朱明雪
- 作品数：7 被引量：4H指数：1
- 供职机构：天津理工大学材料物理研究所更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 全无机ZnO纳米棒/SiO_2电致发光器件的研究被引量：1
- 2013年
- 采用化学溶液法在氧化铟锡(ITO)衬底上合成ZnO纳米棒,以不同的速度将无定形SiO2材料旋涂于ZnO纳米棒,制备了结构为ITO/ZnO/ZnO纳米棒/SiO2/Al全无机电致发光器件。借助能谱(EDS)和吸收光谱,发现当转速从3000r/min降低到500r/min时,SiO2的附着量逐渐增多。比较了旋涂速度对器件的电致发光光谱的影响,发现对于同一旋涂速度形成的器件,紫外发光强度随电压的增大而增强,可见区的发射则逐渐减弱;而不同旋涂速度下获得的器件的紫外发光强度显示出随电压升高先增大后减小的趋势,当旋涂速度为1000r/min时,紫外发射最强,可见区发光几乎消失;I-V曲线测量显示随着转速的降低,器件的启亮电压变大,最大工作电流逐渐变小。结合光致发光(PL)图谱和能级结构图分析认为,SiO2除了能钝化ZnO纳米棒表面缺陷,还具有改善载流子在发光层的平衡和增大电子注入能量的作用,其较高的势垒对发光层内的电子具有限制作用,提高了在活性层中的电子和空穴的复合率。此外,SiO2的加速作用也有助于提高高能态缺陷能级的电子密度及复合几率。
- 葛林徐建萍张晓松罗程远王丽师李梦真任志瑞陈义鹏王有为石庆良朱明雪李岚
- 关键词：光电子学ZNO纳米棒电致发光器件
- CdSe/CdS核壳纳米晶微波水热法一步合成与发光光谱分析被引量：2
- 2014年
- 采用微波水热法一步合成了核壳结构的CdSe/CdS纳米晶,讨论了巯基丙酸中S2-的释放过程对纳米晶生长的影响。XRD和Raman光谱结果表明,140℃合成温度下获得了CdSe/CdS核壳结构的纳米晶。FTIR光谱结果表明,巯基丙酸随时间的分解有助于CdS壳层的形成。PL光谱呈现出CdSe纳米晶的带间发射和缺陷发射,随着核壳结构的形成,CdSe纳米晶的表面缺陷被抑制,相关的荧光发射减弱。
- 朱明雪徐建萍张晓松石庆良李霖霖刘晓娟石鑫王亚中魏行远李岚
- 关键词：微波水热法发光光谱
- 基于ZnO纳米管/SiO<Sub>2</Sub>量子点泵浦随机激光发射器
- 一种基于ZnO纳米管/SiO<Sub>2</Sub>量子点泵浦随机激光发射器，包括衬底、阳极层、无机发光层、缓冲层和阴极层并依次组成堆叠结构，所述衬底为玻璃或聚乙烯塑料透明衬底，阳极层为氧化铟锡、氧化锌铝或氧化锌镓，无机...
- 李岚葛林陈义鹏王有为石庆良朱明雪王浩
- 文献传递
- 配体链长对PbS量子点薄膜/Al肖特基结整流特性的影响
- 2013年
- 利用热注入法合成带有油酸配体的PbS量子点,用短链乙醇胺替代长链油酸做为PbS量子点的配体。对比了由两种材料制得的量子点薄膜与Al形成的肖特基结的J-V特性,采用热电子发射理论对其J-V特性进行分析,结果发现,接有短链乙醇胺的PbS量子点薄膜具有更优的整流特性,理想因子n为3.8,明显低于采用油酸配体的PbS量子点(n=4.6)。研究表明,短链配体有利于提高PbS薄膜表面的均匀性并形成较好的肖特基接触;短链置换过程提高了量子点薄膜与Al电极的接触势垒高度,使肖特基结反向漏电流降低。
- 任志瑞徐建萍石少波张晓松袁虎臣姜立芳朱明雪王丽师李岚
- 关键词：肖特基结整流特性
- 微波辅助半导体纳米晶生长机制及发光性能
- 半导体纳米材料具有宽激发光谱、窄发射光谱和长荧光寿命等特性，在半导体电子学和生物医学成像方面得到了广泛地关注。与传统的加热方式相比，微波辅助纳米材料合成法具有通过分子水平的局部加热的特点，可以增强产物的结晶动力学，促进新...
- 朱明雪
- 关键词：半导体纳米晶纳米材料发光性能
- 一种p-CuO-n-ZnO太阳能电池及其制备方法
- 一种p-CuO-n-ZnO太阳能电池，底层至顶层依次叠加为ITO衬底、垂直定向的ZnO纳米棒阵列、CuO薄膜和Au电极，垂直定向的ZnO纳米棒阵列作n型半导体吸收层，CuO薄膜作p型半导体光吸收层和空穴传输层；其制备方法...
- 李岚王丽师徐建萍任志瑞葛林陈义鹏李波李梦真姜立芳朱明雪洪源
- 文献传递
- PbS纳米晶修饰的ZnO/PVP复合电双稳器件阻变机制
- 2014年
- 采用简单旋涂工艺制备了具有ITO/PVP/ZnO NCs/PbS NCs/PVP/Al夹心结构的有机/无机复合电双稳存储器件,与没有PbS纳米晶修饰层的器件ITO/PVP/ZnO NCs/PVP/Al相比,PbS纳米晶的引入使目标器件的开关比提高了2个数量级。结合器件的I-V曲线和能级结构分析了PbS纳米晶修饰层对器件阻变和载流子传输的影响。结果显示,PbS纳米晶层的加入不仅优化了器件能级结构,有利于载流子的俘获和释放,还修饰了ZnO纳米晶的表面缺陷,降低了器件载流子的复合损耗。
- 石庆良徐建萍王雪亮王有为姜立芳朱明雪洪源李岚
- 关键词：ZNO纳米晶
