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韩福忠

作品数：59 被引量：88H指数：6
供职机构：昆明物理研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国防基础科研计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 33篇专利
  • 25篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 27篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇文化科学

主题

  • 18篇碲镉汞
  • 15篇探测器
  • 11篇掺杂
  • 10篇光电
  • 10篇红外
  • 7篇焦平面
  • 6篇中波
  • 5篇电路
  • 5篇读出电路
  • 5篇石墨
  • 5篇探测器组件
  • 5篇红外焦平面
  • 5篇红外探测
  • 5篇红外探测器
  • 5篇表面钝化
  • 5篇长波
  • 4篇原子
  • 4篇石墨烯
  • 4篇能级
  • 4篇二极管

机构

  • 59篇昆明物理研究...
  • 1篇北京理工大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇重庆大学
  • 1篇香港理工大学
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 59篇韩福忠
  • 35篇姬荣斌
  • 22篇唐利斌
  • 17篇项金钟
  • 16篇赵俊
  • 16篇孔金丞
  • 13篇魏虹
  • 12篇袁绶章
  • 11篇李雄军
  • 10篇康蓉
  • 9篇朱颖峰
  • 9篇李东升
  • 8篇胡旭
  • 8篇王燕
  • 8篇杨春丽
  • 8篇铁筱滢
  • 7篇李立华
  • 7篇李京辉
  • 7篇胡彦博
  • 6篇庄继胜

