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黄秋芝
作品数:
3
被引量:2
H指数:1
供职机构:
华中理工大学固体电子学系
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相关领域:
电子电信
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合作作者
彭昭廉
华中理工大学固体电子学系
喻建英
华中理工大学固体电子学系
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文献类型
3篇
中文期刊文章
领域
3篇
电子电信
主题
1篇
电阻率
1篇
多晶
1篇
多晶硅
1篇
多晶硅膜
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亚胺
1篇
整流
1篇
整流二极管
1篇
酰亚胺
1篇
聚酰亚胺
1篇
硅膜
1篇
硅片
1篇
二极管
1篇
掺硼
1篇
新结构
机构
3篇
华中理工大学
作者
3篇
黄秋芝
3篇
彭昭廉
1篇
喻建英
传媒
3篇
半导体技术
年份
1篇
1994
1篇
1992
1篇
1990
共
3
条 记 录,以下是 1-3
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被引量排序
时效排序
快速整流二极管的一种新结构
被引量:1
1994年
介绍了一种新型结构的整流二极管,即多晶硅/硅结构的二极管。从理论分析和实验结果表明,这种器件的反向恢复时间很短。
彭昭廉
黄秋芝
喻建英
关键词:
整流二极管
二极管
聚酰亚胺与硅片粘附牢度的研究
1990年
本文针对聚酰亚胺与硅片粘附性问题进行了实验和考察。提出了一种新的提高其粘附牢度的方法,此方法就是通过使用简单方便的液相钝化方法,先在硅片表面上生长一层薄膜,再在生长的薄膜上用聚酰亚胺进行保护。
彭昭廉
黄秋芝
关键词:
聚酰亚胺
硅片
掺硼多晶硅的制备及其电阻率
被引量:1
1992年
本文介绍采用APCVD方法制备了掺硼厚多晶硅膜,研究了影响掺硼多晶层的因素及其电阻率的分布,得到一组电阻率或淀积速率与温度、流量以及随位置参量x变化的关系曲线。
彭昭廉
黄秋芝
喻建英
关键词:
硅膜
掺硼
多晶硅膜
电阻率
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