您的位置： 专家智库 > >

何品

作品数：4 被引量：5H指数：2
供职机构：湖北大学物理与电子科学学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术金属学及工艺理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇存储器
  • 2篇性能研究
  • 2篇氧化铪
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电极
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇阳极
  • 1篇阳极氧化
  • 1篇氧空位
  • 1篇阵列
  • 1篇退火
  • 1篇限流
  • 1篇限流特性
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米管
  • 1篇纳米管阵列
  • 1篇光电
  • 1篇光电性

机构

  • 4篇湖北大学
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 4篇叶葱
  • 4篇何品
  • 2篇王浩
  • 2篇邓腾飞
  • 1篇黄忠兵
  • 1篇段金霞
  • 1篇张军
  • 1篇赵春宁
  • 1篇程义
  • 1篇沈谅平
  • 1篇詹超
  • 1篇张骏驰

传媒

  • 2篇中国科学：技...
  • 1篇稀有金属
  • 1篇广州化工

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 2篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
TiO_2纳米管阵列膜的制备、机理与光电性能
2015年
采用两步阳极氧化法,在金属Ti箔片表面制备出了高度有序的Ti O_2纳米管阵列膜,分析了制备出的纳米管的表面形貌与晶向结构,并阐述了其生长机理;同时,将获得的Ti O_2纳米管阵列薄膜与染料、电解液、Pt/FTO对电极组装成染料敏化太阳能电池(dye sensitized solar cells,DSSCs),并探究其光电转化性能。实验表明,氧化时间为24 h条件下获得的纳米管组装成DSSCs的光电转换效率为4.9%。进一步的,通过采用Ti Cl_4溶液对纳米管进行表面修饰,组装DSSCs的光电性能提升至8.7%,更有利于实现DSSCs的工业化应用。
赵春宁程义何品贾梅秀张军叶葱
关键词：TIO2纳米管阵列
氧化锆基阻变存储器中金掺杂效应的第一性原理研究
2018年
氧空位在过渡金属氧化物阻变存储器的电阻转变中有重要作用.采用第一性原理计算方法,研究Au掺杂前后阻变层材料ZrO_2的能带结构、态密度、氧空位的形成能和迁移势垒能来分析氧化锆基阻变存储器中的Au掺杂效应.研究发现,Au掺杂后ZrO_2费米能级处出现了局域化杂质带且禁带宽度减小,由此提升了ZrO_2的导电能力;Au掺杂后氧空位形成能及迁移势垒能显著降低,从而有利于氧空位的形成和迁移,进而降低ZrO_2基阻变存储器的形成(forming)电压与置位(set)电压.我们利用电子局域函数模拟ZrO_2超晶胞[001]方向包含掺杂元素Au的氧空位列,结果表明局域在杂质周围的氧空位在[001]方向形成有序导电通道.
韦晓迪魏巍马国坤叶葱周昊何品何品沈谅平
关键词：ZRO2第一性原理氧空位
不同退火气氛下钛掺杂氧化铪阻变存储器的性能研究被引量：2
2015年
采用磁控溅射和光刻技术制备了阻变层为钛掺杂氧化铪的阻变存储器件(RRAM),研究氮气和氧气中退火处理工艺对其阻变性能的影响规律.结果表明氮气退火工艺能显著提高ITO/Hf Ti O/Pt器件的阻变性能.与制备态相比,氮气退火后存储器的阻变窗口增大,阻变参数的分散性变好;而氧气退火后阻变性能变差.为探索不同退火气氛对RRAM性能的影响机制,我们结合电流-电压(I-V)拟合机制和光电子能谱(XPS)分析,可以推断出ITO/Hf Ti O/Pt器件的阻变性能来源于阻变层中的氧空位形成的导电细丝,氮气退火有利于导电细丝的形成和断裂,所以能够优化器件的阻变性能.
叶葱詹超邓腾飞吴加吉何品段金霞王浩
关键词：退火光电子能谱
基于ITO电极下氧化铪基阻变存储器的性能研究被引量：3
2016年
采用磁控溅射和光刻技术制备了1μm×1μm的Ti N/Hf O2/ITO(氧化铟锡)3层结构的器件,通过控制改变正负细丝形成(forming)电压的操作方式来研究其阻变性能。研究结果表明,在上述的两种操作模式下,当保持操作端不变时导电细丝的形成与断裂均发生在ITO端操作,且从电流-电压(I-V)循环曲线中均发现了器件具有自限流特性。同时,文中比较了氧化铟锡(ITO)和铂(Pt)两种电极下,存储器单元阻变性能的差别。结合电流-电压循环曲线的拟合机制,推断出自限流特性来源于氧化铟锡(ITO)电极与氧化铪基阻变层之间形成的界面层。进一步设计了基于氧化铟锡(ITO)电极下的氧化硅/氧化铪双层结构阻变层的器件,发现该器件仍具有自限流效应。而且,氧化硅层同样起到了降低操作电流的作用,故使得器件的功耗大幅度降低至16μW。
何品叶葱邓腾飞吴加吉张骏驰王浩
关键词：ITO电极
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0