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喻建英

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：华中理工大学固体电子学系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电阻率
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅膜
  • 1篇硅膜
  • 1篇掺硼

机构

  • 1篇华中理工大学

作者

  • 1篇黄秋芝
  • 1篇彭昭廉
  • 1篇喻建英

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇1992
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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掺硼多晶硅的制备及其电阻率被引量：1
1992年
本文介绍采用APCVD方法制备了掺硼厚多晶硅膜,研究了影响掺硼多晶层的因素及其电阻率的分布,得到一组电阻率或淀积速率与温度、流量以及随位置参量x变化的关系曲线。
彭昭廉黄秋芝喻建英
关键词：硅膜掺硼多晶硅膜电阻率
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