曹剑武
- 作品数：21 被引量：25H指数：3
- 供职机构：中国兵器科学研究院更多>>
- 发文基金：宁波市自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术理学电气工程更多>>
- 一种常压烧结碳化硼陶瓷用的增韧烧结助剂及其制备方法
- 一种常压烧结碳化硼陶瓷用的增韧烧结助剂，由摩尔份数2.5份的Al粉、19～20份的TiO<Sub>2</Sub>粉、47.5～50份的炭黑、9～10份的SiC晶须和2～3份的B<Sub>4</Sub>C粉制成的，先将Al...
- 史秀梅曹剑武杨亚璋李志鹏张立君陈刚倪杨郑阳升任丽宏
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- 一种碳化硼陶瓷球及其制备方法
- 本发明涉及一种碳化硼陶瓷球及其制备方法，制备方法包括以下步骤：(1)将碳化硼粉、炭黑粉、表面活性剂A、烧结助剂、粘结剂经过喷雾造粒后得到碳化硼造粒粉；(2)将步骤(1)得到的碳化硼造粒粉、表面活性剂B和高聚物粘结剂加热搅...
- 史秀梅曹剑武张立君李志鹏杨亚璋陈刚倪杨郑阳升
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- 一种碳化硅陶瓷球的制备方法
- 一种碳化硅陶瓷球的制备方法，步骤：将碳化硅粉、碳化硼粉、一半的表面活性剂、烧结助剂、粘结剂经过喷雾造粒后得到碳化硅造粒粉；将上述碳化硅造粒粉与剩余的表面活性剂、高聚物粘结剂加热搅拌，混和并破碎，得到注射颗粒料；将注射颗粒...
- 史秀梅曹剑武张立君郑顺奇任丽宏陈刚郑阳升程英晔
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- 大尺寸70%DKDP晶体残余应力应变研究
- 2023年
- 本研究使用传统液相法生长了氘含量为70%的大尺寸磷酸二氘钾(DKDP)晶体,采用中子衍射技术测量了三倍频DKDP晶片内部的残余应力和微观应变,利用X射线同步辐射探测了晶体锥面和柱面的微观形貌。研究了DKDP晶体沿[100]晶向宏观残余应力和微观残余应变的分布。结果表明:传统液相法生长的DKDP晶体柱面区域的残余应力为压应力,而锥面区域的残余应力为拉应力;锥面的拉应力容易导致晶体在生长和搬运过程中开裂,与实验现象相符;传统液相法生长的DKDP晶体的残余微观应变较小,但晶体中仍存在缺陷,这些缺陷是晶体残余应力和应变存在的原因之一。该研究可指导大尺寸70%DKDP晶体工程化应用。
- 刘发付牟晓明郭建斌郭建斌曹剑武郭在在
- 关键词：DKDP晶体中子衍射残余应力
- 一种无压烧结碳化硼陶瓷制备方法
- 本发明涉及一种以2微米以上粗颗粒粉体为原料的无压烧结碳化硼陶瓷制备方法，包括以下步骤：将重量百分比为碳化硼粉(D<Sub>50</Sub>≥2μm)70～80wt％，碳粉4～8wt％，氧化钇粉0.7～2wt％三种原料放入...
- 曹剑武李志鹏燕东明王静慧牟晓明李康赵斌贾书波杨双燕常永威满蓬张武曲俊峰李国斌
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- 一种热压烧结碳化硼陶瓷用的增韧烧结助剂及其制备方法
- 一种热压烧结碳化硼用增韧烧结助剂及其制备方法，该烧结助剂是主晶相为硼钛钨碳的间隙化合物，是由摩尔份数2～5份Al粉，1～2份Mg粉，15～20份的WO<Sub>3</Sub>粉、15～20份的TiO<Sub>2</Sub...
- 史秀梅曹剑武杨亚璋李志鹏张立君陈刚倪杨 郑阳升
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- 高致密化低热膨胀陶瓷制备方法
- 一种高致密化低热膨胀陶瓷制备方法，其特征在于包括如下步骤：①烧结合成堇青石高纯粉；②将堇青石高纯粉、堇青石生料、烧结助剂及分散剂配成原料；③球磨制备浆料、浆料干燥及造粒；④样品成型及烧结处理，即得到最终的高致密化堇青石低...
- 张丛曹剑武燕东明李志鹏郭建斌乔光利史秀梅高晓菊王志伟林广庆满蓬贾书波王静慧杨双燕李康常永威曲俊峰赵斌李国斌王成
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- 钡掺杂量对镧掺杂锆锡钛酸铅陶瓷电性能的影响被引量：1
- 2017年
- 采用传统固相合成法制备了Pb_(0.97)-xLa_(0.02)Ba_xZr_(0.55)Sn_(0.38)Ti_(0.07)O_3(x=0,0.09,0.11,0.13,物质的量分数)反铁电陶瓷,研究了钡掺杂量对该陶瓷微观结构、介电性能和储能特性的影响。结果表明:钡能掺入到陶瓷晶格中形成钙钛矿结构;随着钡掺杂量的增加,陶瓷的反铁电-顺电相变温度降低,介电常数增大;当x=0.09时,室温下施加5.4kV·mm^(-1)的电场,陶瓷的储能密度为0.7J·cm^(-3),应用电场强度比文献报道的低,说明钡的添加降低了陶瓷的应用电场强度;陶瓷的储能特性与钡掺杂量呈线性关系。
- 齐爽段林海曾涛白杨曹剑武
- 关键词：钡反铁电陶瓷电性能
- (Na0.52K0.44Li0.04)(Nb0.9Sb0.04Ta0.06)O3压电陶瓷及蜂鸣器的制备与性能被引量：3
- 2017年
- 采用固相烧结法制备了ф15mm×0.1mm的(Na_(0.52)K_(0.44)Li_(0.04))(Nb_(0.9)Sb_(0.04)Ta_(0.06))O_3压电陶瓷,研究了其微观结构、电学性能以及热退极化性能;将该陶瓷封装制成蜂鸣器,测试了其声学性能并与市购铅基蜂鸣器进行了对比。结果表明:该陶瓷具有单一的四方相钙钛矿结构,在低于其居里温度(265℃)条件下的压电常数、机电耦合系数分别约为280pC·N^(-1),达到未升温陶瓷的89.2%,温度稳定性好;在1~4kHz、9V交流电条件下,由该陶瓷组装的蜂鸣器的声压级略小于铅基蜂鸣器的,在2kHz、3V条件下则大于铅基蜂鸣器的,且该蜂鸣器在-40~85℃的声学性能稳定。
- 韩雪飞邹祺曾涛杨晓波曹剑武
- 关键词：无铅压电陶瓷蜂鸣器压电性能
- 一种碳化硅陶瓷球的制备方法
- 一种碳化硅陶瓷球的制备方法，步骤：将碳化硅粉、碳化硼粉、一半的表面活性剂、烧结助剂、粘结剂经过喷雾造粒后得到碳化硅造粒粉；将上述碳化硅造粒粉与剩余的表面活性剂、高聚物粘结剂加热搅拌，混和并破碎，得到注射颗粒料；将注射颗粒...
- 史秀梅曹剑武张立君郑顺奇任丽宏陈刚郑阳升程英晔
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