郭建斌
- 作品数：7 被引量：10H指数：1
- 供职机构：中国兵器科学研究院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划宁波市自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程理学一般工业技术更多>>
- AlON透明陶瓷的研究现状及进展
- 2025年
- 氮氧化铝透明陶瓷因良好的光学性能、力学性能、介电性能和化学稳定性而备受关注。AlON透明陶瓷发展迅速,但还存在一些问题,严重阻碍其产业化。因此,本文介绍了两种最常用的AlON粉体制备方法,包括高温固相反应法、氧化铝还原氮化法。系统地总结了烧结工艺,包括无压烧结、热压烧结、热等静压烧结、微波烧结、放电等离子烧结法,对AlON原料粉体和陶瓷制备方法的优缺点进行了比较分析。此外,对AlON透明陶瓷光学性能与力学性能的影响因素进行了探讨。最后,对AlON透明陶瓷面临的问题和发展趋势进行了展望。
- 高闯牟晓明王思嘉于楷鸿于永波王洪林郭建斌郭建斌刘发付
- 关键词：光学性能力学性能
- 大尺寸70%DKDP晶体残余应力应变研究
- 2023年
- 本研究使用传统液相法生长了氘含量为70%的大尺寸磷酸二氘钾(DKDP)晶体,采用中子衍射技术测量了三倍频DKDP晶片内部的残余应力和微观应变,利用X射线同步辐射探测了晶体锥面和柱面的微观形貌。研究了DKDP晶体沿[100]晶向宏观残余应力和微观残余应变的分布。结果表明:传统液相法生长的DKDP晶体柱面区域的残余应力为压应力,而锥面区域的残余应力为拉应力;锥面的拉应力容易导致晶体在生长和搬运过程中开裂,与实验现象相符;传统液相法生长的DKDP晶体的残余微观应变较小,但晶体中仍存在缺陷,这些缺陷是晶体残余应力和应变存在的原因之一。该研究可指导大尺寸70%DKDP晶体工程化应用。
- 刘发付牟晓明郭建斌郭建斌曹剑武郭在在
- 关键词：DKDP晶体中子衍射残余应力
- SiC陶瓷常压烧结致密化研究
- 采用常压烧结法制备了碳化硅陶瓷样品,研究了C的添加量、烧结温度以及粉体粒径对常压烧结碳化硅陶瓷微观结构和性能的影响.结果表明:随着酚醛树脂添加量的增加,碳在材料中的分布更加均匀,材料的致密度提高,力学性能增强.当酚醛树脂...
- 史秀梅曹剑武崔红王静慧李国斌郭建斌张立君唐家耘
- 关键词：碳化硅陶瓷常压烧结工艺参数致密度
- 高致密化低热膨胀陶瓷制备方法
- 一种高致密化低热膨胀陶瓷制备方法，其特征在于包括如下步骤：①烧结合成堇青石高纯粉；②将堇青石高纯粉、堇青石生料、烧结助剂及分散剂配成原料；③球磨制备浆料、浆料干燥及造粒；④样品成型及烧结处理，即得到最终的高致密化堇青石低...
- 张丛曹剑武燕东明李志鹏郭建斌乔光利史秀梅高晓菊王志伟林广庆满蓬贾书波王静慧杨双燕李康常永威曲俊峰赵斌李国斌王成
- 文献传递
- 高致密化低热膨胀陶瓷制备方法
- 一种高致密化低热膨胀陶瓷制备方法，其特征在于包括如下步骤：①烧结合成堇青石高纯粉；②将堇青石高纯粉、堇青石生料、烧结助剂及分散剂配成原料；③球磨制备浆料、浆料干燥及造粒；④样品成型及烧结处理，即得到最终的高致密化堇青石低...
- 张丛曹剑武燕东明李志鹏郭建斌乔光利史秀梅高晓菊王志伟林广庆满蓬贾书波王静慧杨双燕李康常永威曲俊峰赵斌李国斌王成
- 低成本常压烧结碳化硅陶瓷的制备方法
- 一种低成本常压烧结碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于包括如下步骤：①主原料准备；②碳化硅浆料制备；③造粒；④素坯获得，将造粒粉成型得到素坯；⑤烧结，得到碳化硅陶瓷。与现有技术相比，本发明的优点在于：采用粗碳化硅粉体为主要原...
- 曹剑武史秀梅王静慧李国斌李志鹏李晓静郭建斌张立君
- 文献传递
- SiC陶瓷常压烧结致密化过程的研究被引量：10
- 2017年
- 采用常压烧结法制备了碳化硅陶瓷样品,研究了C的添加量、烧结温度以及粉体粒径对常压烧结碳化硅陶瓷微观结构和性能的影响。结果表明:随着酚醛树脂添加量的增加,碳在材料中的分布更加均匀,材料的致密度提高,力学性能增强。当酚醛树脂添加量到2wt.%时,材料的密度最高,为3.17 g/cm^3,并具有最大的弯曲强度507 MPa。当酚醛树脂添加量大于2wt.%时,出现部分碳化硅颗粒和气孔局部聚集长大,材料的密度与弯曲强度有所降低。Ar气氛保护下,SiC陶瓷的烧结密度和收缩率随烧结温度的升高而增大,至2150℃时,密度达到3.18 g/cm^3,收缩率为17%,随着温度继续升高,收缩率和密度基本保持不变。在2150℃,酚醛树脂添加量为2%的条件下,分别选取单一粉体(D_(50)1.0μm、2.0μm)和粗细混合粉体(比例为4:1)进行试验,发现平均粒径小的混合粉体烧结的SiC陶瓷样品密度和弯曲强度均大于单一粉体制备的样品。
- 史秀梅崔红曹剑武王静慧李国斌郭建斌张立君唐家耘
- 关键词：SIC常压烧结烧结助剂
