刘治国
- 作品数：171 被引量：147H指数：6
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信电气工程金属学及工艺更多>>
- GaN基MOSFET及其制备方法
- 本发明涉及GaN基MOSFET及其制备方法，可以有效的调节(La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)<Sub>x</Sub>(SiO<Sub>2</Sub>)<Sub>1-x</Sub>薄膜与GaN衬底之...
- 刘治国高立刚汤振杰夏奕东殷江
- 脉冲激光淀积制备LiTaO_3光波导薄膜的研究被引量：1
- 1996年
- 报道了利用准分子脉冲激光淀积技术在(001)和(012)蓝宝石衬底上制备LiTaO_3光波导薄膜的实验研究。利用X光衍射和Raman光谱术鉴定所生长薄膜的微结构,研究了脉冲能量、衬底温度、氧分压和淀积室几何等因素对薄膜质量的影响。结果表明脉冲能量和衬底温度对薄膜生长的择优取向有很大影响,而氧分压和淀积室的几何配置主要影响薄膜的生长动力学。在合适的工艺条件下制备出了优质的外延膜,薄膜显示了优异的光波导性能。
- 刘俊明刘治国吴状春祝世宁张明生冯端
- 关键词：LITAO3脉冲激光淀积
- 纳米结构铁电膜的制备和物性及微结构表征
- 2010年
- 采用脉冲激光淀积法在硅基氧化铝纳米有序孔膜版介质上(膜版孔径平均尺寸25nm,内生长Pt纳米线作为底电极一部分)制备了纳米结构的BaTiO3铁电膜(膜厚25nm),并对其铁电和介电性能以及微结构进行了表征.结果表明,BaTiO3铁电纳米膜的介电常数随着测量频率的增加(103～106Hz)从196缓慢下降到190;介电损耗在低频区域(103～105Hz)从0.005缓慢增加到0.007,而在高频率区域(>105Hz)快速增加到0.013.薄膜的剩余极化强度约为5μC/cm2,矫顽场强约为680kV/cm.剖面(S)TEM像表明,BaTiO3铁电纳米膜与Pt纳米线(底电极)直接相连,它们之间的界面具有一定程度的弯曲.为兼顾氧化铝纳米有序孔膜版内的金属纳米线有序分布及BaTiO3纳米膜的结晶度,选择合适的退火温度是制备工艺中的关键因素.
- 朱信华宋晔杭启明朱健民周顺华刘治国
- 关键词：BATIO3微结构
- BaTiO_3铁电纳米膜制备及物性和微结构表征被引量：2
- 2009年
- 采用脉冲激光淀积法在硅基氧化铝纳米有序孔膜版介质上(膜版孔径平均尺寸20nm,内生长Pt纳米线作为底电极一部分)制备了BaTiO3铁电纳米膜,并对其物性(铁电和介电性能)和微结构进行了表征。结果表明厚度170nm BaTiO3铁电膜的介电常数,随着测量频率的增加(103Hz至106Hz),从400缓慢下降到350;介电损耗在低频区域(103～105Hz)从0.029缓慢增加到0.036,而在高频率区域(>105Hz)后,则迅速增加到0.07。这是由于BaTiO3铁电薄膜的介电驰豫极化引起的。电滞回线测量结果表明,该薄膜的剩余极化强度为17μC/cm2,矫顽场强为175kV/cm。剖面扫描透射电子显微镜(STEM)图像表明,BaTiO3纳米铁电薄膜与底电极Pt纳米线直接相连接,它们之间的界面呈现一定程度的弯曲。选区电子衍射图和高分辨电子显微像均表明BaTiO3铁电薄膜具有钙钛矿型结构。在BaTiO3纳米铁电薄膜退火晶化处理后,部分Pt纳米线的再生长导致顶端出现分枝展宽现象。为了兼顾氧化铝纳米有序孔膜版内的金属纳米线有序分布和BaTiO3纳米薄膜结晶度,合适的退火温度是制备工艺过程的关键因素。
- 朱信华朱健民刘治国闵乃本
- 关键词：BATIO3微结构
- 不挥发电荷存储器件的制备方法、所得不挥发电荷存储器件及其应用
- 本发明涉及不挥发电荷存储器件的制备方法、所得不挥发电荷存储器件及其应用。所述不挥发电荷存储器件的制备方法，具体步骤如下：a)用原子层化学气相沉积方法在衬底表面沉积Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>，形...
- 汤振杰刘治国殷江夏奕东李爱东
- 一种基于聚合物掺杂N-型有机半导体的并五苯有机场效应晶体管
- 本发明公开了一种基于聚合物掺杂N‑型有机半导体的并五苯有机场效应晶体管，用N‑型有机半导体与聚合物介质混合形成的薄膜替代原本单一的聚合物介质薄膜，通过混合物中N‑型有机半导体在界面处产生的感生电子降低并五苯/聚合物介质界...
- 刘珍良于天鹏殷江夏奕东刘治国
- 文献传递
- 高介电系数栅电介质材料铝酸钛薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种高介电系数栅电介质材料铝酸钛薄膜及其制备方法，该薄膜的化学式为(TiO<Sub>2</Sub>)<Sub> x</Sub> (Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)<Sub> 1－x</...
- 刘治国石磊
- 文献传递
- 纳米结构铁电膜的制备、物性和微结构表征
- @@纳米结构的铁电薄膜在非挥发铁电随机存储器(NV-FeRAM)方面具有重要的应用价值，在世界范围内受到广泛关注。NV-FeRAM具有非易失性、耐辐照能力强、低功耗和数据传输快等优点，广泛应用于便携式电子产，如个人数据智...
- 朱信华杭启明宋晔朱健民周舜华刘治国
- 关键词：微结构表征
- 层状钙钛矿铁电薄膜的层错结构研究被引量：1
- 2000年
- 朱信华洪建明李爱东朱健民吴迪周舜华李齐刘治国闵乃本
- 关键词：层状钙钛矿铁电薄膜
- 六核配合物［Mn_6O_2（O_2CPh）_（10）（py）_4］·MeCN的合成及结构被引量：4
- 1996年
- 将［Ｍｎ３Ｏ（Ｏ２ＣＰｈ）６（ｐｙ）２（Ｈ２Ｏ）］·０．５ＭｅＣＮ、水杨醛缩邻氨基酚和三乙胺在乙腈溶液中反应，合成了六核锰配合物。经Ｘ射线单晶结构分析确定该配合物晶体的化学结构式为［Ｍｎ６Ｏ２（Ｏ２ＣＰｈ）１０（ｐｙ）４］·ＭｅＣＮ。结构中含有一个［Ｍｎ６Ｏ２］１０＋核，可看成是两个［Ｍｎ４（μ４－Ｏ）］四面体共一条边，每个四面体的中心是一个μ４－Ｏ２－离子。晶体属单斜晶系，Ｐ２１／ａ空间群，晶胞参数ａ＝２．０５７２ｎｍ，ｂ＝１．８５２０ｎｍ，ｃ＝２．５３７５ｎｍ，β＝１１１．８２°，Ｖ＝８．９７５ｎｍ３，Ｚ＝４，最终偏差因子Ｒ＝０．０６３２，Ｒｗ＝０．０５９５。
- 陶建清刘治国庄金钟郁开北
- 关键词：锰配合物晶体结构
