娄猛 作品数:3 被引量:5 H指数:2 供职机构: 湖北大学 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 一般工业技术 电气工程 更多>>
Ga-N共掺n-ZnO纳米线合成 氧化锌(ZnO)和GaN 同属于六方纤锌矿结构,而且ZnO 室温下的激子束缚能为60 meV,制备方法多样化,分布广泛,有望取代GaN 成为新一代光电器件原料。本征ZnO 为n 型半导体,光致发光(photolumine... 娄猛 张明光 张翔晖 顾豪爽关键词:ZNO纳米线 自组装MoS_2纳米结构的可控合成及电催化产氢性能研究 被引量:2 2016年 以廉价的仲钼酸铵和硫化铵为原料合成出硫代钼酸铵[(NH_4)_2Mo S_4]前驱体,通过调控前驱体浓度,采用水热法实现二硫化钼(MoS_2)纳米颗粒、纳米片和纳米花的可控自组装制备,分析其自组装生长机理.研究MoS_2不同纳米结构对电催化产氢性能的影响,发现纳米片结构的MoS_2具有较高的催化活性,析氢过电位仅为310 m V,塔菲尔斜率为32.7m V/dec,并且随着纳米片层数增加,球形纳米花结构的MoS_2催化活性降低,但其催化稳定性较好. 田轶群 王林 娄猛 张明光 李岳彬 张翔晖关键词:硫化钼 自组装 电催化 Ga-N共掺氧化锌纳米线阵列制备及发光性能研究 被引量:3 2017年 采用化学气相沉积法(CVD)以一氧化氮(NO)和氧化镓(Ga_2O_3)为掺杂源,在c轴取向单晶蓝宝石衬底上外延生长镓氮(Ga-N)共掺氧化锌(ZnO)纳米线阵列。利用SEM,XRD,HRTEM,XPS,PL等测试手段对掺杂后的ZnO纳米线阵列进行结构、成分和光学性能表征。结果表明,Ga-N共掺ZnO纳米线阵列保持六方纤锌矿结构,沿(002)方向择优生长;掺杂元素在样品中均匀分布。随着掺杂浓度增加,纳米线由六棱柱结构转变为尖锥层状结构,长度由2μm减小到1μm,锥度增加至0.95;N1s/Ga2p/Zn2p峰结合能向低能态方向移动。PL光谱分析表明,所有样品均出现紫外发光峰和绿光发光峰,不同掺杂浓度的缺陷发光强度不同。 娄猛 张明光 苏明明 宋周周 沈典典 张翔晖关键词:化学气相沉积法 高分辨透射电子显微镜 X射线光电子能谱 荧光光谱