2024年8月22日
星期四
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谢鸿龄
作品数:
25
被引量:1
H指数:1
供职机构:
红河学院
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
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合作作者
刘祥明
红河学院
段志梅
红河学院
牛林
红河学院
李娟
红河学院
李俊生
红河学院
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机构
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红河学院
作者
25篇
谢鸿龄
11篇
段志梅
11篇
刘祥明
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牛林
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李娟
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李俊生
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2018
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2017
2篇
2016
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一种具有抗干扰作用的高频高速场效应管驱动电路
本实用新型是一种具有抗干扰作用的高频高速场效应管驱动电路,由电阻、电容、二极管、三极管和变压器等全分立器件组成,电路中所有连线均采用双线并绕的方法,包括隔离变压器亦采用双线并绕的方式绕制,使导线的分布电感、高频趋肤效应及...
谢鸿龄
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一种超高速模拟单向可控硅及其制作方法
本发明是一种超高速模拟单可控硅其及制作方法,它由三极管V1-V2、电阻R1-R4和二极管VD1-VD5组成,电阻R1下端与三极管V2发射极相连构成模拟可控硅的阴极K;电阻R2上端与三极管V1发射极相连构成模拟可控硅的阳极...
谢鸿龄
牛林
刘祥明
文献传递
一种基于光耦的高速场效应管驱动电路
本实用新型是一种基于光耦的高速场效应管驱动电路,由变压器、整流桥、稳压器、电容、电阻和光电耦合器组成,市电经变压器T变压后输入整流桥Z1的交流侧,电容C1正极性端、整流桥Z1正极性输出端、电容C2上端和稳压器W的1脚相连...
谢鸿龄
文献传递
一种超高速场效应管驱动电路
本实用新型是一种超高速场效应管驱动电路,其中V1‑V8为三极管VD1‑VD3为二极管R1‑R9为电阻T为变压器G为驱动信号;V1基极接驱动信号集电极接电源、R4上端和T原边上端;发射极接R1上端及R2左端;R4下端接VD...
谢鸿龄
文献传递
一种超高速模拟单向可控硅
本实用新型是一种超高速模拟单可控硅,它由三极管V1‑V2、电阻R1‑R4和二极管VD1‑VD5组成,电阻R1下端与三极管V2发射极相连构成模拟可控硅的阴极K;电阻R2上端与三极管V1发射极相连构成模拟可控硅的阳极A;三极...
谢鸿龄
牛林
刘祥明
文献传递
一种基于恒能量斩波技术的脉冲功率合成电路
本实用新型是一种基于恒能量斩波技术的脉冲功率合成电路,它由斩波回路、控制回路、传输回路和合成回路组成,斩波回路和传输回路有多级,且并联于电源和合成回路之间,同级斩波回路和传输回路通过同级变压器耦合连接,各级斩波回路和传输...
谢鸿龄
李娟
段志梅
蔡群
李俊生
张英争
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一种电子电力技术实验装置
本实用新型属于电子实验技术领域,公开了一种电子电力技术实验装置,设置有外壳,所述外壳前端活动安装有电阻调节旋钮、电压调节旋钮,电压表、电流表嵌接在外壳前端右侧,外壳前端下侧压合有电流接口、电压测量接口;电阻底盘上胶带固定...
段志梅
袁晓金
熊伟
牛林
谢鸿龄
吴昱舟
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一种超高速模拟单向可控硅及其制作方法
本发明是一种超高速模拟单可控硅其及制作方法,它由三极管V1‑V2、电阻R1‑R4和二极管VD1‑VD5组成,电阻R1下端与三极管V2发射极相连构成模拟可控硅的阴极K;电阻R2上端与三极管V1发射极相连构成模拟可控硅的阳极...
谢鸿龄
牛林
刘祥明
文献传递
一种高频高倍场效应管驱动电路
本实用新型是一种高频高倍场效应管驱动电路,由电阻、电容、二极管和变压器组成,电阻R1左端与驱动信号相连;R1右端与三极管V1基极相连;V1集电极与电容C1和C2的上端及电源VCC1相连;电容C1和C2的下端接地;V1发射...
谢鸿龄
牛林
张英争
段志梅
文献传递
一种脉冲频率调制变流电路
本发明是脉冲频率调制变流电路,电源E正极接场效应管K1和K3漏极;K1源极接二极管VD1阳极;电容C1上端接VD1阴极和二极管VD2阳极;二极管VD3阴极接二极管VD4阳极和C1下端;场效应管K2漏极接VD2阴极;VD4...
谢鸿龄
李娟
张英争
刘祥明
段志梅
李俊生
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