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曾一平

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：信息产业部更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇国内会议论文

主题

  • 1篇低温生长GA...
  • 1篇性能研究
  • 1篇砷化镓
  • 1篇Γ剂量率
  • 1篇MBE

机构

  • 1篇信息产业部

作者

  • 1篇吴巨
  • 1篇王云生
  • 1篇曾一平
  • 1篇张绵

传媒

  • 1篇第六届全国抗...

年份

  • 1篇1999
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
MBE低温生长GaAs抗γ剂量率性能研究
分子束低温生长GaAs材料的极低载流子寿命的特点，经优化用制备了超高速模拟开关集成电路，结合其它的技术措施，该开关在9.15×10rad(Si)/s的γ剂量率辐照下，其 功能正常，但也有底宽为0.2μs、峰幅度...
张绵王云生吴巨曾一平
关键词：砷化镓Γ剂量率
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共1页<1>
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