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排序方式：

低温制备Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3铁电薄膜及其性能研究被引量：3: 2001年; 采用脉冲激光沉积技术（ＰＬＤ）在（１００）ｐ－Ｓｉ衬底上，低温淀积、快速退火成功地制备了具有完全钙钛矿结构的多晶ＰＺＴ铁电薄膜。所制备的ＰＺＴ铁电薄膜致密、均匀，表现出良好的介电和铁电性能．其介电常数和介电损耗１００ｋＨＺ下分别为３２０和０．０８，剩余极化Ｐｔ和矫顽场Ｅｃ分别为１４μＣ／ｃｍ２和５８ｋＶ／ｃｍ．＋５Ｖ电压下漏电流密度低于１０－７Ａ／ｃｍ２。１０７次极化反转后剩余极化仅下降１０％，具有较好的疲劳特性。; 王华于军王耘波周文利谢基凡朱丽丽; 关键词：PZT 铁电薄膜 PLD

铁电场效应晶体管被引量：7: 2000年; 介绍了铁电场效应晶体管 (FFET)的基本结构、存储机制、制作方法 ,综述其结构设计的改进、铁电薄膜在 FFET中应用的进展情况 ,探讨围绕铁电薄膜材料、过渡层、结构设计、不同成膜方法及工艺对 FFET存储特性的影响 ,对; 王华于军周文利王耘波谢基凡周东祥朱丽丽; 关键词：铁电薄膜晶体管

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朱丽丽