王雪亮
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：天津理工大学材料物理研究所更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金国家高技术研究发展计划天津市科技计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- ZnO纳米棒复合阻变存储器工作机制研究
- ZnO纳米棒具有宽禁带、易于制备合成和优秀的光学性能等优点，在电子和光电子器件领域有着很好的应用价值。由于载流子在两个维度上受限，ZnO纳米棒更有利于电子在一个维度上形成定向的导电通道。近年来，基于ZnO纳米棒的阻变存储...
- 王雪亮
- 关键词：氧化锌纳米棒
- 文献传递
- 单层密集ZnO纳米棒阻变器件的导电机制
- 2015年
- 制备了一种具有多级存储效应的密集ZnO纳米棒阵列阻变存储器件,借助I-V曲线和荧光光谱分析了器件的电流传导机制和阻变机制,发现器件在不同的电阻态下分别属于欧姆传导和空间电荷限制电流(SCLC)传导机制。正向电场作用使纳米棒表面耗尽区的氧空位V++密度增大,完善了电子传输的导电细丝通道,器件实现了由高阻态向低阻态的转变;在反向电压作用下,导电通道断裂,器件恢复到高阻态。
- 王雪亮徐建萍石少波张晓松张旭光赵相国石鑫李淑彬李岚
- 关键词：ZNO纳米棒荧光光谱氧空位
- PbS纳米晶修饰的ZnO/PVP复合电双稳器件阻变机制
- 2014年
- 采用简单旋涂工艺制备了具有ITO/PVP/ZnO NCs/PbS NCs/PVP/Al夹心结构的有机/无机复合电双稳存储器件,与没有PbS纳米晶修饰层的器件ITO/PVP/ZnO NCs/PVP/Al相比,PbS纳米晶的引入使目标器件的开关比提高了2个数量级。结合器件的I-V曲线和能级结构分析了PbS纳米晶修饰层对器件阻变和载流子传输的影响。结果显示,PbS纳米晶层的加入不仅优化了器件能级结构,有利于载流子的俘获和释放,还修饰了ZnO纳米晶的表面缺陷,降低了器件载流子的复合损耗。
- 石庆良徐建萍王雪亮王有为姜立芳朱明雪洪源李岚
- 关键词：ZNO纳米晶
