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张翔晖

作品数：9 被引量：8H指数：2
供职机构：湖北大学物理与电子科学学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金湖北省教育厅科学技术研究项目更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇纳米
  • 2篇纳米棒
  • 2篇纳米线
  • 2篇共掺
  • 1篇等离子体共振
  • 1篇电池
  • 1篇电池性能
  • 1篇电催化
  • 1篇电机
  • 1篇电性能
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇形貌
  • 1篇性能研究
  • 1篇压电
  • 1篇压电性
  • 1篇压电性能
  • 1篇氧化钨
  • 1篇氧化锌
  • 1篇异质结

机构

  • 9篇湖北大学
  • 1篇黄冈师范学院
  • 1篇湖北第二师范...

作者

  • 9篇张翔晖
  • 3篇王钊
  • 3篇张明光
  • 3篇娄猛
  • 2篇李岳彬
  • 2篇宋周周
  • 1篇顾期斌
  • 1篇胡永明
  • 1篇顾豪爽
  • 1篇熊娟
  • 1篇王林
  • 1篇田轶群
  • 1篇苏明明

传媒

  • 5篇电子元件与材...
  • 3篇湖北大学学报...

年份

  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
铝锑共掺氧化锌纳米线阵列LED发光性能研究
2020年
氧化锌(ZnO)纳米线因具有良好的结晶质量和独特的半导体性质,在光电子器件领域有重要应用前景.利用双元素共掺来提高掺杂元素在ZnO内的固溶度,是获得p型导电ZnO材料的有效方法.本文中利用化学气相沉积法制备Al和Sb共掺的p型ZnO纳米线阵列,通过XRD、SEM、EDS和XPS等手段分析共掺ZnO纳米线的形貌、成分和晶体质量,发现共掺ZnO具有良好的(001)晶向外延取向生长特性,且通过调整升温速率可以调控掺杂ZnO纳米线的晶体质量.基于n-GaN衬底外延生长的共掺ZnO纳米线阵列,构建异质结型LED器件.Ⅰ-Ⅴ曲线结果表明,在±4 V电压下,器件整流比高达13.7,纳米线异质结开启电压为3 V,器件表现出良好的pn结电学特性.电致发光(EL)光谱结果显示,共掺ZnO纳米线LED器件发光峰中心波长约为650 nm,表现为橙红光发射.
张唐磊丁宝玉张翔晖
关键词：氧化锌共掺纳米线阵列异质结
Ga-N共掺氧化锌纳米线阵列制备及发光性能研究被引量：3
2017年
采用化学气相沉积法(CVD)以一氧化氮(NO)和氧化镓(Ga_2O_3)为掺杂源,在c轴取向单晶蓝宝石衬底上外延生长镓氮(Ga-N)共掺氧化锌(ZnO)纳米线阵列。利用SEM,XRD,HRTEM,XPS,PL等测试手段对掺杂后的ZnO纳米线阵列进行结构、成分和光学性能表征。结果表明,Ga-N共掺ZnO纳米线阵列保持六方纤锌矿结构,沿(002)方向择优生长;掺杂元素在样品中均匀分布。随着掺杂浓度增加,纳米线由六棱柱结构转变为尖锥层状结构,长度由2μm减小到1μm,锥度增加至0.95;N1s/Ga2p/Zn2p峰结合能向低能态方向移动。PL光谱分析表明,所有样品均出现紫外发光峰和绿光发光峰,不同掺杂浓度的缺陷发光强度不同。
娄猛张明光苏明明宋周周沈典典张翔晖
关键词：化学气相沉积法高分辨透射电子显微镜X射线光电子能谱荧光光谱
Ga-N共掺n-ZnO纳米线合成
氧化锌(ZnO)和GaN 同属于六方纤锌矿结构,而且ZnO 室温下的激子束缚能为60 meV,制备方法多样化,分布广泛,有望取代GaN 成为新一代光电器件原料。本征ZnO 为n 型半导体,光致发光(photolumine...
娄猛张明光张翔晖顾豪爽
关键词：ZNO纳米线
CuS半导体纳米盘合成及光学性能研究被引量：1
2020年
采用高温有机相合成CuS纳米盘,并采用透射电子显微镜、X线衍射仪、紫外可见分光光度计和X线光电子能谱仪分析其形貌、晶相、电子能级结构和光学性质.采用Drude模型,计算分析CuS纳米盘空穴浓度为5.5×10^21 cm^-3,在入射光的作用下产生的局域表面等离子体共振是CuS近红外吸收的主要来源.通过时域有限差分数值方法模拟研究发现CuS纳米盘结构中存在面内和面外两种表面等离激元共振模式,且面内模式对NIR吸收贡献最大,局域场的增强是面外模式结果的3倍,在未来的NIR光电器件性能增强领域具有重要应用前景.
