毛旭
- 作品数：21 被引量：75H指数：5
- 供职机构：北京信息工程学院传感技术研究中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金云南省自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>
- Co/Si多层膜的磁控溅射及其X射线衍射分析被引量：1
- 1999年
- 用超高真空磁控溅射设备在不同溅射压强及衬底温度的工艺条件下制备了一系列Ｃｏ／Ｓｉ多层膜．Ｘ射线小角衍射证实所研制的多层膜具有周期调制结构．分别采用不同的理论方法计算了多层膜的周期和折射修正项．表明修正项不再仅对折射效应修正，而应理解为更广义的修正项．并应用广义修正总多层膜厚度Ｂｒａｇｇ公式确定出了主峰之间次峰的级数．
- 毛旭周祯来张永俐杨宇
- 关键词：磁控溅射多层膜X射线衍射
- 磁控溅射Ge/Si多层膜X射线低角衍射界面结构分析被引量：12
- 2000年
- 本文对磁控溅射不同结构的 Ge/ Si多层膜样品进行了 X射线衍射的测试和分析 ,并进一步采用有过渡层的光学多层膜衍射模型对衍射谱进行了拟合 ;获得了扩散层厚度和分层厚度等多层膜的结构参数 ,定性讨论了多层膜中互扩散与分层厚度的关系。
- 李宏宁毛旭杨宇
- 关键词：多层膜X射线衍射谱磁控溅射锗
- 旋转体自身驱动的硅微机械陀螺被引量：9
- 2006年
- 报道了一种利用旋转体自身角速度作为驱动力,通过各向异性刻蚀硅片制作的硅微机械陀螺。介绍了该陀螺敏感结构(硅摆)的设计、制作与封装工艺,用仿真器测试了旋转体的角速率。模拟试验和性能测试表明,该陀螺结构原理正确,可用于敏感旋转体的偏航或俯仰角速度,以及旋转体自身的角速度。
- 张福学毛旭张伟
- 关键词：硅各向异性腐蚀角速度仿真器
- 磁控溅射的Ge/Si异质结构在退火过程中的Raman光谱研究被引量：1
- 2002年
- 用Raman光散射的方法 ,研究了磁控溅射技术制备的Ge/Si系列异质材料在退火过程中的再生长情况 ,对不同的样品进行结构变化分析。实验结果显示 :Ge/Si异质材料在退火过程中的再生长受生长态条件限制 。
- 周湘萍毛旭张树波杨宇
- 关键词：RAMAN光谱退火过程磁控溅射
- 旋转载体驱动硅微机械陀螺的设计和性能检测被引量：5
- 2006年
- 提出了一种利用旋转载体自身角速度驱动的硅微机械陀螺,分析了该陀螺的工作原理,建立了这种陀螺的数学模型,设计了该陀螺的敏感结构,计算了陀螺的结构动力学参数,设计并分析了陀螺的信号检测与处理电路并针对该陀螺的特点设计了性能测试装置。理论研究和性能测试表明,利用旋转载体自身角速度驱动的硅微机械陀螺结构原理正确。
- 张福学王宏伟张伟毛旭张楠
- 关键词：电子技术微机械陀螺角速度
- 恒温磁力搅拌下KOH刻蚀Si的研究被引量：2
- 2006年
- 采用恒温磁力搅拌的方法,在KOH溶液中湿法刻蚀Si。在掩模层为SiO2时,研究了刻蚀速率随KOH浓度与温度的变化关系。结果表明:在110℃、30%的KOH溶液下,刻蚀Si(100)可以得到4.0μm/min的刻蚀速率,Si(100):SiO2的刻蚀速率比为550:1,Si(100):Si(111)的刻蚀速率比为90:1,而且可以得到光滑的刻蚀表面与形状。
- 刘宇毛旭岳萍张福学
- 关键词：电子技术MEMS湿法刻蚀KOH
- 利用旋转载体自身角速度驱动的硅微机械陀螺被引量：18
- 2005年
- 提出了一种利用旋转载体自身角速度驱动的硅微机械陀螺的结构原理,建立了这种陀螺的数学模型并分析计算了该陀螺的结构动力学参数。理论研究和计算机模拟表明,利用旋转载体自身角速度驱动的硅微机械陀螺结构原理正确。
- 张福学王宏伟张伟毛旭张楠
- 关键词：微机械陀螺角速度
- 磁控溅射生长SiC薄膜的拉曼光谱研究被引量：4
- 2005年
- 用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上制备出衬底温度分别为300,450,600℃的碳化硅薄膜,并对薄膜进行了拉曼光谱和原子力显微镜测试分析。结果表明,用溅射法在玻璃衬底上生长出微晶SiC(μc-SiC)薄膜和在Si(100)衬底上生长出立方碳化硅(β-SiC)薄膜。并且薄膜材料的结晶度随着衬底温度的升高而改善。
- 毛旭陈长青周祯来杨宇吴兴惠
- 关键词：半导体技术SIC薄膜磁控溅射拉曼光谱
- Ge/Si多层膜热稳定性的Raman光谱研究被引量：3
- 2001年
- 用Raman光散射的方法 ,观察了磁控溅射技术制备的Ge/Si系列多层膜退火处理后的各Raman峰的变化 ,对其峰形、峰位及峰强的变化进行讨论分析。实验结果显示 :Ge/Si多层膜经 70 0℃热处理 10min后 ,能改善各层的晶体质量 ,得到较完整的多层膜的结构。
- 周湘萍毛旭张树波杨宇
- 关键词：RAMAN光谱热稳定性锗
- 射频溅射中氩气压强对Ge/Si多层膜的影响被引量：10
- 1999年
- 用射频磁控溅射制备了一系列Ｇｅ／Ｓｉ多层膜，采用Ｘ射线小角衍射测量了不同溅射压强下制备的样品，计算出了多层膜的周期．通过计算机模拟实验曲线确定出了Ｇｅ和Ｓｉ的分层厚度，计算出了不同压强下的溅射速率．实验和计算机模拟都表明了在衬底温度为５９０℃、溅射功率为１５０Ｗ的溅射条件下１．５～２．５Ｐａ氩气压强时制备出的样品周期性、均匀性和平整性都比其它压强下制备的样品好．
- 毛旭李宏宁杨明光周祯来杨宇
- 关键词：多层膜射频溅射氩气压强
