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代刚

作品数：142 被引量：64H指数：5
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文基金：中国工程物理研究院重大预研项目中国工程物理研究院发展基金武器装备预研基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术交通运输工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 123篇专利
  • 18篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 20篇电子电信
  • 10篇自动化与计算...
  • 6篇一般工业技术
  • 3篇交通运输工程
  • 2篇化学工程
  • 2篇航空宇航科学...
  • 2篇文化科学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇医药卫生
  • 1篇理学
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 20篇剂量率
  • 19篇激光
  • 14篇半导体
  • 13篇碳化硅
  • 13篇封装
  • 12篇芯片
  • 11篇电离
  • 11篇模拟系统
  • 11篇激光电离
  • 11篇光电离
  • 10篇伽马射线
  • 10篇脉冲
  • 10篇剂量率效应
  • 9篇微马达
  • 9篇晶体管
  • 9篇抗辐射
  • 9篇刻蚀
  • 8篇半导体器件
  • 7篇电极
  • 6篇电路

机构

  • 140篇中国工程物理...
  • 8篇清华大学
  • 7篇中国工程物理...
  • 2篇电子科技大学
  • 1篇内江师范学院

作者

  • 142篇代刚
  • 67篇张健
  • 51篇李沫
  • 38篇孙鹏
  • 33篇杜亦佳
  • 25篇李顺
  • 25篇陈飞良
  • 22篇徐星亮
  • 22篇张林
  • 21篇宋宇
  • 19篇李倩
  • 19篇龙衡
  • 16篇周阳
  • 13篇肖承全
  • 12篇解磊
  • 12篇李志强
  • 12篇姚尧
  • 10篇高铭
  • 10篇张龙
  • 9篇梁堃

传媒

  • 3篇中国惯性技术...
  • 3篇太赫兹科学与...
  • 2篇微电子学
  • 1篇光学精密工程
  • 1篇物理学报
  • 1篇计算机工程
  • 1篇辐射研究与辐...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇电子产品世界
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇探测与控制学...

年份

  • 4篇2024
  • 12篇2023
  • 5篇2021
  • 10篇2020
  • 9篇2019
  • 51篇2018
  • 18篇2017
  • 20篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
共 142 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种MEMS加速度计健康状态监测装置
本实用新型公开一种MEMS加速度计健康状态监测装置。该装置包括：微振动平台、外围平台、四个水平支撑梁、四个垂直支撑梁；微振动平台为方形，外围平台位于微振动平台的外围；四个水平支撑梁和四个垂直支撑梁位于微振动平台和外围平台...
杜亦佳代刚张健刘利芳李顺方雯任尚清
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用于SIP三维集成的封装载体
本发明一种用于SIP三维集成的封装载体，包括管壳、基板、金属盖板，所述基板设置于所述管壳上，并且在所述基板和所述管壳之间形成用于容纳芯片的空腔，所述管壳、基板均采用非导电材料，并且所述管壳和基板之间的电信号相互连通，所述...
张龙陈余杜亦佳代刚张健周泉丰
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一种碳化硅门极可关断晶闸管GTO的器件阵列
本实用新型提出了一种单个器件尺寸相对较小的碳化硅门极可关断晶闸管GTO的器件阵列，该器件阵列是按照相应光刻版图进行光刻形成的至少包括两个碳化硅门极可关断晶闸管的阵列结构；GTO器件单元的门极位于器件单元的台面中央，并与位...
李良辉周坤徐星亮李俊焘李志强张林代刚
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一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统
本发明公开了一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统，该系统包括短波长脉冲激光产生与衰减系统、显微成像与能量监测系统、测试与控制系统三个部分。本发明可利用短波长脉冲激光辐照宽禁带半导体器件，在半导体器件中产生电离效应，模...
孙鹏李沫汤戈龙衡李倩陈飞良代刚张健
一种MEMS行波型微马达结构
本发明公开了一种MEMS行波型微马达结构，包括转子结构、定子行波驱动器结构和预紧力结构，所述定子行波驱动器结构下端与所述预紧力结构固定连接，所述转子结构包括转子壳体和转子，所述转子与所述定子行波驱动器结构紧密压紧在一起，...
杜亦佳陈余代刚周泉丰李小石弓冬冬颜薪瞩杨婷婷
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一种基于钛掺杂的高质量氧化硅薄膜及其制备方法
本发明提供一种基于钛掺杂的高质量氧化硅薄膜及其制备方法，所涉及到的器件包括但不限于MOS器件与双极型晶体管。通过在栅氧或者埋氧中掺入钛杂质，可以削弱氧空位与氢杂质的结合，并伴随着抑制了质子的释放，最终同时抑制SiO<Su...
董鹏宋宇代刚冯晓龙李沫张健
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一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统
本实用新型公开了一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统，该系统包括短波长脉冲激光产生与衰减系统、显微成像与能量监测系统、测试与控制系统三个部分。本实用新型可利用短波长脉冲激光辐照宽禁带半导体器件，在半导体器件中产生电离...
孙鹏李沫汤戈龙衡李倩陈飞良代刚张健
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一种超快响应的柔性应变传感器及其制备方法
本发明提供了一种超快响应的柔性应变传感器及其制备方法。本发明首先对柔性基底表面进行改性处理和拉伸处理，然后将功能化石墨烯分散液涂覆在经拉伸处理的柔性基底表面，形成功能化石墨烯薄膜；再通过还原处理，形成石墨烯敏感层；然后涂...
杨婷婷徐炜代刚李小石杜亦佳
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一种SiC高压功率器件结终端的制备方法
本发明公开了一种SiC高压功率器件结终端的制备方法。首先，根据不同等级的阻断电压需求确定台阶级数（2<Sup>n</Sup>级）并进行掩膜版图形结构设计；然后在SiC样片上通过多次台阶制备工艺（包括制备硬掩膜层、刻蚀台阶...
李志强李俊焘徐星亮张林代刚
一种SiC高压功率器件结终端的制备方法
本发明公开了一种SiC高压功率器件结终端的制备方法。首先，根据不同等级的阻断电压需求确定台阶级数（2<Sup>n</Sup>级）并进行掩膜版图形结构设计；然后在SiC样片上通过多次台阶制备工艺（包括制备硬掩膜层、刻蚀台阶...
李志强李俊焘徐星亮张林代刚
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