的方法。采用原子层淀积工艺，不仅可以控制Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>栅极侧墙的横向尺寸，减小侧墙厚度，而且可...
徐岩孙清清张卫
文献传递
一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法
本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种使用超薄高介电常数材料层的SiC肖特基二极管及其制作方法。本发明在金属和SiC界面之间插入一超薄的高介电常数材料层，可以提高肖特基接触势垒高度，减小SiC表面态缺陷对肖特基势垒的...
孙清清郑珊房润辰张卫王鹏飞周鹏
文献传递
利用罗丹明作为缓冲层的石墨烯上生长高k介质的方法
本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用罗丹明作为缓冲层的石墨烯上高k介质原子层沉积方法。本发明方法在石墨烯表面覆盖罗丹明缓冲层，通过原子层沉积实现高k介质在石墨烯表面的均匀淀积。利用罗丹明缓冲层是一种新颖的...
周鹏沈于兰孙清清王鹏飞张卫
文献传递
一种柔性可重构神经元器件及其制备方法
本发明公开一种柔性可重构神经元器件及其制备方法。该柔性可重构神经元器件包括：柔性衬底；底层电极，其为惰性金属，形成在所述柔性衬底上；二维半导体纳米片层，形成在所述底层电极上；高k铪基氧化物介质层，形成在所述二维半导体纳米...
王天宇孟佳琳陈琳孙清清张卫
一种高性能薄膜晶体管的近室温制备工艺及应用
本发明公开了一种高性能薄膜晶体管的近室温制备工艺及应用，该工艺包含：步骤1，将导电衬底放入原子层沉积反应腔中，抽真空；步骤2，在20~40℃下，沉积生长Al2O3；步骤3，将步骤2所得器件放入磁控溅射沉积腔中，抽真空；步...
丁士进邵龑刘文军张卫
文献传递
一种使用45度角的三维隧穿磁场传感器及其制备方法
本发明属于磁场探测技术领域，具体为一种使用45度角的三维隧穿磁场传感器及其制造方法。本发明将用于测量不同纬度磁场的四个隧道巨磁阻模块置于一个使用45度角的凹槽或者凸台结构的侧壁之上形成三维隧穿磁场传感器，使得三维磁场传感...
吴俊张卫王鹏飞孙清清周鹏
文献传递
用于氮化物半导体器件的钝化层制备方法及器件制备方法
本发明提供了一种用于氮化物半导体器件的钝化层的制备方法，包括：将待钝化的样品传至经预处理的反应腔中，并对反应腔进行第一处理；在反应腔中通入前驱体气体，使其吸附在样品表面；在反应腔中通入惰性气体进行吹扫；在反应腔中通入氮氢...
张鹏浩王路宇徐敏王强潘茂林谢欣灵黄海黄自强徐赛生王晨张卫
一种金属含量可调的金属氮化物薄膜的制备方法及反应器
本发明公开了一种金属含量可调的金属氮化物薄膜的制备方法及反应器，该方法包含若干次第一半反应过程及若干次第二半反应过程，通过控制第一半反应过程的循环次数与第二半反应过程循环次数的比例，制备金属含量可调的金属氮化物薄膜；该第...
丁士进王永平左安安张卫
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