王琼芳
- 作品数：14 被引量：17H指数：2
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
- 一种确定长波碲镉汞器件倒装互连压强阈值的方法
- 本发明公开一种确定长波碲镉汞器件倒装互连压强阈值的方法，包括：把材料切割成大小相同的实验片，在不同压力下与读出电路进行倒装互连，焊接完成后利用超声分开，然后利用Chen腐蚀液对材料进行腐蚀，观察位错腐蚀坑，测量每个实验片...
- 杨顺虎王琼芳万蓓张萤郭瑞张学斌王思凡杨小艺李智权唐遥杨超伟
- 一种红外偏振焦平面器件结构及其制备方法
- 本发明涉及一种红外偏振焦平面器件结构及其制备方法，该器件结构包括去除半导体衬底的红外焦平面器件和亚波长金属线栅；红外焦平面器件中，金属微柱分布在读出电路衬底正面的外围，形成了由具有一定中心距的金属微柱组成的矩形圈或方形圈...
- 李东升杨超伟韩福忠郭建华王向前姚志健封远庆左大凡王琼芳李京辉
- 铟凸点对倒装互连影响的研究被引量：2
- 2016年
- 制作了2种形式的铟凸点:即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球。分别讨论了铟柱和铟球对倒装互连的影响,着重讨论了铟球和铟柱分别和芯片倒装互连后的剪切强度,结果发现在互连未回流的状态下铟球的剪切强度是铟柱的1.5倍,回流后铟球的剪切强度是铟柱的2.8倍。此外,分析讨论了长时间放置在空气中的铟球对倒装互连的影响,结果发现长时间放置在空气中的铟球和芯片互连后,器件的电学与机械连通性能会受到很大的影响。
- 杨超伟闫常善王琼芳李京辉韩福忠封远庆杨毕春左大凡赵丽俞见云
- 关键词：铟柱
- 高温碲镉汞中波红外探测器的国内外进展被引量：15
- 2017年
- 介绍了欧美发达国家在高工作温度碲镉汞中波红外探测器上的工艺技术路线及典型产品技术指标。对昆明物理研究所研制的基于标准n-on-p(Hg空位掺杂)工艺的中波640×512(15μm)探测器进行了高工作温度性能测试,测试结果显示器件性能基本达到国外产品的同期研制水平。
- 周连军韩福忠白丕绩舒畅孙皓王晓娟李京辉邹鹏程郭建华王琼芳
- 关键词：碲镉汞红外探测器
- 一种铟凸点器件结构及其制备方法
- 本发明涉及一种铟凸点器件结构及其制备方法，属于铟凸点器件制备技术领域。该器件结构包含半导体衬底、焊盘、第一钝化层、第二钝化层、UBM金属层和铟凸点；UBM金属层包括粘附层、阻挡层、缓冲层和浸润层；在该器件结构中，粘附层覆...
- 杨超伟李京辉韩福忠王琼芳封远庆左大凡杨毕春周连军吴圣娟
- 文献传递
- 一种用于碲镉汞红外探测器互连凸点的制备方法
- 本发明公开了一种用于碲镉汞红外探测器互连凸点的制备方法，包括：对读出电路表面进行清洗；在读出电路电极孔上端进行光刻开孔，然后依次沉积Ti、Pt、Au三层金属，经过剥离得到UBM；完成后在UBM上端进行金属凸点光刻，利用热...
- 杨顺虎杨超伟唐遥王琼芳左大凡王思凡张萤郭瑞杨小艺张学斌李雄军
- 一体化封装管壳和半导体恒温器及其制备方法
- 本发明涉及一体化封装管壳和半导体恒温器及其制备方法，属于红外探测器封装技术领域。该一体化封装管壳和半导体恒温器包括依次相连的陶瓷基片、半导体系统和陶瓷管壳；所述的半导体系统有多个，每个半导体系统包括依次相连的工作端焊接电...
- 杨春丽胡旭黄宗坦王琼芳洪建堂董黎
- 垂直型ITO/黑硅光电探测器及其制备方法
- 垂直型ITO/黑硅光电探测器及其制备方法，涉及光电器件成像技术领域，尤其是一种高性能垂直型ITO/黑硅可见‑近红外光电探测器的制备技术。该光电探测器基于n型硅衬底，正面为高掺杂浓度的p型层。器件背面的n型层为过饱和掺杂的...
- 张玉平唐利斌邓功荣吴刚袁绶章王博宋立媛赵鹏王静宇岳彪王海澎刘燕辛永刚王琼芳苏润洪魏虹姬玉龙黄俊博李红福李轶民敖雨彭秋思吴强
- 一种提升红外探测器读出电路表面铟凸点均一性的方法
- 本发明公开了一种提升红外探测器读出电路表面铟凸点均一性的方法,包括下列任一种方法：方法1，通过光刻工艺、电镀工艺、钝化工艺和机械化学抛光工艺等工艺对读出电路的电极孔表面进行平坦化处理；方法2，经过光刻工艺、金属铟沉积工艺...
- 封远庆宋林伟王思凡杨小艺杨顺虎王琼芳张学斌郭瑞张萤万蓓唐遥李智权曹天宇
- 铟凸点回流时的异常现象的研究
- 2016年
- 利用湿法回流缩球的技术,使铟柱回流成铟球。在研究中心距为30μm、面阵为320×256的读出电路在回流缩球的过程中遇到了3种异常现象,即铟球体积异常、铟球桥接和铟球偏离中心位置的现象。详细地介绍了这3种现象产生的过程及背景,分析了产生这3种现象的机理以及对器件性能和倒装互连的影响,并提出了相应的解决措施。
- 杨超伟李京辉王琼芳封远庆杨毕春左大凡
