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杨玉玺

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：南京理工大学更多>>
相关领域：一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇存储器
  • 2篇底电极
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电薄膜
  • 2篇脉冲激光
  • 2篇脉冲激光沉积
  • 2篇脉冲激光沉积...
  • 2篇耐高温
  • 2篇固相烧结
  • 2篇光伏效应
  • 2篇SUB
  • 2篇X
  • 1篇导电薄膜
  • 1篇电流
  • 1篇电流密度
  • 1篇电压
  • 1篇短路电流
  • 1篇短路电流密度
  • 1篇钴掺杂
  • 1篇耐高温性

机构

  • 5篇南京理工大学

作者

  • 5篇杨玉玺
  • 4篇马赫
  • 4篇袁国亮
  • 2篇刘治国
  • 2篇徐玉青

年份

  • 2篇2019
  • 2篇2017
  • 1篇2016
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种具有铁电和半导体光伏效应的双层钙钛矿薄膜
本发明公开了一种具有铁电和半导体光伏效应的双层钙钛矿薄膜，所述薄膜成分以通式Bi<Sub>2(1-x)</Sub>A<Sub>2x</Sub>(FeCr)<Sub>1-y</Sub>B<Sub>2y</Sub>O<Sub...
徐玉青袁国亮杨玉玺马赫刘治国
基于钴掺杂钛酸钡薄膜透明柔性阻变存储器件的研究
大数据时代的到来以及信息爆炸的现状使得人们日常生活中对于信息处理速度和信息存储容量的要求逐渐提高。虽然闪存（Flash存储）技术仍然是当今主流的存储手段，但必须承认的是其已经变得渐渐不能满足信息处理与存储的需求，发展新型...
杨玉玺
一种柔性耐高温BaTi&lt;sub&gt;1‑x&lt;/sub&gt;Co&lt;sub&gt;x&lt;/sub&gt;O&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;阻变存储器
本发明公开了一种柔性耐高温BaTi<Sub>1‑x</Sub>Co<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>阻变存储器，其结构为：衬底上设置底电极，底电极上设置BaTi<Sub>1‑x</Sub>Co<Sub>x...
谢忠帅杨玉玺马赫袁国亮
文献传递
一种具有铁电和半导体光伏效应的双层钙钛矿薄膜
本发明公开了一种具有铁电和半导体光伏效应的双层钙钛矿薄膜，所述薄膜成分以通式Bi<Sub>2(1‑x)</Sub>A<Sub>2x</Sub>(FeCr)<Sub>1‑y</Sub>B<Sub>2y</Sub>O<Sub...
徐玉青袁国亮杨玉玺马赫刘治国
文献传递
一种柔性耐高温BaTi<Sub>1-x</Sub>Co<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>阻变存储器
本发明公开了一种柔性耐高温BaTi<Sub>1‑x</Sub>Co<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>阻变存储器，其结构为：衬底上设置底电极，底电极上设置BaTi<Sub>1‑x</Sub>Co<Sub>x...
谢忠帅杨玉玺马赫袁国亮
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