于军
- 作品数：189 被引量：388H指数：8
- 供职机构：华中科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- Pb(Zr,Ti)O_3铁电场效应晶体管的制备及性能研究被引量：2
- 1997年
- 采用PLD（PulsedLaserDeposition）工艺制备Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构．这种结构的铁电场效应晶体管（FFET）的电性能由I－V和C－V特性表征．Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构的C－V曲线表现为极化开关，对应500nmPZT，记忆窗口约3V．实验表明Au／PZT／SiO2／Si栅结构实现了铁电体场效应存储性能．
- 于军周文利赵建洪谢基凡黄歆
- 关键词：铁电薄膜场效应晶体管FET
- 基于SoPC的电泳芯片电导检测系统被引量：4
- 2008年
- 探讨了一种基于SoPC的电泳芯片电导检测系统设计方案。采用MAX038函数发生器产生同步的正交信号源,采用双差分减法器实现阻抗到电压的变换,并利用双相锁定放大器实现电导幅值及相位检测,以FPGA内嵌NiosII软核处理器为系统控制核心,运用SoPC Builder定制高速采集控制器、FFT控制器以及运用IP核FFTV2.1.3构建实时高速长度为1 024点的FFT变换模块实现电泳芯片电容耦合非接触电导时、频域分析。文中具体阐述了系统软、硬件架构及自定制NiosII处理的FFT算法指令等。仿真结果表明:该方案能进行复杂数据处理,具有快速实时处理能力,能有效保证系统的抗干扰性和测量准确度。
- 廖红华王骏周文利陈建军易金桥于军
- 关键词：SOPC锁定放大器电泳芯片
- Ag/Bi3.25La0.75Ti3O12/Bi4Ti3O12/Si结构铁电薄膜制备及其铁电性能的研究
- 2004年
- 利用溶胶-凝胶(sol-gel)方法,在硅基底上制备了Bi3.25La0.75Ti3O12/Bi4Ti3O12/Si铁电薄膜,其中Bi4Ti3O12作为缓冲层.用XRD方法分析了该结构铁电薄膜的物相结构;用扫描电镜对薄膜样品进行表面形貌观察;并且对该结构的铁电性能进行了研究.
- 郭冬云王耘波于军付承菊高俊雄李建军陈万军
- 关键词：铁电薄膜
- 应用于电旋转芯片中电场分析的快速解析算法被引量：1
- 2010年
- 电旋转技术目前已经成为相对成熟的生物芯片测量技术手段,但是其测量自动程度和测量精度一直是个需要解决的问题。基于许瓦兹-克里斯托(Schwarz-Christoffel Mapping,SCM)映射方法,一种用于电旋转电场分析的快速解析算法被提出。通过该算法的计算结果,电旋转测量的最佳区域被精确地定义。同时,由于该计算方法的精确度较高,而且相对于传统的有限元方法占用更少的计算资源且具有更快的计算速度,可用于电旋转测量数据的实时校正。最后,对该算法计算的结果和有限元方法计算的结果进行比较,两者的数据能够很好地吻合。
- 王骏廖红华陈建军周文利于军
- 关键词：解析解环形电极
- MFS和MFOS结构的C－V特性研究被引量：1
- 1996年
- 采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构．利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管．
- 于军周文利曹广军谢基凡
- 关键词：场效应晶体管C-V特性铁电薄膜
- PZT／SiO_2／Si界面的XPS分析被引量：5
- 1996年
- 采用ＳＯＬ－ＧＥＬ工艺在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备了铁电薄膜，对ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构进行了ＸＰＳ分析，结果表明，在ＰＺＴ铁电薄膜和硅衬底之间加ＳｉＯ２使Ｆ／Ｓ界面得到了改善．
- 于军周文利曹广军谢基凡
- 关键词：PZT二氧化硅铁电薄膜XPS
- 生物芯片扫描仪硬件电路设计被引量：2
- 2005年
- 介绍了自行设计的生物芯片扫描仪的硬件电路及其配套软件的设计。该电路以DSP为核心处理器,以单片机为从处理器,并结合CPLD、USB、A/D、D/A等各种芯片构成。生物芯片扫描仪的研制成功,将推动我国生物芯片技术的发展。
- 罗磊于军
- 关键词：硬件电路DSP单片机荧光标记
- PbTiO3/PbZr0.3Ti0.7O3/PbTiO3夹心结构铁电薄膜子晶层的优化被引量：1
- 2008年
- 用Sol-Gel法制备了Pb(1+x)TiO3/PbZr0·3Ti0·7O3/Pb(1+x)TiO3(PT/PZT/PT)夹心结构及PZT铁电薄膜,为了获得高质量的PT/PZT/PT夹心结构铁电薄膜,使用不同过量Pb配比(x)的PbTiO3(PT)层进行制备,以获得优化的PT子晶层.X射线衍射和原子力显微镜分析结果表明PT层中过量Pb配比(x)对薄膜的微结构影响很大,只有PT层中Pb过量配比x=0·10—0·15的薄膜为表面晶粒大小均匀致密的纯钙钛矿结构.X射线电子能谱对薄膜微区进行元素成分分析表明,对x=0·00的薄膜,在表面和界面处Pb明显的缺乏;而x=0·20时的薄膜,Pb则明显的过量.薄膜的铁电性能、疲劳特性和漏电流特性等电学性能与PT层中过量Pb配比(x)没有明显的变化趋势,但与薄膜的结晶性能密切相关.结晶性能较好的薄膜,其电学性能也较好.说明PT层中过量Pb配比(x)是通过影响PT子晶层自身的结晶,而影响整个薄膜的结晶行为,并进一步影响到整个薄膜的电学性能.因此,在其他工艺参数都相同时,PT层中合适的过量Pb配比应为x=0·10—0·15.优化的子晶层不仅能获得结晶性能较好的薄膜,而且薄膜的电学性能也好.
- 王龙海于军王耘波高峻雄赵素玲
- 关键词：铁电薄膜
- DNA微阵列图象信息的自动提取被引量：8
- 2004年
- 微阵列图象分析是分子生物学中DNA微阵列杂交实验数据测定过程的一个重要部分。其目的是将微阵列图象中大量象素灰度信息简化为微阵列靶点的信号值。该文介绍了一种对DNA微阵列图象信息进行自动提取的方法,使用此方法完全不需要人为操作,可避免操作者主观性对实验的影响,提高数据提取的效率和可重复性。其关键步骤包括:图象滤波,图象灰度信息提取,微阵列间距确定,靶点定位和靶点信号值计算。实验结果表明使用此算法提取DNA微阵列图象信息具有重复性好、效率高和分析准确的特点。
- 朱疆黄国亮高峻雄张旭于军
- 关键词：DNA微阵列图象处理
- 基于FPGA的FEC的设计与实现
- 2006年
- 介绍数字电视正交幅度调制器的前端前向纠错(FEC)原理,并采用Top-Down的设计方式分成成帧器(Frame)、扰码器(Randm izer)、里德所罗门编码器(Reed-solomon)、交织器(Interleaver)4个模块实现。对作为FEC关键技术的里德所罗门编码器和交织器作了重点介绍,并给出了详细的设计方法,所有模块全部通过了系统验证。
- 吴超赵照薛利军赵伟明李冠男于军
- 关键词：FPGA
