张瑾
- 作品数：23 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院电工研究所更多>>
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- 电力电子器件的加速寿命测试电路及测试方法
- 一种电力电子器件的加速寿命测试电路，其第一开关(K1)的一端与被测器件的漏极(D)相连，第一开关(K1)的另一端与被测器件的栅极(G)相连。放电电阻(R1)的一端与被测器件的栅极(G)相连，放电电阻(R1)的另一端与被测...
- 张瑾仇志杰
- 文献传递
- 一种压接式电力半导体模块测试工装
- 一种压接式电力半导体模块测试工装，其矩形底座(08)上加工有压紧杆安装孔，压紧杆(12～15)穿过压紧杆安装孔固定在底座(08)上。底座(08)上还加工有定位销安装孔，定位销(09～11)穿过定位销安装孔固定在底座(08...
- 张瑾张二雄
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- 一种功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板
- 一种功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板，自上而下依次为：上铜层（0101）、陶瓷层（0102）、下铜层（0103）。上铜层（0101）刻蚀有正电极区（0201）、公共电极区（0202）、负电极区（0203）、第一门极区（0...
- 张瑾仇志杰温旭辉
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- 一种被动式动态偏置测试电路
- 本发明提供一种被动式动态偏置测试电路，所述测试电路由一个高压直流电源HV、一个高压电容C1、第一控制开关S1、第二控制开关S2、保险管F1～F6及被测器件DUT1～DUT6组成。通过控制一组开关的高速切换，产生高压脉冲；...
- 张瑾金昊
- 电力电子器件的加速寿命测试电路及测试方法
- 一种电力电子器件的加速寿命测试电路，其第一开关(K1)的一端与被测器件的漏极(D)相连，第一开关(K1)的另一端与被测器件的栅极(G)相连。放电电阻(R1)的一端与被测器件的栅极(G)相连，放电电阻(R1)的另一端与被测...
- 张瑾仇志杰
- 一种功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板
- 一种功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板，自上而下依次为：上铜层（0101）、陶瓷层（0102）、下铜层（0103）。上铜层（0101）刻蚀有正电极区（0201）、公共电极区（0202）、负电极区（0203）、第一门极区（0...
- 张瑾仇志杰温旭辉
- 文献传递
- 一种温度敏感电参数标定方法
- 一种温度敏感电参数标定方法，步骤如下：(1)将被测器件的控制极和电流流入极短路；(2)被测器件的电流流入极和电流流出极间通入加热电流，测量此时被测器件的控制极与电流流出极电压；(3)解除被测器件的控制极和电流流入极间的短...
- 张瑾仇志杰张二雄
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- 高电压增益直流升压变换器及其控制方法
- 本发明属于平板变压器技术领域，具体涉及了一种高电压增益直流升压变换器及其控制方法，旨在解决传统变压器体积庞大，而现有平板变压器无法应用于隔离耐压要求较高的场合的问题。本发明包括：通过耦合电感、电荷泵升电容，结合传统Boo...
- 曹国恩王一波张瑾王哲
- SiC MOSFET开关损耗测试方法研究被引量：6
- 2020年
- 准确测量金属氧化物半导体场效应晶体管(metaloxide-semiconductor,MOSFET)开关损耗,是正确评估碳化硅(silicon carbide,SiC)MOSFET开关特性、优化驱动电路、降低损耗的前提。由于SiC MOSFET具有较高的开关速度,传统的双脉冲测试方法存在测量延时、高频振荡等问题,导致损耗评估这一在Si IGBT时期并不严重的问题在SiC时代更加凸显。该文首先对理想开关过程进行分析,提出一种由开关时序特征来校准测量延时的方法,并考虑到实际开关过程中寄生参数的影响,对延时校准方法进行改进;其次分析开关暂态过程中的高频振荡,提出一种计算高频振荡产生附加开关损耗的方法,在保证器件安全的前提下,通过综合开关损耗最优原则对驱动电路参数进行筛选;最后以一款自主封装的全SiC MOSFET功率模块为例,对测试方法进行评估验证,设计结果应用于一款车用驱动控制器,和相同功率等级的Si IGBT控制器进行测试对比,证明文中方法的正确性和实用性。
- 郑丹张少昆李磊曹瀚范涛范涛张瑾宁圃奇
- 关键词：开关损耗延时补偿振荡
- 一种电流测量装置
- 一种电流测量装置，包括电流测量器件刺刀螺母连接器(1)、印制电路板(2)、采样电阻(3)、模拟/数字转换器(5)、以及连接刺刀螺母连接器与模拟/数字转换器的BNC同轴线缆(4)。所述的刺刀螺母连接器(1)包括正极、负极和...
- 孟金磊宁圃奇温旭辉孔亮张瑾李二良
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