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刘宇

作品数:5 被引量:5H指数:2
供职机构:北京信息工程学院传感技术研究中心更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金北京市传感器重点实验室开放课题基金资助项目更多>>
相关领域:电子电信电气工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇微机械
  • 1篇电子技术
  • 1篇湿法刻蚀
  • 1篇速率传感器
  • 1篇陀螺
  • 1篇微机械陀螺
  • 1篇静态特性
  • 1篇刻蚀
  • 1篇溅射
  • 1篇角速率
  • 1篇角速率传感器
  • 1篇硅微机械
  • 1篇封装
  • 1篇封装工艺
  • 1篇感器
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体技术
  • 1篇SI
  • 1篇KOH
  • 1篇MEMS

机构

  • 5篇北京信息工程...
  • 1篇北京真空电子...

作者

  • 5篇刘宇
  • 5篇张福学
  • 5篇毛旭
  • 3篇张伟
  • 2篇王宏伟
  • 1篇丁明清
  • 1篇岳萍
  • 1篇汪银年

传媒

  • 2篇电子元件与材...
  • 2篇第九届全国敏...
  • 1篇压电与声光

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 3篇2005
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
恒温磁力搅拌下KOH刻蚀Si的研究被引量:2
2006年
采用恒温磁力搅拌的方法,在KOH溶液中湿法刻蚀Si。在掩模层为SiO2时,研究了刻蚀速率随KOH浓度与温度的变化关系。结果表明:在110℃、30%的KOH溶液下,刻蚀Si(100)可以得到4.0μm/min的刻蚀速率,Si(100):SiO2的刻蚀速率比为550:1,Si(100):Si(111)的刻蚀速率比为90:1,而且可以得到光滑的刻蚀表面与形状。
刘宇毛旭岳萍张福学
关键词:电子技术MEMS湿法刻蚀KOH
二维硅微机械陀螺的研究被引量:2
2007年
报道了一种依靠载体的旋转作为驱动,能敏感载体偏航角速度与自转角速度的二维硅微机械陀螺的原理、硅摆制作、敏感元件封装和检测。分别用仿真器和速率转台对其二维特性进行测试,结果证实该硅微机械陀螺能够敏感旋转载体的偏航和旋转体自身的角速度,比例系数随旋转角速度增加而增加。陀螺性能测试说明这种陀螺达到中等精度的使用要求。
毛旭刘宇汪银年丁明清张福学
微机械陀螺封装工艺研究
本文对一种专用硅微机械陀螺的封装工艺进行研究.首先将制备好的硅振动元件和陶瓷基电极板粘接成'三明治'结构,然后用金属壳封装.通过检漏,说明密封性能良好.对所制作陀螺的静态电容和陀螺性能进行测量和分析,结果表明该封装工艺能...
毛旭王宏伟刘宇张伟张福学
关键词:微机械陀螺封装工艺
文献传递
硅微机械角速率传感器工艺和静态特性研究
本文对一种通过微机械加工工艺制备出的专用角速率传感器环境温度、稳态湿热、抗振动,抗冲击等环境中进行测试,结果表明该传感器的零位输出电压随环境温度的变化较小,经过稳态湿热、抗振动和抗冲击试验后零位输出电压基本保持不变.经过...
毛旭刘宇王宏伟张伟张福学
关键词:微机械角速率传感器静态特性
文献传递
磁控溅射生长Cu/Si薄膜被引量:1
2005年
用溅射方法在Si(111)上生长Cu/Si,Ti/Si,Cu/Ti/Si薄膜。用XRD,红外吸收光谱,台阶仪对薄膜进行分析和测量。结果表明:在150℃溅射生长出的Cu/Ti/Si薄膜的缓冲层为硅化物TiSi2(311);Cu薄膜的主要成分是晶粒大小为17nm的Cu(111);Cu/Ti/Si(111)平均厚度为462nm,粗糙度为薄膜厚度的3%。在以TiSi2薄膜为缓冲层的Si(111)衬底上生长出的Cu薄膜抗氧化性较强、薄膜均匀性和致密性较好。
毛旭刘宇张伟张福学
关键词:半导体技术溅射
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