蒋大勇
- 作品数：7 被引量：19H指数：2
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- MSM结构MgZnO短波紫外光电探测器的制备和特性研究
- MgZnO是一种直接带隙的半导体材料，室温下禁带宽度可从3.3 eV调节至7.8 eV。近年来MgZnO被作为紫外探测器的重要候选材料，引起了广泛的研究热潮。本文主要在已制备的MgZnO合金薄膜的基础上，采用传统紫外光刻...
- 蒋大勇
- 一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法
- 本发明属于半导体光电技术领域，涉及一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法，通过交流磁控溅射制备不同带隙宽度(3.37～4.13eV)的高质量MgZnO合金薄膜，并在此基础上通过真空热蒸发和湿法刻蚀的方法制备MSM结构电极...
- 蒋大勇张吉英申德振姚斌赵东旭张振中
- 文献传递
- 一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法
- 本发明属于半导体光电技术领域，涉及一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法，通过交流磁控溅射制备不同带隙宽度(3.37～4.13eV)的高质量MgZnO合金薄膜，并在此基础上通过真空热蒸发和湿法刻蚀的方法制备MSM结构电极...
- 蒋大勇张吉英申德振姚斌赵东旭张振中
- 文献传递
- 用于日盲波段的MgZnO薄膜材料和紫外探测器被引量：9
- 2008年
- 考虑ZnO优秀的物理和化学性能以及由于生长温度低而具有更低的缺陷密度从而易于实现高的光电器件效率等特点,本文采用射频磁控溅射和金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在石英及蓝宝石衬底上生长了立方结构MgZnO薄膜,制备了MgZnO的MSM型紫外探测器。该器件实现了在日盲(太阳盲)波段的光响应,典型的光响应峰值分别在225和250 nm,截止边为230和273 nm。
- 张吉英蒋大勇鞠振刚申德振姚斌范希武
- 关键词：射频磁控溅射
- 太阳盲MgZnO光电探测器被引量：9
- 2008年
- 利用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳妆叉指Au电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构。在室温下,实现了太阳盲MgZnO光电探测器,器件的探测峰值位于225 nm,截止边为230 nm。
- 蒋大勇张吉英单崇新吕有明赵延民韩舜姚斌张振中赵东旭申德振范希武
- 关键词：射频磁控溅射
- MOCVD生长MgZnO薄膜及太阳盲紫外光电探测器被引量：2
- 2008年
- 利用MOCVD在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构,实现了在10V偏压下,器件的光响应峰值在250nm,截止边为273nm的MgZnO太阳盲光电探测器。
- 鞠振刚张吉英蒋大勇单崇新姚斌申德振吕有明范希武
- 关键词：金属有机化学气相沉积
- 一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法
- 本发明属于半导体光电材料技术领域，涉及一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法，利用磁控溅射(RF magnetron sputtering)设备外延生长方法，获得高质量的MgZnO半导体三元合金薄膜；在合成的过程中可通过改...
- 张吉英刘可为蒋大勇申德振赵东旭吕有明姚斌张振中李炳辉
- 文献传递