传媒

  • 17篇红外技术
  • 4篇红外与毫米波...
  • 3篇红外与激光工...
  • 1篇云光技术
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 7篇2019
  • 9篇2018
  • 14篇2017
  • 9篇2016
  • 10篇2015
  • 6篇2014
  • 2篇2010
共 59 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
碲镉汞红外焦平面器件表面复合膜层钝化技术被引量：5
2015年
碲镉汞(Hg1-xCdxTe)红外器件的制备过程中,表面钝化工艺对于器件性能具有很大影响。通过实验,研究了溅射功率、靶基距、基片摆动角度等工艺参数对碲镉汞衬底上制备的CdTe/ZnS复合钝化膜层质量的影响。实验结果表明,当CdTe与ZnS溅射靶功率分布为140 W与350 W,靶基距为40cm,基片摆动角度为±30°时,中心2英寸区域膜层非均匀性达到±3%以内,同时钝化膜层表面粗糙度与附着能力获得了较大改善。
韩福忠耿松史琪袁授章杨伟声蒋俊汤金春
关键词：碲镉汞红外探测器表面钝化
中波碲镉汞/钝化层界面电学特性研究被引量：3
2015年
HgCdTe表面/界面特性对器件性能具有重要的影响,表面/界面的状态主要依赖于表面处理和钝化工艺。采用Br2/CH3OH腐蚀液对液相外延(LPE)生长的中波HgCdTe薄膜进行表面处理后,使用Cd Te/Zn S复合钝化技术进行表面钝化,制备了相应的MIS器件并进行器件C-V测试。结果表明,HgCdTe/钝化层界面固定电荷极性为正,面密度为2.1×1011 cm-2,最低快界面态密度为1.43×1011 cm-2·e V-1,在10 V栅压极值下慢界面态密度为4.75×1011 cm-2,较低的快界面态密度体现出了CdTe/ZnS复合钝化技术的优越性。
李雄军韩福忠李东升李立华胡彦博孔金丞朱颖峰庄继胜姬荣斌
关键词：表面钝化MIS器件C-V
半导体型硫掺杂石墨烯薄膜制备方法
半导体型硫掺杂石墨烯薄膜制备方法，涉及半导体型硫掺杂石墨烯薄膜的制备方法，尤其是使用廉价的乙二醇和硫酸为原料，使用工艺简单的液相化学反应法制成溶液然后旋涂再高温退火处理得到光电性能良好的半导体型硫掺杂石墨烯薄膜制备方法。...
唐利斌姬荣斌项金钟张倩袁绶章赵俊孔金丞郑云魏虹洪建堂铁筱滢左大凡康蓉王向前王燕韩福忠
CdTe钝化膜溅射功率对HgCdTe器件性能的影响研究被引量：1
2018年
采用不同的溅射功率在长波HgCdTe(碲镉汞)薄膜表面沉积了CdTe钝化膜,制备了相应的MIS器件和二极管器件,并对器件进行了I-V测试和C-V测试,研究了溅射功率对CdTe钝化膜和器件性能的影响。结果表明,CdTe钝化膜溅射功率由140 W升高到180 W后,沉积速率显著增加,由3.5 nm/min增加到了9.5 nm/min;HgCdTe/钝化层界面固定电荷面密度增大,由2.43×10^(11) cm^(—2)增大到了2.83×10^(11) cm^(—2);慢界面态密度也随溅射功率的增加而增大。
林占文韩福忠李雄军耿松史琪胡彦博杨超伟林阳
关键词：溅射功率I-VC-V
一种非制冷红外焦平面探测器的光电敏感单元
本发明公开了一种非制冷红外焦平面探测器的光电敏感单元，旨在提供一种测量分辨率高、灵敏度高的非制冷红外焦平面探测器的光电敏感单元。它包括由半透明金属层、有机介质层及反射金属层叠置构成的谐振腔，以及固定设置于谐振腔下方用于实...
胡旭杨春丽雷晓红魏虹王冰韩福忠秦强吴思晋
一种飞秒激光网格化铁电陶瓷方法
本发明涉及一种飞秒激光网格化铁电陶瓷方法，属于微细加工技术领域。本发明飞秒激光网格化铁电陶瓷方法，是用光刻、金属沉积、刻蚀的方法在铁电陶瓷上制备网格化的金属图案，飞秒激光刻蚀根据预先制备的网格化金属图案进行网格加工，实现...
杨春丽胡旭姬荣斌韩福忠封远庆吴思晋雷晓虹魏虹李冉
文献传递
中波碲镉汞光电二极管pn结特性研究被引量：1
2015年
采用液相外延（LPE）生长的中波Hg Cd Te薄膜,基于B离子注入n-on-p平面结技术,制备了LBIC测试结构和I-V测试芯片并进行了相应的测试和分析。LBIC测试结果表明,Hg Cd Te pn结实际结区尺寸扩展4～5μm,这主要与光刻、B离子注入以及注入后低温退火等器件工艺有关。二极管器件C-V和I-V特性研究表明,所制备的Hg Cd Te pn结不是突变结也不是线性缓变结。中波Hg Cd Te二极管器件最高动态阻抗大于30 GΩ,器件优值R0A高达1.21×10^5Ωcm^2,表现出较好的器件性能。
李雄军韩福忠李东升李立华胡彦博孔金丞秦强朱颖峰庄继胜姬荣斌
关键词：光电二极管PN结LBIC
一种铟凸点器件结构及其制备方法
本发明涉及一种铟凸点器件结构及其制备方法，属于铟凸点器件制备技术领域。该器件结构包含半导体衬底、焊盘、第一钝化层、第二钝化层、UBM金属层和铟凸点；UBM金属层包括粘附层、阻挡层、缓冲层和浸润层；在该器件结构中，粘附层覆...
杨超伟李京辉韩福忠王琼芳封远庆左大凡杨毕春周连军吴圣娟
文献传递
中波碲镉汞雪崩光电二极管的增益特性被引量：7
2019年
采用不同工艺制备了中波碲镉汞(Hg Cd Te)雪崩二极管(APD)器件,利用不同方法对其结特性和增益随偏压变化关系进行了表征,并基于Beck模型和肖克莱解析式进行了拟合分析.结果表明,不同工艺制备的APD器件饱和耗尽区宽度分别为1. 2μm和2. 5μm,较宽的耗尽层有效抑制了高反偏下器件的隧道电流,器件有效增益则从近100提高至1 000以上.用肖克莱解析式拟合Hg Cd Te APD器件增益-偏压曲线,获得了较好的效果.拟合结果与Sofradir公司的J. Rothman的报道相似.
李雄军韩福忠李立华李东升胡彦博杨登泉杨超伟孔金丞舒恂庄继胜赵俊
关键词：雪崩光电二极管增益C-V
氟掺杂石墨烯量子点及其制备方法
本发明涉及光电子领域，尤其是氟掺杂石墨烯量子点及其制备方法。氟掺杂石墨烯量子点是一种新的石墨烯量子点改性材料，通过掺杂的方式，增加了石墨烯量子点额外的能级，有效地改变了石墨烯量子点的性能，可用于光电探测器领域。本制备方法...
唐利斌姬荣斌项金钟左文彬赵俊胡赞东韩福忠
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