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黄宇

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：教育部更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电容
  • 1篇电容特性
  • 1篇原子层沉积
  • 1篇深能级
  • 1篇能级
  • 1篇界面态
  • 1篇AL2O3
  • 1篇N-GAN

机构

  • 1篇教育部

作者

  • 1篇肖少庆
  • 1篇闫大为
  • 1篇杨国峰
  • 1篇牟文杰
  • 1篇黄宇
  • 1篇顾晓峰

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
原子层沉积Al_2O_3/n-GaN结构的深能级界面态研究被引量：1
2016年
基于与传统方法不同的物理过程,利用光辅助高频电容-电压(C-V)法研究了原子层沉积的Al_2O_3/nGaN界面的深能级缺陷态分布。无光照条件下的C-V曲线表现出典型的深耗尽行为,这主要由极长的深能级电子发射时间和极慢的少子热产生速率决定,可看作向正偏压方向平移了的理想电容曲线。在深耗尽状态下背入射365nm的紫外光后,大量的光生空穴有效地复合准费米能级以上的界面被陷电子,并允许电子在偏压扫描回积累区的过程中逐渐填充这些被排空的界面态,导致C-V曲线发生形变。基于上述物理过程,获得了一个快速衰减的界面态能级分布:从导带底至以下0.8eV,态密度从2.5×10^(12)cm^(-2)eV^(-1)减小至9×10^(10)cm^(-2)eV^(-1)。
黄宇牟文杰闫大为杨国峰肖少庆顾晓峰
关键词：原子层沉积电容特性
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