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基于光敏BCB工艺的InP基器件性能的研究: 2016年; 采用光敏BCB介质工艺制作了In P基TRL校准件和无源器件,研究了这种毫米波片上集成技术。光敏BCB工艺包括三层金属和一层BCB介质。为了验证工艺可行性,采用电磁仿真器设计了TRL校准件和两种无源电路。使用TRL去嵌技术,得到两种无源电路在75~110 GHz内的本征特性。通过比较去嵌后本征特性和仿真结果,发现与仿真结果相比S11/S22的幅度波动小于5 d B,S12/S21的幅度波动小于0.3 d B。仿真结果与去嵌后的本征结果重合度比较好,这进一步说明光学BCB工艺比较适合毫米波校准件的研制。; 赵华王溪丁芃姚鸿飞苏永波金智刘新宇; 关键词：毫米波

W频段二次谐波I/Q调制混频器的设计被引量：1: 2018年; 基于自主研发Ga As肖特基二极管(SBD)设计了一款工作于W频段的二次谐波混频器,实现了对射频(RF)信号的I/Q调制。建立了二极管模型,利用电路结构走线长度控制信号流,实现了宽频带内的射频信号混频,并基于此通过HFSS和ADS联合仿真,完成了W频段二次谐波混频器设计。测试结果显示,采用45 GHz信号作为本振信号源,射频80～89 GHz与91～100 GHz的频带范围内变频损耗低于17 dB,最低变频损耗为12 dB; 1 dB压缩功率大于11 d Bm。仿真结果显示,80～89 GHz与91～100 GHz的镜频抑制效果明显,最好频点镜像抑制达到20 d B。相比于W频段Ga As pHEMT(赝晶型高电子迁移率晶体管)混频器,所设计的GaAs肖特基二极管混频器在较低变频损耗的情况下,具有工艺简单、易实现、高线性度、宽带匹配、高镜像抑制等优点,芯片尺寸仅为1 mm×1mm。该款W频段混频器达到了目前国内较高水平。; 郭栋刘晓宇赵华王溪周静涛; 关键词：谐波混频器

W波段InP DHBT宽带高功率压控振荡器（英文）被引量：2: 2019年; 成功实现了一款具有高输出功率和宽频率调谐范围的基波压控振荡器.其制作工艺为0. 8μm InP DH-BT工艺,晶体管的最大fT和fmax分别为170和250 GHz.电路核心部分采用了为高频应用改进的平衡式考毕兹拓扑,在后面添加一级缓冲放大器来抑制负载牵引效应,并提升了输出功率. DHBT的反偏CB结作为变容二极管来实现频率调谐.芯片测试结果表明,压控振荡器的频率调谐范围为81～97. 3 GHz,相对带宽为18. 3%.在调谐频率范围内最大输出功率为10. 2 dBm,输出功率起伏在3. 5 dB以内.在该压控振荡器的最大调谐频率97. 3 GHz处相位噪声为-88 dBc/Hz@1MHz.; 王溪姚鸿飞姚鸿飞苏永波丁武昌丁芃丁芃金智; 关键词：压控振荡器宽调谐范围高输出功率

一种W波段高输出功率放大器模块被引量：1: 2018年; 提出了基于GaAs微波单片集成(MMIC)的W波段高输出功率放大器模块。该模块包括MMIC功率放大器(PA)和波导-微带转换结构。采用功率合成技术和微带耦合电容,实现了低损耗匹配网络,提高了PA的增益和输出功率。采用阶梯匹配网络,拓宽了微带转换过渡的带宽。测试结果表明,在75~105GHz频率范围内,波导-微带转换结构的插入损耗为0.9~1.7dB,回波损耗小于11dB;在90GHz频率时,PA的增益S21大于10dB,输入/输出反射系数S11/S22小于-10dB,饱和输出功率为19dBm。; 郭栋刘晓宇王溪赵华; 关键词：W波段功率放大模块输出功率单片微波集成电路

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王溪