张妮伟王成柳维端雷险峰赵江黄浩张翔晖胡永明李岳彬
关键词：表面等离子体共振时域有限差分
自组装MoS_2纳米结构的可控合成及电催化产氢性能研究被引量：2
2016年
以廉价的仲钼酸铵和硫化铵为原料合成出硫代钼酸铵[(NH_4)_2Mo S_4]前驱体,通过调控前驱体浓度,采用水热法实现二硫化钼(MoS_2)纳米颗粒、纳米片和纳米花的可控自组装制备,分析其自组装生长机理.研究MoS_2不同纳米结构对电催化产氢性能的影响,发现纳米片结构的MoS_2具有较高的催化活性,析氢过电位仅为310 m V,塔菲尔斜率为32.7m V/dec,并且随着纳米片层数增加,球形纳米花结构的MoS_2催化活性降低,但其催化稳定性较好.
田轶群王林娄猛张明光李岳彬张翔晖
关键词：硫化钼自组装电催化
氧化钨纳米阵列的制备与紫外光电探测研究被引量：2
2018年
采用真空热蒸发法在硅片上实现了大面积、形貌均匀氧化钨纳米阵列的合成。X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)结果均表明,所合成的氧化钨为单斜结构的W18O49,纳米线的生长方向为(010)晶向。利用介电泳技术,在叉指电极上实现了氧化钨纳米线的准定向排列和电极接触。研究了氧化钨纳米线的紫外光探测性能,发现其对365 nm的紫外光具有良好的响应能力。在1 V偏压下,氧化钨纳米线的紫外光响应度为6.67 A/W,响应时间和恢复时间分别为0.17 s和0.15 s。研究结果表明,氧化钨纳米线在高性能光电探测器应用中展示良好前景。
宋周周张瑶张唐磊张翔晖
关键词：氧化钨纳米阵列
正交相Nb_(2)O_(5)纳米棒的室温氢气传感特性研究
2021年
氢能源被誉为理想的清洁、高效、可持续能源。然而,氢气的易燃易爆性使其生产、贮存和使用过程面临极大的安全隐患。因此,开发快速、准确的氢气传感器及其浓度监测系统势在必行。本文利用水热法结合离子交换和高温退火处理制备了多晶、正交相的Nb_(2)O_(5)纳米棒。利用该材料组装的电阻型氢气传感器具有良好的电学特性,器件电阻值约为2000Ω。该器件在室温下表现出n型氢敏特性,对浓度为500~4000 ppm的氢气具有良好的线性响应。当空气中的氢气浓度为4000 ppm时,元件的室温响应时间约为85.4 s,恢复时间约为269.2 s。通过分析传感器在不同背景气氛下的响应、恢复特性,证明该材料的室温氢敏特性主要源自表面吸附氧与氢气间反应所释放的束缚电子。
唐克勤杨飘云李志伟张翔晖王钊
关键词：氢能源氢气传感器纳米棒
氯甲胺对CH3NH3PbI3钙钛矿太阳能电池性能影响的研究
2020年
有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池具有成本低、工艺简单以及光电转换效率高等优点,备受国内外学者的关注。研究表明,钙钛矿薄膜的可控制备对钙钛矿太阳能电池的性能具有重要影响。本文通过在钙钛矿前驱体溶液中用氯甲胺(CH3NH3Cl,MACl)部分取代碘甲胺(CH3NH3I,MAI),探讨了MACl对CH3NH3PbI3薄膜及其器件光伏性能的影响。实验结果表明,MACl的加入使CH3NH3PbI3在成膜过程中产生相对过量的PbI2。在MAC1和PbI2的协同作用下,CH3NH3PbI3的结晶速度减慢,晶粒尺寸增大,获得的钙钛矿薄膜表面致密且平整,相应器件的效率从15.8%提高到了17.26%。
雷贵张翔晖王钊徐火希熊娟
关键词：形貌
铌酸钾钠纳米棒阵列的取向生长和压电性能研究
2017年
采用水热法在不同取向的单晶SrTiO_3(STO)衬底表面生长了正交相铌酸钾钠(KNN)一维纳米结构。在(100)-SrTiO_3衬底表面可实现铌酸钾钠纳米棒阵列的取向生长;而在(110)和(111)-SrTiO_3表面都分别生长着多取向一维纳米结构。TEM和XRD结果均表明,(100)-Sr TiO_3表面的纳米棒为单晶正交相结构,且沿[110]取向生长。此外,单根铌酸钾钠纳米棒的轴向压电常数可达到150 pm/V,利用该纳米棒阵列组建的纳米发电机的输出电压高达10 V。
贺亚华王钊张翔晖顾期斌
关键词：铌酸钾钠纳米棒阵列水热法压电性能纳米发电机
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