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刘祥明

作品数：19 被引量：4H指数：1
供职机构：红河学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 4篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇单向可控硅
  • 3篇电路
  • 3篇正极性
  • 3篇输出端
  • 3篇数量级
  • 3篇脉冲频率调制
  • 3篇开关
  • 3篇可控硅
  • 3篇可控硅开关
  • 3篇交流侧
  • 3篇供电
  • 3篇负极性
  • 3篇变流
  • 3篇变流电路
  • 3篇超高速
  • 3篇充电
  • 3篇触发极
  • 2篇电机
  • 2篇电子锁
  • 2篇液体物料

机构

  • 19篇红河学院
  • 1篇国网重庆市电...

作者

  • 19篇刘祥明
  • 11篇谢鸿龄
  • 10篇牛林
  • 6篇段志梅
  • 5篇李俊生
  • 5篇李娟
  • 2篇邹敢
  • 1篇骆洪军
  • 1篇李瑞
  • 1篇周庆
  • 1篇万凌云

传媒

  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇河南科技
  • 1篇河南理工大学...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 6篇2017
  • 4篇2016
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种超高速模拟单向可控硅及其制作方法
本发明是一种超高速模拟单可控硅其及制作方法，它由三极管V1‑V2、电阻R1‑R4和二极管VD1‑VD5组成，电阻R1下端与三极管V2发射极相连构成模拟可控硅的阴极K；电阻R2上端与三极管V1发射极相连构成模拟可控硅的阳极...
谢鸿龄牛林刘祥明
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基于D-S证据理论的多特征输电线路覆冰图像分类方法研究被引量：3
2016年
图像分类中的图像对象往往数据量很大,同时图像对象的信息量巨大、信息冗余和高噪声的特点,图像本身不能很好地表述此类图像的特征,为存储和计算带来许多麻烦。在此提出一种基于D-S证据理论的多特征覆冰图像分类方法,在输电线路覆冰图像分类研究中,使用特征图像的集合表述待分类图像和分类,将多特征图像分类研究转化为决策问题,而后应用D-S证据理论的实现多特征输电线路覆冰图像分类。最后,实验表明了本方法在多特征输电线路覆冰图像分类中的有效性。
周庆李杰万凌云魏杨肖前波刘祥明
关键词：图像分类D-S证据理论
一种基于瓦片地图的地理信息收集装置
本实用新型揭示一种基于瓦片地图的地理信息收集装置，包括底板，所述底板的顶部固定连接有两组气缸，两组所述气缸的顶部均固定连接有底座，两组所述底座的顶部均固定连接有连接板，所述连接板的板体开设有圆形凹槽，所述连接板的圆形凹槽...
骆洪军孙建洪李瑞刘祥明
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STM32印刷电路辅助制作机
本发明是一种STM32印刷电路辅助制作机，它有机架、丝杆，光轴、电机、打孔机和画笔，机架上有两组平行的横向丝杆光轴传动副，每组横向丝杆光轴传动副上装有一个覆铜板支架固定覆铜板，横向丝杆由电机驱动；在覆铜板移动平面的上侧或...
游国庆陆琼渊周楚雲浦永博刘燕牛林刘祥明
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一种脉冲频率调制变流电路
本发明是脉冲频率调制变流电路，电源E正极接场效应管K1和K3漏极；K1源极接二极管VD1阳极；电容C1上端接VD1阴极和二极管VD2阳极；二极管VD3阴极接二极管VD4阳极和C1下端；场效应管K2漏极接VD2阴极；VD4...
谢鸿龄李娟张英争刘祥明段志梅李俊生蔡群
一种旋转把手门电子锁供电方法及装置
本发明涉用一种旋转把手门电子锁供电方法及装置，包括：在门体内安装齿轮组，其中大齿轮安装在旋转把手转轴上随之一起转动，小齿轮与大齿轮啮合传动；小齿轮轴上安装直流发电机，随小齿轮转动而发电；门体内安装电压比较器和稳压电路，直...
刘祥明牛林
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一种高频高速场效应管驱动电路
本实用新型是一种高频高速场效应管驱动电路，由变压器、电阻、电容、二极管和三极管组成，隔离变压器T1的原边绕组与驱动信号相连；T1副边绕组上端、电容C1上端、电容C2上端和电阻R1左端相连；R1右端、二极管VD1阳极和二极...
谢鸿龄刘祥明张英争段志梅
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一种基于恒能量斩波技术的脉冲功率合成电路
本发明是一种基于恒能量斩波技术的脉冲功率合成电路，它由斩波回路、控制回路、传输回路和合成回路组成，斩波回路和传输回路有多级，且并联于电源和合成回路之间，同级斩波回路和传输回路通过同级变压器耦合连接，各级斩波回路和传输回路...
谢鸿龄李娟段志梅蔡群李俊生刘祥明张英争
一种超高速模拟单向可控硅及其制作方法
本发明是一种超高速模拟单可控硅其及制作方法，它由三极管V1-V2、电阻R1-R4和二极管VD1-VD5组成，电阻R1下端与三极管V2发射极相连构成模拟可控硅的阴极K；电阻R2上端与三极管V1发射极相连构成模拟可控硅的阳极...
谢鸿龄牛林刘祥明
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一种超高速模拟单向可控硅
本实用新型是一种超高速模拟单可控硅，它由三极管V1‑V2、电阻R1‑R4和二极管VD1‑VD5组成，电阻R1下端与三极管V2发射极相连构成模拟可控硅的阴极K；电阻R2上端与三极管V1发射极相连构成模拟可控硅的阳极A；三极...
谢鸿龄牛林刘祥明
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