您的位置： 专家智库 > >

邓腾飞

作品数：4 被引量：5H指数：2
供职机构：湖北大学物理与电子科学学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术金属学及工艺电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇性能研究
  • 4篇存储器
  • 3篇电极
  • 3篇限流
  • 3篇限流特性
  • 3篇ITO电极
  • 2篇氧化铪
  • 2篇氧
  • 2篇铪
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇退火
  • 1篇光电子能谱

机构

  • 4篇湖北大学

作者

  • 4篇邓腾飞
  • 2篇叶葱
  • 2篇王浩
  • 2篇何品
  • 1篇段金霞
  • 1篇詹超
  • 1篇张骏驰

传媒

  • 1篇稀有金属
  • 1篇中国科学：技...
  • 1篇2015中国...

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
基于ITO电极下氧下化铪基阻变存储器的性能研究
本文采用磁控溅射和光刻技术制备了1x1μm的TiN/HfO/ITO器件,通过正负细丝形成(forming)电压的操作方式来研究其阻变性能。研究结果表明在两种操作模式下,导电细丝均在ITO端操作,且具有自限流特性。同时,文...
邓腾飞吴加吉叶葱何品张骏驰王浩
关键词：ITO电极
基于ITO电极下氧化铪基阻变存储器的性能研究被引量：3
2016年
采用磁控溅射和光刻技术制备了1μm×1μm的Ti N/Hf O2/ITO(氧化铟锡)3层结构的器件,通过控制改变正负细丝形成(forming)电压的操作方式来研究其阻变性能。研究结果表明,在上述的两种操作模式下,当保持操作端不变时导电细丝的形成与断裂均发生在ITO端操作,且从电流-电压(I-V)循环曲线中均发现了器件具有自限流特性。同时,文中比较了氧化铟锡(ITO)和铂(Pt)两种电极下,存储器单元阻变性能的差别。结合电流-电压循环曲线的拟合机制,推断出自限流特性来源于氧化铟锡(ITO)电极与氧化铪基阻变层之间形成的界面层。进一步设计了基于氧化铟锡(ITO)电极下的氧化硅/氧化铪双层结构阻变层的器件,发现该器件仍具有自限流效应。而且,氧化硅层同样起到了降低操作电流的作用,故使得器件的功耗大幅度降低至16μW。
何品叶葱邓腾飞吴加吉张骏驰王浩
关键词：ITO电极
基于ITO电极下氧下化铪基阻变存储器的性能研究
本文采用磁控溅射和光刻技术制备了1×1 μm2的TiN/HfO2/ITO器件，通过正负细丝形成(forming)电压的操作方式来研究其阻变性能。研究结果表明在两种操作模式下，导电细丝均在ITO端操作，且具有自限...
邓腾飞吴加吉叶葱何品张骏驰王浩
关键词：ITO电极
不同退火气氛下钛掺杂氧化铪阻变存储器的性能研究被引量：2
2015年
采用磁控溅射和光刻技术制备了阻变层为钛掺杂氧化铪的阻变存储器件(RRAM),研究氮气和氧气中退火处理工艺对其阻变性能的影响规律.结果表明氮气退火工艺能显著提高ITO/Hf Ti O/Pt器件的阻变性能.与制备态相比,氮气退火后存储器的阻变窗口增大,阻变参数的分散性变好;而氧气退火后阻变性能变差.为探索不同退火气氛对RRAM性能的影响机制,我们结合电流-电压(I-V)拟合机制和光电子能谱(XPS)分析,可以推断出ITO/Hf Ti O/Pt器件的阻变性能来源于阻变层中的氧空位形成的导电细丝,氮气退火有利于导电细丝的形成和断裂,所以能够优化器件的阻变性能.
叶葱詹超邓腾飞吴加吉何品段金霞王浩
关键词：退火光电子能谱
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0