牟文杰
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
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- 自支撑衬底n-GaN肖特基接触的电流输运机制研究
- 2017年
- 在自支撑衬底n-GaN外延片上制备了圆形Ni/Au/n-GaN肖特基接触结构,测量和分析器件的变温电流-电压(I-V)特性,研究了其正向和反向电流的输运机制。结果表明:在正向偏压下,随着温度从300K增加至420K,器件的理想因子由1.8减小至1.2,表明在高温下复合机制逐渐被热发射机制替代;在反向小偏压下,漏电流表现显著的温度和电压依赖特性,且ln(I)-E^(1/2)数据满足较好线性规律,这表明肖特基效应的电子热发射机制应占主导;而在更高的反向偏压下,电流逐渐变成温度的弱函数,且数据遵循ln(I/E^2)-1/E线性依赖关系,该行为与Fowler-Nordheim隧穿特性一致。
- 牟文杰赵琳娜翟阳朱培敏陈雷雷闫大为顾晓峰
- 关键词：肖特基二极管肖特基效应
- 图形化蓝宝石衬底掺杂渐变GaN肖特基型紫外探测器被引量：1
- 2017年
- 在图形化蓝宝石衬底掺杂渐变的氮化镓(GaN)外延片上制备了肖特基型紫外探测器。与传统结构器件相比,该器件表现出显著改善的电学和光学特性:(1)室温下,当偏压为-5V时具有极低的暗电流密度~1.3×10-8 A/cm^2;(2)在零偏压情况下,紫外/可见光抑制比为~4.2×10~3,最高的响应度为~0.147A/W,最大外量子效率为~50.7%,甚至在深紫外波段(250~360nm)平均量子效率也大于40%;(3)平均开启和关闭瞬态响应常数分别为115μs和120μs,基本不随偏压变化,且具有很好的热稳定性;(4)零偏压下热噪声限制的极限探测率为~5.5×10^(13)cm·Hz^(1/2)/W。
- 翟阳牟文杰闫大为杨国锋蒋敏峰肖少庆顾晓峰
- 关键词：光电特性热噪声
- 原子层沉积Al_2O_3/n-GaN结构的深能级界面态研究被引量：1
- 2016年
- 基于与传统方法不同的物理过程,利用光辅助高频电容-电压(C-V)法研究了原子层沉积的Al_2O_3/nGaN界面的深能级缺陷态分布。无光照条件下的C-V曲线表现出典型的深耗尽行为,这主要由极长的深能级电子发射时间和极慢的少子热产生速率决定,可看作向正偏压方向平移了的理想电容曲线。在深耗尽状态下背入射365nm的紫外光后,大量的光生空穴有效地复合准费米能级以上的界面被陷电子,并允许电子在偏压扫描回积累区的过程中逐渐填充这些被排空的界面态,导致C-V曲线发生形变。基于上述物理过程,获得了一个快速衰减的界面态能级分布:从导带底至以下0.8eV,态密度从2.5×10^(12)cm^(-2)eV^(-1)减小至9×10^(10)cm^(-2)eV^(-1)。
- 黄宇牟文杰闫大为杨国峰肖少庆顾晓峰
- 关键词：原子层沉积电容特性
